-
公开(公告)号：CN109444551B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201811051617.0
申请日：2018-09-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R27/14
摘要： 本发明公开了一种半导体方块电阻的方法及电路，方法包括：在待测掺杂区域内形成至少一个第一掺杂区域，第一掺杂区域为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；并在第一掺杂区域内形成第二掺杂区域，第二掺杂区域为第一导电类型；在半导体基板表面上设置至少两个激励电极，其中至少一个激励电极与第二掺杂区域对应；在半导体基板表面上依次设置至少一个隔离层和与之分别对应的控制电极，隔离层和控制电极从一个第一掺杂区域的边缘延伸至内部第二掺杂区域的边缘；通过两个激励电极施加激励电流、测试位于两个激励电极之间的待测掺杂区域之间的电压，获得待掺杂区域的方块电阻值。用以上方法进行方块电阻测试，能够测得较准确的方块电阻值。
-
公开(公告)号：CN108074802B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201611000087.8
申请日：2016-11-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/739 , H01L29/40
摘要： 本发明提供了一种金属电极制备方法及压接式IGBT，所述方法包括在衬底上淀积氧化层，且衬底上预设的压力接触区对应的氧化层的厚度大于预设的非压力接触区对应的氧化层的厚度；在氧化层上顺次淀积第一金属层和第二金属层，形成金属电极。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及压接式IGBT，其压力接触区对应的氧化层厚度大于非压力接触区对应的氧化层的厚度，可以减少压接式IGBT的沟道区承受的压力；同时，通过在衬底上顺次淀积第一金属层和第二金属层形成金属电极，能够增加压接式IGBT的金属层厚度，从而缓解整个压接式IGBT承受的压力。
-
公开(公告)号：CN108598011A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810444236.2
申请日：2018-05-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC分类号： H01L21/603
摘要： 本发明提供一种逆阻型IGBT的制造方法及逆阻型IGBT，在逆阻型IGBT的制造方法中，对支撑圆片进行背面键合后，对RB-IGBT芯片侧壁进行侧壁隔离加工。通过侧壁隔离加工，可实现高电压RB-IGBT芯片的反向耐压，进而可以实现高电压逆阻型IGBT的制造。同时，两次对支撑原片进行正面键合以及背面键合。通过两次的键合操作，可以实现直接侧壁扩散，从而大大缩短扩散隔离步骤中扩散所需要的时间，进而可以在较短时间内完成大厚度，高电压芯片的扩散操作，可实现高压(＞1700V)逆阻型IGBT芯片，拓宽了现有技术的电压范围。
-
公开(公告)号：CN108110040A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711061805.7
申请日：2017-11-02
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了功率半导体器件及其制造方法，其中所述功率半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一导电类型；至少一个第二半导体区域，设置在第一半导体区域上，并且第二半导体区域的表面与第一半导体区域的表面齐平，第二半导体区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型；第一绝缘层，设置在第一半导体区域和第二半导体区域的表面上；第一绝缘层上对应于第二半导体区域的位置设置有至少一个开口；第二半导体区域的表面内对应于开口的位置形成有至少一个凹陷区域，凹陷区域为具有第一导电类型的半导体材料。本发明实施例所提供的功率半导体器件能够在降低表面温度的同时缩短横向电阻区的长度，从而减小功率半导体器件的尺寸。
-
公开(公告)号：CN107578998B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710606477.8
申请日：2017-07-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明提供了一种IGBT芯片制造方法及IGBT芯片，其中，IGBT芯片制造方法包括：在N型掺杂硅片衬底的表面淀积多晶硅层；在所述多晶硅层的图形中通过多次离子注入和高温推结的方式形成P阱层。本发明通过多次离子注入和高温推结的方式形成P阱层，这样在N区下方的P阱拥有更高的浓度，更加有利于改善抗闩锁能力，从而解决了现有技术中IGBT芯片在过电流关断过程中，容易发生动态闩锁现象的问题，提高了IGBT在过电流关断过程中的抗闩锁能力，同时背面采用局部掺杂或者氧化层隔离的方式，降低有源区边缘的电流集中，提高IGBT的过流关断能力。
-
公开(公告)号：CN112103330A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910521437.2
申请日：2019-06-17
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861
摘要： 本发明提出了一种功率器件背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，功率器件背面多峰值缓冲层结构包括：N型半导体衬底材料(100)、功率器件背面的表面界限(101)和设置于N型半导体衬底材料(100)和表面界限(101)之间的缓冲层；缓冲层包括：至少由两次离子注入形成的N型掺杂区域，本发明提供的背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，减少了功率器件的加工工艺整体热过程，大大提高了器件可靠性。
-
公开(公告)号：CN110660668A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910828209.X
申请日：2019-09-03
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/08 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的背面形成第一导电类型半导体层，在衬底的正面形成MOS结构；在第一导电类型半导体层上形成间隔设置的沟槽；在沟槽中形成第一部分第二导电类型集电区；在第一导电类型半导体层和沟槽中形成第二部分第二导电类型集电区，第一部分第二导电类型集电区和第二部分第二导电类型集电区构成第二导电类型集电区。通过实施本发明，在IGBT的集电区增加沟槽式设计，该沟槽结构可以使得该IGBT在工作时保持有源区具有足够的载流子浓度，降低终端区载流子浓度，从而优化集电区注入效率，提高器件的反偏安全工作区。该沟槽结构更有利于金属的粘附，可以优化背面集电极表面金属结构。
-
公开(公告)号：CN109004024A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810706963.1
申请日：2018-07-02
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网河北省电力有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体制作方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。该方法采取背面直接键合的方式，形成高压逆阻IGBT，所形成的器件能够实现高压反向耐压，且制作工艺与传统IGBT制造工艺兼容，工艺简单，可实施性强，克服了现有技术中高压逆阻IGBT制作困难、成本高昂等问题。
-
公开(公告)号：CN108091701A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711061804.2
申请日：2017-11-02
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了半导体器件及其制造方法，其中所述半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一导电类型；至少一个第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域上，并且所述第二半导体区域的表面与所述第一半导体区域的表面齐平，所述第二半导体区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；其中，所述第二半导体区域的所述表面内形成有至少一个凹陷区域，所述凹陷区域为具有所述第一导电类型的半导体材料。本发明实施例所提供的半导体器件能够在降低表面温度的同时缩短横向电阻区的长度，从而减小半导体器件的尺寸。
-
公开(公告)号：CN108074802A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611000087.8
申请日：2016-11-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/739 , H01L29/40
摘要： 本发明提供了一种金属电极制备方法及压接式IGBT，所述方法包括在衬底上淀积氧化层，且衬底上预设的压力接触区对应的氧化层的厚度大于预设的非压力接触区对应的氧化层的厚度；在氧化层上顺次淀积第一金属层和第二金属层，形成金属电极。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及压接式IGBT，其压力接触区对应的氧化层厚度大于非压力接触区对应的氧化层的厚度，可以减少压接式IGBT的沟道区承受的压力；同时，通过在衬底上顺次淀积第一金属层和第二金属层形成金属电极，能够增加压接式IGBT的金属层厚度，从而缓解整个压接式IGBT承受的压力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.04 秒)
