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公开(公告)号：CN104865758A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510314353.3
申请日：2015-06-09
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： G02F1/134309 , G02F1/133514 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2001/13629 , H01L27/1214
摘要： 本发明公开一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及液晶显示装置，涉及显示技术领域，用于解决像素电极与漏极电连接处的电阻较大所导致的薄膜晶体管为像素电极充电的效率较低的问题。阵列基板包括衬底基板，在衬底基板上依次层叠地设置有源漏金属层和像素电极层；源漏金属层包括多个漏极，像素电极层包括多个与漏极对应的像素电极；对应的像素电极与漏极相互贴合。所述阵列基板的制作方法用于制作上述技术方案所提供的阵列基板。所述液晶面板包括上述技术方案所提供的阵列基板。所述液晶显示装置包括上述技术方案所提供的液晶面板。本发明提供的阵列基板及其制作方法、液晶面板及液晶显示装置用于液晶显示装置的生产中。
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公开(公告)号：CN105093823A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510300844.2
申请日：2015-06-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , G02F1/1343
摘要： 本发明的实施例提供一种狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板，属于显示器技术领域，用于解决现有技术中制作狭缝电极时刻蚀不干净的问题，该方法包括：在钝化层上形成第一光刻胶图案,第一光刻胶图案的形状与狭缝电极的狭缝的形状相对应；在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，狭缝电极图案上覆盖有第二光刻胶图案，第二光刻胶图案的形状与狭缝电极的形状相对应；对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离。本发明的实施例用于显示器的制造。
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公开(公告)号：CN102023428A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910093250.3
申请日：2009-09-23
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/84 , H01L21/28
摘要： 本发明实施例公开了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术，能够在不降低开口率的情况下提高存储电容。一种TFT-LCD阵列基板，包括玻璃基板以及形成在该玻璃基板上的像素电极、存储电容底电极，在所述像素电极和存储电容底电极之间形成有存储电容；其中，在所述存储电容底电极的表面以及与该存储电容底电极正对的像素电极区域形成有对应的凹凸结构。本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板及其制造方法适用于对TFT-LCD的存储电容进行改进。
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公开(公告)号：CN105609510B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610203341.8
申请日：2016-04-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及应用其的显示面板和显示装置。该阵列基板包括：显示区和非显示区，非显示区包括第一布线区、第二布线区；其中，第一布线区的布线用于与显示区的信号线和驱动集成电路相连，第二布线区的布线用于在旋转涂布光刻胶工艺中使光刻胶分布均匀。本发明通过第二布线区的布线设计，避免了光刻胶在显示区过度沉积，提高了光刻胶的均匀性。
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公开(公告)号：CN104362155B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410679820.8
申请日：2014-11-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1244
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。所述阵列基板上的信号线包括至少两个电性连接的导电层，当一个导电层发生断裂时，可以通过其他导电层传输信号，提高了信号线电性导通的可靠性，进而提高了显示装置的良率。进一步地，在阵列基板现有的多个导电层图案制作工艺中同时形成信号线的多个导电层，从而不需要单独制作信号线，简化了制作工艺。
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公开(公告)号：CN105609510A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610203341.8
申请日：2016-04-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L27/124 , H01L21/027 , H01L27/12 , H01L27/1262 , H01L27/1292
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及应用其的显示面板和显示装置。该阵列基板包括：显示区和非显示区，非显示区包括第一布线区、第二布线区；其中，第一布线区的布线用于与显示区的信号线和驱动集成电路相连，第二布线区的布线用于在旋转涂布光刻胶工艺中使光刻胶分布均匀。本发明通过第二布线区的布线设计，避免了光刻胶在显示区过度沉积，提高了光刻胶的均匀性。
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公开(公告)号：CN105225929A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510614255.1
申请日：2015-09-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L27/1288 , H01L21/02104 , H01L21/0273 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种膜层图案化的方法，该方法包括：首先在衬底基板表面形成待图案化膜层；然后在衬底基板搬运至刻蚀设备以对待图案化膜层进行图案化之前，于待图案化膜层表面形成用于阻挡异物的保护层；最后去除保护层并形成图案化掩膜，以图案化掩膜对待图案化膜层进行刻蚀形成图案化膜层。这样，这样带有保护层的待图案化膜层在搬运至刻蚀设备的过程中，直至进行刻蚀工艺前，都能够抵御异物与待图案化膜层粘连，可以有效地阻挡刻蚀过程中异物对待形成的图案化膜层的影响，达到提高产品良率的目的。
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公开(公告)号：CN104765180A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510218079.X
申请日：2015-04-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1339
CPC分类号： H01L27/1218 , G02F1/133351 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , G02F1/1339
摘要： 本发明提供一种显示母板、显示面板、显示装置，用于解决现有技术的显示母板在分割过程中切割不顺利的问题。本发明提供一种显示母板、显示面板、显示装置，由于在显示母板的切割区设有突起部，该突起部能在显示母板分割时使切割应力更加集中，减少了封框胶在基板上的粘附，从而使显示母板分割更加顺利。
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公开(公告)号：CN101819030B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910078644.1
申请日：2009-02-27
申请人： 北京京东方光电科技有限公司
发明人： 代伍坤
摘要： 本发明涉及一种磁控溅射靶材表面粗糙度的监测方法和系统。该方法包括：步骤1、在对靶材和基板之间施加电压以对基板进行镀膜之前，测试所述靶材当前状态下各测试区的表面粗糙度；步骤2、根据靶材当前状态下各测试区的表面粗糙度，生成靶材的表面粗糙度变化曲线，并将所述表面粗糙度变化曲线与预设的所述靶材的表面粗糙度标准变化曲线进行比较，获取所述靶材表面各测试区的粗糙度偏差；步骤3、在所述粗糙度偏差超出设定的阈值时，输出用于提示靶材表面粗糙度异常的报警信息；否则，输出用于提示靶材表面粗糙度正常的信息。本发明有利于降低由于靶材表面粗糙度异常导致产品不良的几率，提高磁控溅射靶表面粗糙度监测的及时性和效率。
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公开(公告)号：CN105093823B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201510300844.2
申请日：2015-06-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , G02F1/1343
摘要： 本发明的实施例提供一种狭缝电极的制造方法、狭缝电极及显示面板，属于显示器技术领域，用于解决现有技术中制作狭缝电极时刻蚀不干净的问题，该方法包括：在钝化层上形成第一光刻胶图案,第一光刻胶图案的形状与狭缝电极的狭缝的形状相对应；在形成有第一光刻胶图案的钝化层上形成狭缝电极图案，狭缝电极图案上覆盖有第二光刻胶图案，第二光刻胶图案的形状与狭缝电极的形状相对应；对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行剥离。本发明的实施例用于显示器的制造。
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