公开(公告)号：CN116230611A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111465401.0

申请日：2021-12-03

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 安运来 ,  张文婷 ,  杨霏 ,  桑玲 ,  刘瑞 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。

公开(公告)号：CN116106592A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202111333394.9

申请日：2021-11-11

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 杜泽晨 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： G01R1/073 ,  G01R31/28

摘要： 本发明提供一种探针台及IGBT芯片测试系统，探针台包括：导电载台，导电载台适于承载IGBT芯片且与IGBT芯片的集电极接触；绝缘支撑件，绝缘支撑件位于导电载台的侧部；绝缘升降件，绝缘升降件与导电载台相对设置并适于沿着绝缘支撑件作升降运动；探针组件，探针组件包括相互间隔的栅极探针和发射极探针，栅极探针的一端和发射极探针的一端分别贯穿绝缘升降件，栅极探针的相对端适于与IGBT芯片的栅极接触，发射极探针的相对端适于与IGBT芯片的发射极接触。探针台能够直接对IGBT芯片进行动态特性测试，避免了对IGBT芯片封装带来的寄生参数，提高了动态特性测试的结果的准确性。同时，还避免了对IGBT芯片进行封装，节约了封装成本。

公开(公告)号：CN115832052A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211475391.3

申请日：2022-11-23

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 安运来 ,  杨霏 ,  魏晓光 ,  桑玲 ,  张文婷 ,  牛喜平 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  李晨萌 ,  王鑫 ,  张淑娟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种胞内集成二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：碳化硅MOSFET器件以及漂移层远离衬底的表面设置的平滑的刻蚀凹槽，凹槽内部填充有肖特基接触金属，刻蚀凹槽的侧壁设有离子注入区，离子注入区顶部填充欧姆接触金属。通过实施本发明，在元胞内形成结势垒肖特基二极管，节约了芯片面积，显著改善器件第三象限特性，实现了低第三象限开启电压，避免了双极退化效应的发生；平滑的刻蚀凹槽结构可以避免电场集中，离子注入能够避免栅极击穿，同时在不改变电流通路的情况下，实现了通过结势垒肖特基二极管结构对裂栅的包裹和保护，降低了栅氧化层电场，增强了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN114242571A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111496268.5

申请日：2021-12-09

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张文婷 ,  安运来 ,  杨霏 ,  刘瑞 ,  朱涛 ,  桑玲 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨

IPC分类号： H01L21/04

摘要： 本发明提供一种半导体结构的制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面形成扩散膜，所述扩散膜中具有扩散原子；形成所述扩散膜之后，进行退火处理以使得所述扩散原子进入所述第一外延层中，所述扩散原子适于填补所述第一外延层中的原子空位。本发明将所述扩散膜中的扩散原子导入所述第一外延层填补所述第一外延层内部的空位，在降低所述第一外延层内的深能级缺陷，达到提升载流子寿命目的同时，避免了对所述第一外延层表面产生损伤，且实施方便，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN114563676A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210190179.6

申请日：2022-02-28

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 杜泽晨 ,  杨霏 ,  刘瑞 ,  田丽欣 ,  张一杰

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种MOSFET高温可靠性综合测试装置，包括：高温栅偏测试平台及高温反偏测试平台置于所述恒温箱内，恒温箱提供预设温度的恒温条件；电源模块为所述高温栅偏测试平台提供栅极电压、为高温反偏测试平台提供漏极电压；高温栅偏测试平台能同时对多个MOSFET进行栅偏测试，高温反偏测试平台能同时对多个MOSFET进行反偏测试；电流采集模块采集高温栅偏测试平台的测试电流、高温反偏测试的测试电流，从而实现对多个MOSFET同时进行高温栅偏测试或高温反偏测试，节省了测试时间，提高了测试效率。

公开(公告)号：CN115377189A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210867122.5

申请日：2022-07-22

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 安运来 ,  张文婷 ,  魏晓光 ,  杨霏 ,  桑玲 ,  牛喜平 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  李晨萌 ,  王鑫 ,  李宾宾

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/04

摘要： 本发明提供一种碳化硅器件终端结构及其制备方法，包括：在所述终端结构的外延层的上表面设有具有斜坡形状的斜面刻蚀区，所述斜面刻蚀区的高侧与置于所述外延层上的过渡区相接，所述斜面刻蚀区低侧为终端边缘；在所述终端边缘处设有N+注入截止环；在所述斜面刻蚀区上设有刻蚀沟槽；所述碳化硅器件终端结构的P型离子注入区域位于在所述刻蚀沟槽内，本发明将P型离子注入区域设置于斜面刻蚀区，并在刻蚀沟槽处进行注入可加深碳化硅器件终端结构的注入深度，通过斜面刻蚀终端技术和加深离子注入深度可以使电场分布趋于平缓，有效降低器件表面的局部电场，提高器件的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN117832088A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202211192976.4

申请日：2022-09-28

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 牛喜平 ,  魏晓光 ,  汤广福 ,  安运来 ,  桑玲 ,  张文婷 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  李晨萌 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET，包括：在碳化硅衬底上依次生长缓冲层和漂移区；基于多个预先制作的掩膜版，依次通过多个掩膜版分别进行多次离子注入，形成从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增加的集成二极管p区、pwell区和源极区域；其中，多个掩膜版根据注入区域的要求均具有从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增加的多个掩膜孔。本发明通过形成具有多组宽度从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增加集成二极管p区，可以增强二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，并且可以有效降低芯片中央的结温，从而使得降低结温的芯片中央和芯片边缘的温度差更小，因此芯片整体呈现的是相对均匀的温度。

公开(公告)号：CN115763249A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211189001.6

申请日：2022-09-28

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 张文婷 ,  牛喜平 ,  魏晓光 ,  杨霏 ,  朱涛 ,  安运来 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  桑玲 ,  李晨萌

IPC分类号： H01L21/334 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： 本发明提供一种碳化硅器件结终端结构的制备方法及结终端结构，包括：在碳化硅衬底层上形成外延层，并在所述外延层上沉积介质层；对所述介质层进行多次光刻和多次刻蚀处理，形成具有多种厚度的掩膜台阶；通过所述具有多种厚度的掩膜台阶向所述外延层进行离子注入，形成具有多种离子深度的结终端结构。通过具有多种厚度的掩膜台阶向外延层进行离子注入，形成具有多种离子深度的结终端结构，可以避免离子注入对碳化硅表面损伤，消除表面不可控的低浓度注入区域，提高了器件终端结构的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN216248084U

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202122761519.X

申请日：2021-11-11

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 杜泽晨 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： G01R1/073 ,  G01R31/28

摘要： 本实用新型提供一种探针台及IGBT芯片测试系统，探针台包括：导电载台，导电载台适于承载IGBT芯片且与IGBT芯片的集电极接触；绝缘支撑件，绝缘支撑件位于导电载台的侧部；绝缘升降件，绝缘升降件与导电载台相对设置并适于沿着绝缘支撑件作升降运动；探针组件，探针组件包括相互间隔的栅极探针和发射极探针，栅极探针的一端和发射极探针的一端分别贯穿绝缘升降件，栅极探针的相对端适于与IGBT芯片的栅极接触，发射极探针的相对端适于与IGBT芯片的发射极接触。探针台能够直接对IGBT芯片进行动态特性测试，避免了对IGBT芯片封装带来的寄生参数，提高了动态特性测试的结果的准确性。同时，还避免了对IGBT芯片进行封装，节约了封装成本。

公开(公告)号：CN219435813U

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202222583433.7

申请日：2022-09-28

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 牛喜平 ,  魏晓光 ,  汤广福 ,  安运来 ,  桑玲 ,  张文婷 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  李晨萌 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

摘要： 本实用新型提供一种碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底、生成在所述碳化硅衬底上的缓冲层、生长在所述缓冲层上的漂移区、在所述漂移区上设有从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增大的集成二极管p区、pwell区和源极区域；其中，所述源极区域包括：n+区和p+区，所述p+区嵌于所述n+区内部，所述n+区嵌于pwell区内部。本实用新型通过形成具有多组宽度从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增加集成二极管p区，可以增强二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，并且可以有效降低芯片中央的结温，从而使得降低结温的芯片中央和芯片边缘的温度差更小，因此芯片整体呈现的是相对均匀的温度。