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公开(公告)号:CN100419906C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN01823537.9
申请日:2001-08-13
申请人: 先进微装置公司
IPC分类号: G11C11/21
CPC分类号: G11C13/0064 , B82Y10/00 , G11C11/34 , G11C11/5664 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/28 , H01L27/285 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0094 , H01L51/0595
摘要: 发明涉及计算机工程领域并可用于不同种类计算机的存储器装置中,也可用于发展新世代的影像与声音设备,用于发展关联存储器系统,以及生成用于类神经网络之突触(synapses)(具有可编程的电子阻抗的电子电路组件)。本发明的存储器单元可提供存储数个数据位并具有高速切换。所述存储器单元包含二个连续的铝电极1与2,介于该铝电极1与2之间具有由作用层3、阻障层4以及被动层5所构成之多层功能区域。
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公开(公告)号:CN1543652A
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN01823537.9
申请日:2001-08-13
申请人: 先进微装置公司
IPC分类号: G11C11/21
CPC分类号: G11C13/0064 , B82Y10/00 , G11C11/34 , G11C11/5664 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/28 , H01L27/285 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0094 , H01L51/0595
摘要: 发明涉及计算机工程领域并可用于不同种类计算机的存储器装置中,也可用于发展新世代的影像与声音设备,用于发展关联存储器系统,以及生成用于类神经网络之突触(synapses)(具有可编程的电子阻抗的电子电路组件)。本发明的存储器单元可提供存储数个数据位并具有高速切换。所述存储器单元包含二个连续的铝电极1与2,介于该铝电极1与2之间具有由作用层3、阻障层4以及被动层5所构成之多层功能区域。
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