公开(公告)号：CN106298417A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510246785.5

申请日：2015-05-14

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 李冬冬 ,  郭浩 ,  徐奎 ,  陈鹏

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

摘要： 本发明提供了一种反应腔室及半导体加工设备。在所述反应腔室内设置有用于承载基片的基座以及压环；所述基座内设置有与背吹气源相连通的背吹管路；所述基座的上表面上设置有环形密封装置；当所述基座带动基片上升并将所述压环顶起时，所述压环叠压在基片的边缘区域，所述环形密封装置与所述基片的背面接触使得所述环形密封装置内侧的基座上表面与基片的背面形成密封空间，所述背吹气源提供的背吹气体经由所述背吹管路输送至所述密封空间内。本发明提供的反应腔室，可以在保证对基片有效冷却的前提下大大地降低工艺时间，从而可以提高半导体加工设备的产能，进而可以提高经济效益。

公开(公告)号：CN105695936A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410696531.9

申请日：2014-11-26

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 佘清 ,  陈鹏 ,  赵梦欣 ,  丁培军 ,  徐奎 ,  边国栋

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455 ,  C23F4/00

CPC分类号： H01L21/67028 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明提供的预清洗腔室及等离子体加工设备，包括腔体和设置在该腔体顶部的介质窗，在预清洗腔室内设置有基座和环绕在该基座周围的工艺组件，基座、工艺组件和介质窗共同在基座上方形成工艺子腔；腔体位于基座下方的空间用作装卸子腔，预清洗腔室还包括进气装置，该进气装置包括进气口，进气口用于自工艺组件的上方直接将工艺气体输送至工艺子腔内。本发明提供的预清洗腔室，其不仅可以缩短工艺气体的进气路径，而且还可以在通入较少工艺气体的前提下达到所需的等离子体密度，从而可以降低使用成本。

公开(公告)号：CN106876315A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510922012.4

申请日：2015-12-14

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 徐奎 ,  李冬冬 ,  陈鹏

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供的压环、预清洗腔室及半导体加工设备，其应用在预清洗腔室中，在该预清洗腔室内设置有基座，该基座包括用于承载晶片的承载面。压环用于利用自身重力压住晶片上表面的边缘区域，从而实现对所述晶片的固定；并且，通过向承载面与晶片的下表面之间输送冷却气体，来冷却晶片。并且，压环包括负重体和绝缘体，其中，负重体采用金属制作，以在输送冷却气体时，使压环的整体重量足以承受承载面与晶片下表面之间的气压。绝缘体包覆负重体，以避免等离子体轰击负重体。本发明提供的压环，其可以避免晶片的温度过高，从而不仅可以保证晶片质量，而且还可以缩短在完成预清洗工艺之后需要冷却晶片的时间，进而可以提高设备产能。