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公开(公告)号：CN109815099B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201811625181.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F11/34
Abstract: 本发明涉及一种JESD204B控制器验证方法，包括步骤：(1‑1)、建立从待验证JESD204B控制器发送端到基准接收模块的发送验证链路；(1‑2)、建立从基准发送模块到待验证JESD204B控制器接收端的接收验证链路；(1‑3)、进行链路层验证，验证待验证JESD204B控制器的链路码组同步、初始化通道对齐功能是否正确；(1‑4)、进行传输层验证，验证待验证JESD204B控制器链路配置数据是否与JESD204B协议一致、采样数据与帧数据的映射功能是否正确；(2‑1)、待逻辑功能仿真验证通过后，将待验证的JESD204B控制器发送端和接收端代码下载到发送验证系统对应的FPGA中，完成板级实测验证。本发明结合仿真和上板调试模拟JESD204B控制器应用条件，提高JESD204B控制器验证的完备性和准确性。
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公开(公告)号：CN114692540A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210406688.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/343
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的FLASH应用验证系统，包括PC机、FPGA应用验证板、FLASH子板。FPGA应用验证板设有两个FPGA芯片；每个FPGA芯片都与FLASH相连，可独立访问FLASH，对其进行验证操作；每个FPGA外接大容量160MbSRAM；更换FLASH子板可验证NOR_FLASH和SPI_FLASH。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，JTAG功能验证，数字逻辑验证，读写功能验证。本发明验证功能全面、通用性强，对一系列FLASH的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111739574A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010507063.1
申请日：2020-06-05
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种基于随机二进制序列的静态随机存取存储器验证方法，首先计算SRAM存储器地址位宽和数据位宽等器件参数；然后产生SRAM存储器写操作地址；利用正随机二进制序列和反随机二进制序列对SRAM存储器进行验证，分析统计结果，完成SRAM存储器的功能测试。本发明使用随机二进制序列控制SRAM存储器的读写操作，模拟应用条件下的读取地址和数据，增强存储器测试验证与应用条件的契合度，同时可验证存储器在高速应用条件下的带宽能力，提高存储器功能验证的完备性。
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公开(公告)号：CN113128156B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110432103.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统，包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源，该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强，对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116246680A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310170744.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种PROM编程器，包括PC机、PROM编程板、PROM子板和程控电源。FPGA编程板设有FPGA芯片，电平转换芯片；FPGA通过电平转换芯片与PROM芯片进行数据交互，通过电平转换芯片的逻辑控制端对IO端口进行方向控制，实现反熔丝PROM编程操作。PROM编程板和PROM子板连接后具备自检查空功能、文件加载、编程及校验功能、JTAG功能验证和电流特性验证、信息记录等功能。本发明验证功能全面、编程成功率极高，对提高反熔丝PROM的编程成功率和准确性具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111739574B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010507063.1
申请日：2020-06-05
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种基于随机二进制序列的静态随机存取存储器验证方法，首先计算SRAM存储器地址位宽和数据位宽等器件参数；然后产生SRAM存储器写操作地址；利用正随机二进制序列和反随机二进制序列对SRAM存储器进行验证，分析统计结果，完成SRAM存储器的功能测试。本发明使用随机二进制序列控制SRAM存储器的读写操作，模拟应用条件下的读取地址和数据，增强存储器测试验证与应用条件的契合度，同时可验证存储器在高速应用条件下的带宽能力，提高存储器功能验证的完备性。
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公开(公告)号：CN116248139A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310147908.4
申请日：2023-02-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明涉及一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路，包括共模变换电路、预放大电路、type1和type2控制电路、迟滞比较器电路和差分转单端电路。共模变换电路对宽共模范围的输入信号进行压缩处理；预放大电路识别并放大压缩后的差分信号；type1和type2控制电路控制MLVDS接收器的工作模式；迟滞比较器在对差模信号放大的同时引入了迟滞功能，实现对差模噪声的抑制，提供电路抗干扰能力；差分转单端电路完成差分信号到单端信号的转换。本发明提供的一种基于BiCMOS工艺的MLVDS接收器电路，该电路通过BiCMOS工艺实现，通过电阻分压网络可以实现宽共模范围的输入，同时实现type1和type2两种工作模式，满足MLVDS标准要求。
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公开(公告)号：CN113128156A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110432103.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统，包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源，该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强，对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116170005A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211236955.8
申请日：2022-10-10
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 本发明一种适用MLVDS驱动器的冷备份和压摆率控制电路，该电路包括预驱动电路、冷备份电路和MLVDS输出驱动电路。预驱动电路输出端连接输出级电路，冷备份电路是输出级电路的一部分。预驱动电路用于产生8相等延迟开关信号，相邻两相开关信号的延迟差为TD，8相开关信号分别控制输出级电路中不同尺寸的MOS管是否导通；冷备份电路实现在电源浮空或接地条件下，输出端口耐正高压/负压漏电；MLVDS输出驱动电路用于提供足够大的驱动能力，同时在外部负载两端产生差分信号。
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公开(公告)号：CN109815099A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811625181.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F11/34
Abstract: 本发明涉及一种JESD204B控制器验证方法，包括步骤：(1-1)、建立从待验证JESD204B控制器发送端到基准接收模块的发送验证链路；(1-2)、建立从基准发送模块到待验证JESD204B控制器接收端的接收验证链路；(1-3)、进行链路层验证，验证待验证JESD204B控制器的链路码组同步、初始化通道对齐功能是否正确；(1-4)、进行传输层验证，验证待验证JESD204B控制器链路配置数据是否与JESD204B协议一致、采样数据与帧数据的映射功能是否正确；(2-1)、待逻辑功能仿真验证通过后，将待验证的JESD204B控制器发送端和接收端代码下载到发送验证系统对应的FPGA中，完成板级实测验证。本发明结合仿真和上板调试模拟JESD204B控制器应用条件，提高JESD204B控制器验证的完备性和准确性。
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