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公开(公告)号：CN108598011A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810444236.2
申请日：2018-05-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC分类号： H01L21/603
摘要： 本发明提供一种逆阻型IGBT的制造方法及逆阻型IGBT，在逆阻型IGBT的制造方法中，对支撑圆片进行背面键合后，对RB-IGBT芯片侧壁进行侧壁隔离加工。通过侧壁隔离加工，可实现高电压RB-IGBT芯片的反向耐压，进而可以实现高电压逆阻型IGBT的制造。同时，两次对支撑原片进行正面键合以及背面键合。通过两次的键合操作，可以实现直接侧壁扩散，从而大大缩短扩散隔离步骤中扩散所需要的时间，进而可以在较短时间内完成大厚度，高电压芯片的扩散操作，可实现高压(＞1700V)逆阻型IGBT芯片，拓宽了现有技术的电压范围。
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公开(公告)号：CN106816463B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201710029590.4
申请日：2017-01-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。
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公开(公告)号：CN108520870B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201810338518.4
申请日：2018-04-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/48
摘要： 本发明公开了一种功率器件封装结构，该封装结构包括上电极板、功率半导体器件芯片、下电极板，所述功率半导体器件芯片位于所述上电极板和下电极板之间，其特征在于，所述封装结构还包括第一弹性电极片和/或第二弹性电极片，所述第一弹性电极片位于所述上电极板与所述功率半导体器件芯片之间，所述第二弹性电极片位于所述下电极板与所述功率半导体器件芯片之间。该封装结构有效缓解了零部件加工公差带来的应力集中问题，在保证导电良好的前提下能够减小封装结构中芯片的受力，有效提高功率器件封装的可靠性；同时由于该弹性电极片是由弹性导电擦了或其他具有良好弹性和导电性的材料制成，还能提高对芯片的导热作用。
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公开(公告)号：CN108550567B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810339861.0
申请日：2018-04-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L29/10 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件，包括功率半导体芯片，所述功率半导体芯片包括栅极区和元胞区，其特征在于：所述元胞区内并联设置多个元胞，所述元胞包括元胞栅焊盘、元胞栅以及设置在元胞栅焊盘和元胞栅之间的第一电阻单元，所述栅极区内设置有栅电极和栅汇流条，每个元胞的所述元胞栅焊盘依次连接所述栅汇流条。本发明的功率半导体器件在每个元胞的元胞栅与该元胞的元胞栅焊盘之间引入元胞栅电阻，提高芯片内元胞之间的动态一致性，改善芯片内的均流特性。选择所述元胞栅电阻阻值大于所述汇流条寄生电阻阻值，能够进一步降低汇流条寄生电阻的影响，较好地提高芯片元胞之间动态一致性。
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公开(公告)号：CN108550567A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810339861.0
申请日：2018-04-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L29/10 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件，包括功率半导体芯片，所述功率半导体芯片包括栅极区和元胞区，其特征在于：所述元胞区内并联设置多个元胞，所述元胞包括元胞栅焊盘、元胞栅以及设置在元胞栅焊盘和元胞栅之间的第一电阻单元，所述栅极区内设置有栅电极和栅汇流条，每个元胞的所述元胞栅焊盘依次连接所述栅汇流条。本发明的功率半导体器件在每个元胞的元胞栅与该元胞的元胞栅焊盘之间引入元胞栅电阻，提高芯片内元胞之间的动态一致性，改善芯片内的均流特性。选择所述元胞栅电阻阻值大于所述汇流条寄生电阻阻值，能够进一步降低汇流条寄生电阻的影响，较好地提高芯片元胞之间动态一致性。
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公开(公告)号：CN107578998A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710606477.8
申请日：2017-07-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明提供了一种IGBT芯片制造方法及IGBT芯片，其中，IGBT芯片制造方法包括：在N型掺杂硅片衬底的表面淀积多晶硅层；在所述多晶硅层的图形中通过多次离子注入和高温推结的方式形成P阱层。本发明通过多次离子注入和高温推结的方式形成P阱层，这样在N区下方的P阱拥有更高的浓度，更加有利于改善抗闩锁能力，从而解决了现有技术中IGBT芯片在过电流关断过程中，容易发生动态闩锁现象的问题，提高了IGBT在过电流关断过程中的抗闩锁能力，同时背面采用局部掺杂或者氧化层隔离的方式，降低有源区边缘的电流集中，提高IGBT的过流关断能力。
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公开(公告)号：CN108630649B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201810712859.3
申请日：2018-06-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体器件封装结构及封装方法，该半导体器件封装结构，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；以及导电弹性部件，设置在所述半导体器件芯片与所述第一电极片之间和/或所述半导体器件芯片与所述第二电极片之间。该封装结构通过在半导体器件芯片与电极片之间设置导电弹性部件，通过该导电弹性部件缓冲并释放封装时施加在所述功率半导体器件芯片上的应力，有效保护功率半导体器件芯片不因局部受力过大而损坏，有效提高器件封装的可靠性，获得良好的封装和器件性能。
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公开(公告)号：CN108074802B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201611000087.8
申请日：2016-11-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/739 , H01L29/40
摘要： 本发明提供了一种金属电极制备方法及压接式IGBT，所述方法包括在衬底上淀积氧化层，且衬底上预设的压力接触区对应的氧化层的厚度大于预设的非压力接触区对应的氧化层的厚度；在氧化层上顺次淀积第一金属层和第二金属层，形成金属电极。与现有技术相比，本发明提供的一种金属电极制备方法及压接式IGBT，其压力接触区对应的氧化层厚度大于非压力接触区对应的氧化层的厚度，可以减少压接式IGBT的沟道区承受的压力；同时，通过在衬底上顺次淀积第一金属层和第二金属层形成金属电极，能够增加压接式IGBT的金属层厚度，从而缓解整个压接式IGBT承受的压力。
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公开(公告)号：CN108630649A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810712859.3
申请日：2018-06-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体器件封装结构及封装方法，该半导体器件封装结构，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；以及导电弹性部件，设置在所述半导体器件芯片与所述第一电极片之间和/或所述半导体器件芯片与所述第二电极片之间。该封装结构通过在半导体器件芯片与电极片之间设置导电弹性部件，通过该导电弹性部件缓冲并释放封装时施加在所述功率半导体器件芯片上的应力，有效保护功率半导体器件芯片不因局部受力过大而损坏，有效提高器件封装的可靠性，获得良好的封装和器件性能。
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公开(公告)号：CN108110040A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711061805.7
申请日：2017-11-02
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了功率半导体器件及其制造方法，其中所述功率半导体器件包括：第一半导体区域，其具有第一导电类型；至少一个第二半导体区域，设置在第一半导体区域上，并且第二半导体区域的表面与第一半导体区域的表面齐平，第二半导体区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型；第一绝缘层，设置在第一半导体区域和第二半导体区域的表面上；第一绝缘层上对应于第二半导体区域的位置设置有至少一个开口；第二半导体区域的表面内对应于开口的位置形成有至少一个凹陷区域，凹陷区域为具有第一导电类型的半导体材料。本发明实施例所提供的功率半导体器件能够在降低表面温度的同时缩短横向电阻区的长度，从而减小功率半导体器件的尺寸。
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