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公开(公告)号：CN112599166B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202011519716.4
申请日：2020-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C11/417 , G11C11/418 , G11C7/22
摘要： 本发明公开了一种用于高速SRAM的高可靠可编程复制位线时钟控制系统，包括：时钟控制电路，用于根据外部读字线控制信号RWL产生字线选通信号SWL，根据复制位线电位RBL产生灵敏放大器使能信号SAE；可编程复制位线，用于根据字线选通信号SWL对可编程复制位线中的预充管和放电单元进行协同控制，并输出实时的复制位线电位RBL；存储单元阵列，用于根据灵敏放大器使能信号SAE，进行读操作。本发明克服了常规复制位线控制电路的问题，消除了在特殊读字线输入条件下引发的不必要功耗损失和读控制时序异常，大幅提高了可编程复制位线结构的操作可靠性，降低了各工作条件下的功耗开销。
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公开(公告)号：CN113128156A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110432103.5
申请日：2021-04-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统，包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源，该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强，对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113128156B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110432103.5
申请日：2021-04-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统，包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源，该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强，对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112599166A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011519716.4
申请日：2020-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C11/417 , G11C11/418 , G11C7/22
摘要： 本发明公开了一种用于高速SRAM的高可靠可编程复制位线时钟控制系统，包括：时钟控制电路，用于根据外部读字线控制信号RWL产生字线选通信号SWL，根据复制位线电位RBL产生灵敏放大器使能信号SAE；可编程复制位线，用于根据字线选通信号SWL对可编程复制位线中的预充管和放电单元进行协同控制，并输出实时的复制位线电位RBL；存储单元阵列，用于根据灵敏放大器使能信号SAE，进行读操作。本发明克服了常规复制位线控制电路的问题，消除了在特殊读字线输入条件下引发的不必要功耗损失和读控制时序异常，大幅提高了可编程复制位线结构的操作可靠性，降低了各工作条件下的功耗开销。
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公开(公告)号：CN111192619A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911360816.4
申请日：2019-12-25
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C17/18
摘要： 一种基于栅氧击穿型反熔丝存储阵列的编程系统及方法，通过包括编程控制模块、数据存储模块、反熔丝单元编程模块、数据判断模块的编程系统，采用对原始数据进行写入并对编程后数据进行判断的方法，检验首次编程成功率并对失败部分进行标记，对标记后数据单独进行重复编程以保证编程电压、电流更加集中于未编程成功单元，可大幅提高编程成功率，并进一步减少击穿电路的离散性，提高数据读出可靠性。
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