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公开(公告)号:CN117995676A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202211358623.7
申请日:2022-11-01
申请人: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L21/308 , H01L29/06
摘要: 一种制备平缓的碳化硅斜面的方法及终端结构,包括:在碳化硅晶圆表面生长掩膜介质层,在所述掩膜介质层上旋涂光刻胶,并对所述光刻胶进行光刻处理,得到具有预设倾角的斜面形貌的光刻掩膜;基于所述光刻掩膜,对所述掩膜介质层进行湿法腐蚀,得到具有所述倾角的掩膜介质层形貌;根据所述掩膜介质层形貌对应的倾角,对所述碳化硅晶圆进行干法刻蚀,得到具有目标倾角的碳化硅斜坡。本发明通过将湿法腐蚀和干法腐蚀进行结合,对碳化硅晶圆进行全面刻蚀,最终得到一个平缓的碳化硅斜面;通过本发明的方法能够获得一个平缓的斜面碳化硅形貌,且这种形貌用于终端时,可以使曲率半径变大,电场分散,可以较好的减轻主结电场集中效应。
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公开(公告)号:CN118039467A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202211366766.2
申请日:2022-11-01
申请人: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L21/265 , H01L29/06
摘要: 一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件,包括:选取平行于晶圆主晶轴或垂直于原子密度较小晶面的离子注入方向;根据所述离子注入方向对预设温度的晶圆进行倾斜和/或旋转处理,并在处理后的晶圆上进行离子注入。本发明通过选取平行于晶圆主晶轴,或垂直于原子密度较小晶面的注入方向进行注入,就可以利用隧道效应,使得杂质离子通过晶格间隙的通道时不与电子和原子核发生碰撞,能量损失减少,最终停留在更深的地方,从而有效的解决了由于注入能量限制导致的注入深度受限的问题。
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公开(公告)号:CN111710599A
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN202010620297.7
申请日:2020-06-30
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L21/285 , H01L21/263
摘要: 本发明涉及碳化硅器件领域,具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法;包括以下步骤:对碳化硅样片进行标准清洗;采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击;在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层;对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用等离子体对碳化硅样片表面进行离子轰击,改变了碳化硅样片的表面状态,在碳化硅和金属界面引入了一系列的受控界面态,从而使得可以在受控的条件下,降低金属和碳化硅之间的有效势垒高度,进而对金属与碳化硅之间的载流子跃迁或遂穿起到有效地辅助作用,提高载流子通过势垒的输运效率,显著提高碳化硅与金属的欧姆接触效果,降低接触电阻,形成良好的碳化硅欧姆接触。
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公开(公告)号:CN110349839B
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN201910540297.3
申请日:2019-06-21
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/285
摘要: 本发明属于碳化硅制备技术领域,具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理,然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层,经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层,得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅;本发明采用ALD,通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层,经合金化热处理后形成Ti3SiC2层,可以降低界面处势垒的高度,与碳化硅外延片形成欧姆接触,该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应,减少了碳富集和空隙等问题的出现。
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公开(公告)号:CN110349839A
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201910540297.3
申请日:2019-06-21
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/285
摘要: 本发明属于碳化硅制备技术领域,具体涉及一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法。该方法包括对碳化硅外延片进行前清洗和预处理,然后采用原子层沉积工艺在碳化硅外延片上依次形成3TiC/SiC层、3TiC/xSiC层和TiC层,经合金化热处理后依次形成Ti3SiC2层、过渡层和TiC层,得到具有欧姆接触特性的p/n型碳化硅;本发明采用ALD,通过控制摩尔比在碳化硅外延片上形成3TiC/SiC层,经合金化热处理后形成Ti3SiC2层,可以降低界面处势垒的高度,与碳化硅外延片形成欧姆接触,该方法避免了沉积过程与碳化硅外延片中的SiC晶圆发生合金化反应,减少了碳富集和空隙等问题的出现。
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公开(公告)号:CN112002637A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN202010686412.0
申请日:2020-07-16
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L21/3065 , H01L21/304
摘要: 本发明涉及一种大功率电力电子器件晶圆的裂片方法,包括:将所述晶圆正面的刻蚀区域采用等离子刻蚀的方式形成裂片凹槽,采用裂片机从所述晶圆背面对准所述裂片凹槽进行裂片,形成裂片道,基于所述裂片道对所述晶圆进行扩膜,本方法有效解决传统砂轮划片的划片道较宽、耗材损耗高、崩边不容易控制和激光划片导致的钝化层损伤、可靠性降低的技术问题。
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公开(公告)号:CN118039454A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202211366740.8
申请日:2022-11-01
申请人: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网山西省电力公司信息通信分公司
摘要: 一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件,包括:在衬底晶圆上通过等离子体增强化学的气相沉积方法生长设定厚度的二氧化硅介质层;将所述二氧化硅介质层放置在包含氧气的气体氛围内,在退火温度大于预设温度条件下进行退火处理,形成致密的二氧化硅薄膜。本发明通过在包含氧气的气体氛围内,使退火温度大于预设温度条件下,通过大于预设温度的退火温度、退火时间以及包含氧气的气体氛围内对二氧化硅介质层进行退火,从而可以使二氧化硅介质层中处于畸变位置的一些原子,恢复到正常状态,可以进一步消除冻结的缺陷,发生各种再结晶,从而导致晶粒增大晶界减少,提高二氧化硅薄膜的致密性。
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公开(公告)号:CN117096014A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202211687933.3
申请日:2022-12-27
申请人: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L21/311
摘要: 一种半导体器件的刻蚀方法,包括如下步骤:晶圆打标号,晶圆清洗,保护层的形成,涂胶工艺,在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理,在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上,形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光,曝光后显影,刻蚀,去胶,清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹,提高光刻胶的致密性和均匀性,达到精准刻蚀的目的。
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公开(公告)号:CN115832052A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202211475391.3
申请日:2022-11-23
申请人: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L29/78 , H01L21/336
摘要: 本发明公开了一种胞内集成二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法,该器件包括:碳化硅MOSFET器件以及漂移层远离衬底的表面设置的平滑的刻蚀凹槽,凹槽内部填充有肖特基接触金属,刻蚀凹槽的侧壁设有离子注入区,离子注入区顶部填充欧姆接触金属。通过实施本发明,在元胞内形成结势垒肖特基二极管,节约了芯片面积,显著改善器件第三象限特性,实现了低第三象限开启电压,避免了双极退化效应的发生;平滑的刻蚀凹槽结构可以避免电场集中,离子注入能够避免栅极击穿,同时在不改变电流通路的情况下,实现了通过结势垒肖特基二极管结构对裂栅的包裹和保护,降低了栅氧化层电场,增强了器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN118039472A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202211358217.0
申请日:2022-11-01
申请人: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: H01L21/308 , H01L29/06
摘要: 一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构,包括:在SiC衬底表面依次沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜;对所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜进行湿法侧向腐蚀,得到具有预设角度台面的第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜;基于所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜,对所述SiC衬底进行干法刻蚀,得到具有目标角度台面的SiC衬底;其中,所述第一SiO2薄膜的致密度大于所述第二SiO2薄膜的致密度;本发明通过将湿法腐蚀和干法刻蚀相结合能够有效实现二氧化硅台阶形貌转移,最终得到小角度、底部平缓、侧壁光滑的SiC台面,进而提高刻蚀小角度SiC平缓台面的制备效率。
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