公开(公告)号：CN105190835A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024384.9

申请日：2014-04-21

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  永田和寿

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649

摘要： 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

公开(公告)号：CN104040686A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005209.0

申请日：2013-01-11

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 秋山昌次 ,  飞坂优二 ,  永田和寿

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/78603

摘要： 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。

公开(公告)号：CN101290872B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200810093348.4

申请日：2008-04-18

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

摘要： 本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种贴合基板的制造方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。

公开(公告)号：CN101188258B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200710193656.X

申请日：2007-11-23

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN101179054B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710170066.5

申请日：2007-11-09

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603 ,  Y10S438/967 ,  Y10T428/31612

摘要： 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。

公开(公告)号：CN1934039B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580009250.0

申请日：2005-03-07

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 飞坂优二 ,  山村和市

IPC分类号： C03B37/012 ,  C03B37/018

CPC分类号： C03B23/045 ,  C03B37/0126 ,  C03B37/01486 ,  Y02P40/57

摘要： 本发明提供一种玻璃母材的加工方法及加工装置，可使大型的玻璃母材芯不偏离地且容易地进行焊接加工及端部的纺锤形加工，且无落下事故可安心地操作。本发明是使用加工装置对玻璃母材(1)进行加工的方法，上述加工装置包括直接或间接地把持玻璃母材(1)的轴方向两端部、且可在所相向的方向相对移动的一对旋转自如的夹盘(3a)、(3b)，及可沿着所把持的玻璃母材(1)的轴方向移动的玻璃母材加热用的燃烧器(1)，且玻璃母材的加工方法的特征在于总是以两点或两点以上保持或支持玻璃母材(1)，一边防止悬臂一边进行加工；且加工装置中设置有至少一个保持或支持玻璃母材(1)的中间部的中间把持装置(8a)、(8b)。

公开(公告)号：CN101120231B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580048284.0

申请日：2005-12-20

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 飞坂优二 ,  乙坂哲也 ,  小山田浩

IPC分类号： G01B11/08 ,  G01B11/24 ,  G01M11/00

CPC分类号： G01B11/105 ,  G02B6/02285

摘要： 本发明公开一种光纤母材(1)的纤芯部非圆率测量方法，其包括：从垂直于纤芯部中心轴的方向，一边向浸泡在匹配油(3)中的光纤母材(1)照射光线，一边使光纤母材(1)向平行于中心轴的方向移动，对光线中透过纤芯部的透过光线的宽度变化连同光纤母材(1)的移动量的关系进行记录，获得光纤母材(1)有关长度方向的纤芯部的相对外径值分布的相对外径值分布测量步骤；每当绕着中心轴，使光纤母材(1)旋转至规定的旋转角度时，执行相对外径值分布测量步骤，并记录多个相应于旋转角度的相对外径值分布的相对外径值分布积累步骤；根据在相对外径值分布积累步骤中积累的多个相对外径值分布，计算出多个对于光纤母材(1)长度方向的纤芯部的多个非圆率的非圆率计算步骤。

公开(公告)号：CN101174595A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185125.6

申请日：2007-10-30

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  古屋昌浩 ,  川合信 ,  田中好一 ,  久保田芳宏 ,  飞坂优二

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/142

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN105190835B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201480024384.9

申请日：2014-04-21

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  永田和寿

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

摘要： 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

公开(公告)号：CN101286443B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810088668.0

申请日：2008-04-10

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C23C14/48

摘要： 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。