公开(公告)号：CN105336650A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410398681.1

申请日：2014-08-13

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 余志龙 ,  贾强 ,  李冬冬

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/68

摘要： 本发明提供一种片盒定位装置以及半导体加工设备，其包括：限位门，与片盒的侧框可旋转地连接，通过旋转限位门，而使其位于阻挡或非阻挡片盒中的晶片移动的第一位置或第二位置；定位机构，用于将限位门锁定在第一位置或第二位置，以及在需要取放片时，解除对限位门的锁定。本发明提供的片盒定位装置，其可以根据具体需要随时开启或关闭限位门，从而可以阻挡晶片相对于片盒移动，以避免发生晶片位置偏移或掉落，进而可以保证机械手能够正常取片。

公开(公告)号：CN106876315A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510922012.4

申请日：2015-12-14

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 徐奎 ,  李冬冬 ,  陈鹏

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供的压环、预清洗腔室及半导体加工设备，其应用在预清洗腔室中，在该预清洗腔室内设置有基座，该基座包括用于承载晶片的承载面。压环用于利用自身重力压住晶片上表面的边缘区域，从而实现对所述晶片的固定；并且，通过向承载面与晶片的下表面之间输送冷却气体，来冷却晶片。并且，压环包括负重体和绝缘体，其中，负重体采用金属制作，以在输送冷却气体时，使压环的整体重量足以承受承载面与晶片下表面之间的气压。绝缘体包覆负重体，以避免等离子体轰击负重体。本发明提供的压环，其可以避免晶片的温度过高，从而不仅可以保证晶片质量，而且还可以缩短在完成预清洗工艺之后需要冷却晶片的时间，进而可以提高设备产能。

公开(公告)号：CN105448790A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410398207.9

申请日：2014-08-13

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 贾强 ,  余志龙 ,  李冬冬

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/687 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种片盒定位装置以及半导体加工设备，其包括：限位门，与片盒的侧框可旋转地连接，通过旋转限位门，而使其位于阻挡或非阻挡片盒中的晶片移动的第一位置或第二位置；定位机构，用于在限位门旋转至第一位置时，锁定限位门；解锁机构，用于在需要取放片时解除定位机构对所述限位门的锁定。本发明提供的片盒定位装置，其可以阻挡晶片相对于片盒移动，从而可以避免发生晶片位置偏移或掉落，进而可以保证机械手能够正常取片。

公开(公告)号：CN104752275A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410432414.1

申请日：2014-08-28

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 吕峰 ,  张风港 ,  赵梦欣 ,  丁培军 ,  李冬冬 ,  文莉辉

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67207 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67739

摘要： 本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括至少两个反应舱、相互独立的至少两套进气系统和晶片传输装置，其中，至少两个反应舱设置在工艺腔室的内部，且沿其周向均匀分布，每个反应舱内构成独立的工艺环境；进气系统一一对应地向反应舱输送工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其单个工艺腔室可以同时进行两道以上的工序，从而不仅工艺腔室的结构紧凑、占地空间小，而且无需重新设计传输腔室的结构，从而可以降低设备的制造成本。

公开(公告)号：CN106298417A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510246785.5

申请日：2015-05-14

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 李冬冬 ,  郭浩 ,  徐奎 ,  陈鹏

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

摘要： 本发明提供了一种反应腔室及半导体加工设备。在所述反应腔室内设置有用于承载基片的基座以及压环；所述基座内设置有与背吹气源相连通的背吹管路；所述基座的上表面上设置有环形密封装置；当所述基座带动基片上升并将所述压环顶起时，所述压环叠压在基片的边缘区域，所述环形密封装置与所述基片的背面接触使得所述环形密封装置内侧的基座上表面与基片的背面形成密封空间，所述背吹气源提供的背吹气体经由所述背吹管路输送至所述密封空间内。本发明提供的反应腔室，可以在保证对基片有效冷却的前提下大大地降低工艺时间，从而可以提高半导体加工设备的产能，进而可以提高经济效益。

公开(公告)号：CN106350781A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510415835.8

申请日：2015-07-15

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 李冬冬 ,  赵梦欣 ,  刘菲菲 ,  耿波

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/68

摘要： 本发明提供一种工艺腔室及半导体加工设备，包括升降基座、衬环、压环、定位件和同心定位装置，升降基座是可升降的，用于通过上升将晶片传输至工艺位置进行工艺，或者通过下降将晶片传输至装卸位置进行取放片操作；压环用于在升降基座位于工艺位置时，压住晶片上表面的边缘区域；衬环用于在升降基座离开工艺位置时，支撑压环；同心定位装置，用于将衬环限定在与升降基座同心的位置处。本发明提供的工艺腔室，其可以避免压环偏心压在晶片上，从而可以提高工艺均匀性。

公开(公告)号：CN104752290A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310750767.1

申请日：2013-12-31

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 李冬冬

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67739 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供的升降系统及等离子体加工设备，其包括托架，在托架上表面上且沿其周向间隔均匀设置有至少三个顶针，基座位于托架的上方，驱动单元驱动基座上升或者下降，沿托架的周向间隔且均匀设置有至少三个支撑轴，每个支撑轴自托架的下表面贯穿托架，且托架可沿支撑轴进行上下移动，在每个支撑轴的外周壁上套置有弹性部件，且弹性部件位于托架和支撑轴的底端之间，在基座与托架接触时，借助驱动单元驱动基座下降可实现带动托架下降，并使弹性部件的高度在弹性范围内压缩；并借助驱动单元驱动基座上升使弹性部件的高度恢复，以实现托架在弹性部件高度恢复的恢复力下上升。其可以降低生产成本、提高工作效率；而且可以提高基片传输的稳定性。

公开(公告)号：CN104576491A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310484481.3

申请日：2013-10-16

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 李冬冬

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67011

摘要： 本发明提供一种顶针升降装置，所述顶针升降装置包括托架和顶针，其中：所述托架设置在腔室主体外，所述顶针下端穿过位于所述腔室主体的底壁上并与所述腔室主体内部相通的竖直引导孔，与所述托架连接，且所述顶针能够在所述竖直引导孔中随所述托架作竖直移动。相应地，本发明还提供一种反应腔室。本发明能够使得顶针有较为精确的竖直度，避免了顶针与基座发生接触而对基座的电路结构造成破坏，同时本发明还能够顶针位于同一水平高度，从而保证顶针支撑托盘或晶片时，托盘或晶片位于水平位置。