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公开(公告)号：CN100478901C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710301592.0
申请日：2007-12-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天时代电子公司第七七二研究所
IPC分类号： G06F11/00
摘要： 本发明公开了一种检测80C31单粒子效应的装置，电源模块分别给主测CPU和被测80C31供电，电流采集卡采集供给被测80C31的电流，并将采集的电流值发送给上位机，当所述的电流值超过预先设定的阈值时，发生闩锁，上位机发送指令给电源模块，由电源0模块将被测80C31断电，主测CPU通过串口从上位机接收测试程序代码，并将接收到的代码写入SRAM中，被测80C31从SRAM中读取代码，被测80C31根据读取的代码运行测试程序，并将程序运行结果暂存在双口RAM中，主测CPU从双口RAM中提取运行结果，将发生单粒子翻转的结果发送给上位机。本发明实现了测试程序的在线下载及修改，且测试内容全面、装置可靠性高。
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公开(公告)号：CN101281555A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810113439.X
申请日：2008-05-28
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天时代电子公司第七七二研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种验证抗单粒子效应能力的故障注入系统及其方法，制作故障单元库模块将目标电路的工艺单元库修改成目标电路的故障单元库；实施故障注入模块修改目标电路的门级HDL代码，生成无故障电路和故障电路，并将修改后的代码映射到故障单元库上，统计所述代码的故障端的数目并发送给故障控制信号模块；同步电路实现仿真电路模块和故障控制信号模块时钟同步；故障控制信号模块产生故障控制信号，并发送给仿真电路模块中的故障电路；仿真电路模块载入无故障电路和故障电路，提供输入信号给两个电路，提供控制信号给无故障电路，并将两个电路的输出进行比较，将比较结果、故障控制信号发送给统计分析模块进行记录，统计分析模块计算每个节点的错误率或敏感度信息。
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公开(公告)号：CN100576221C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810113439.X
申请日：2008-05-28
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天时代电子公司第七七二研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种验证抗单粒子效应能力的故障注入系统及其方法，制作故障单元库模块将目标电路的工艺单元库修改成目标电路的故障单元库；实施故障注入模块修改目标电路的门级HDL代码，生成无故障电路和故障电路，并将修改后的代码映射到故障单元库上，统计所述代码的故障端的数目并发送给故障控制信号模块；同步电路实现仿真电路模块和故障控制信号模块时钟同步；故障控制信号模块产生故障控制信号，并发送给仿真电路模块中的故障电路；仿真电路模块载入无故障电路和故障电路，提供输入信号给两个电路，提供控制信号给无故障电路，并将两个电路的输出进行比较，将比较结果、故障控制信号发送给统计分析模块进行记录，统计分析模块计算每个节点的错误率或敏感度信息。
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公开(公告)号：CN101196837A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710301592.0
申请日：2007-12-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天时代电子公司第七七二研究所
IPC分类号： G06F11/00
摘要： 本发明公开了一种检测80C31单粒子效应的装置，电源模块分别给主测CPU和被测80C31供电，电流采集卡采集供给被测80C31的电流，并将采集的电流值发送给上位机，当所述的电流值超过预先设定的阈值时，发生闩锁，上位机发送指令给电源模块，由电源0模块将被测80C31断电，主测CPU通过串口从上位机接收测试程序代码，并将接收到的代码写入SRAM中，被测80C31从SRAM中读取代码，被测80C31根据读取的代码运行测试程序，并将程序运行结果暂存在双口RAM中，主测CPU从双口RAM中提取运行结果，将发生单粒子翻转的结果发送给上位机。本发明实现了测试程序的在线下载及修改，且测试内容全面、装置可靠性高。
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公开(公告)号：CN117811581A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311596125.0
申请日：2023-11-27
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种应用于高速模数转换器的JESD204B物理层输出电压自动校准电路，在传统JESD204B物理层输出接口电路结构基础上，本发明通过增加电压自动校准电路，用以减小电路中电源电压以及环境温度对物理层输出电压的影响，提高输出电压稳定性，解决了传统JESD204B物理层输出接口电路性能易受制约、非理想因素影响较大的问题。
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公开(公告)号：CN116318139A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211058788.2
申请日：2022-08-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明提供了一种可校准输出失调的折叠插值架构ADC预放大阵列电路，该电路包括校准逻辑控制电路、基准参考电压DAC、校准电流舵DAC电路和预放大器阵列电路；预放大器阵列电路的每个放大器差分正输出端并联连接正输出端校准电阻、负输出端并联连接负输出端校准电阻；校准逻辑控制电路，用于生成基准电压信号Vc ，并比较由基准电压信号引起的Vc ADC内核的输出Vo 和基准电压信号Vc ，得到校准向量D ，将校准向量D 转换为失调校准控制码Q0 ‑Qm ；校准电流舵DAC电路产生与校准向量相关的差分电流信号，该差分电流信号等比例镜像后注入到校准电阻上对预放大器的输出进行误差补偿。
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公开(公告)号：CN105445640B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510825255.6
申请日：2015-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R31/265
摘要： 基于脉冲激光设备的不同测试指令集的单粒子敏感性判定方法，考虑器件不同测试测试指令集之间的差异性以及应用环境的多样性，通过在不同测试指令集下进行脉冲激光单粒子试验，可以得到不同测试指令集之间的单粒子敏感系数，然后只需要在重离子加速器下进行某一测试指令集的单粒子辐照试验，通过计算就可以判定其他测试指令集下的单粒子辐照试验结果。这一方法解决了重离子机时紧张等不足，利用脉冲激光的机时灵活，操作简便，获取数据方便的优点，能够较好的解决单粒子敏感性判定中遇到的难题。
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公开(公告)号：CN117081570A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311014478.5
申请日：2023-08-11
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种片上电阻校准电路。该电路包括读出电路模块、计数器电路模块、校准控制电路模块、外部参考电阻。读出电路中的电流镜分别在外部参考电阻和片上可调电阻电路两端产生两个电压，读出电路模块通过比较这两个电压产生高低电平信号，计数器电路模块根据比较器输出的高低电平信号调整其计数值，进而输出可变的数字控制信号，控制读出电路中的片上可调电阻电路，当读出电路中的片上可调电阻两端电压和外部参考电阻两端电压相等时，片上可调电阻调整到期望值，读出电路中的比较器输出的高低电平信号发生变化，此时计数器电路中的锁存器输出的数字控制信号调整片上可调电阻，使得片上可调电阻达到期望值，从而完成片上电阻校准。
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公开(公告)号：CN107167725B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710201165.9
申请日：2017-03-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
发明人： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC分类号： G01R31/3183
摘要： 本发明公开了一种快速低开销全自动数字集成电路单粒子故障注入系统，包括人机操作界面、故障注入器，其中故障注入器包括：故障电路网表代码生成模块、功能向量和故障随机信号产生模块、仿真统计和计算输出模块。本发明实现了单粒子故障注入的全自动进行，同时对过程文件进行了实时处理，避免了存储量过大造成的内存爆炸对仿真性能造成影响，降低了用于仿真的计算器的开销。
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公开(公告)号：CN107167725A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710201165.9
申请日：2017-03-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
发明人： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC分类号： G01R31/3183
摘要： 本发明公开了一种快速低开销全自动数字集成电路单粒子故障注入系统，包括人机操作界面、故障注入器，其中故障注入器包括：故障电路网表代码生成模块、功能向量和故障随机信号产生模块、仿真统计和计算输出模块。本发明实现了单粒子故障注入的全自动进行，同时对过程文件进行了实时处理，避免了存储量过大造成的内存爆炸对仿真性能造成影响，降低了用于仿真的计算器的开销。
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