公开(公告)号：CN118039467A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211366766.2

申请日：2022-11-01

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 葛欢 ,  王锐 ,  朱涛 ,  常树丞 ,  李青岭 ,  严静融 ,  阎海亮 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/06

摘要： 一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件，包括：选取平行于晶圆主晶轴或垂直于原子密度较小晶面的离子注入方向；根据所述离子注入方向对预设温度的晶圆进行倾斜和/或旋转处理，并在处理后的晶圆上进行离子注入。本发明通过选取平行于晶圆主晶轴，或垂直于原子密度较小晶面的注入方向进行注入，就可以利用隧道效应，使得杂质离子通过晶格间隙的通道时不与电子和原子核发生碰撞，能量损失减少，最终停留在更深的地方，从而有效的解决了由于注入能量限制导致的注入深度受限的问题。

公开(公告)号：CN117238766A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311238579.0

申请日：2023-09-25

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 孙俊敏 ,  朱涛 ,  蔡依沙 ,  葛欢 ,  张丙可 ,  白雪 ,  周行 ,  董佳俊 ,  王海兴 ,  王锐 ,  常树丞 ,  李哲洋 ,  金锐

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  C09K13/08

摘要： 本发明提供了一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在有氧化膜和高温退火镍金属膜的晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；旋涂光刻胶、进行光刻处理；对铝金属层进行腐蚀；配制钛腐蚀液，对金属钛层进行腐蚀；去除所述光刻胶膜，得到所述金属钛铝层的窗口形貌为预设形状。所述方法达到了既完成金属腐蚀，又不影响腐蚀区域的高温镍膜，氧化膜腐蚀量不影响芯片性能的目的。

公开(公告)号：CN115763236A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211350789.4

申请日：2022-10-31

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 焦倩倩 ,  朱涛 ,  董佳俊 ,  王锐 ,  李青岭 ,  李嘉琳 ,  阎海亮 ,  杨霏 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  王鑫 ,  金雨楠

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  B24B7/22 ,  B24B27/00

摘要： 本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构，包括：基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层；对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理；在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上沉积金属加厚层；对碳化硅晶圆正面进行机械划片，将所述碳化硅晶圆裂片分离成单个小芯片。本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理，再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理，可有效降低晶圆翘曲释放应力，从而降低碎片率，为后续采用机械划片提供了可能，避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题，进一步的提高了整个工艺的稳定性和芯片良率。

公开(公告)号：CN116505546A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310651207.4

申请日：2023-06-05

申请人： 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 ,  国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司 ,  南京理工大学

发明人： 解兵 ,  贾俊 ,  徐珂 ,  谢云云 ,  王锐 ,  杨旎 ,  杨振伟 ,  陈诚 ,  翁蓓蓓

IPC分类号： H02J3/18 ,  H02J3/24 ,  H02J3/16

摘要： 本发明属于电力系统运行和发电技术领域，提供了一种高惯量调相机运行系统及改造方法，包括调相机、汽轮机和启动设备，其中，调相机与汽轮机保持硬性连接状态，由调相机带动汽轮机同步运行；调相机与电网连接，通过电网拖动调相机运行，汽轮机的主汽门关闭，且汽轮机的气缸内抽真空运行；启动设备将调相机和汽轮机一起拖动至额定转速以上，满足高惯量调相机启动要求。本发明克服了当前传统调相机对电力系统转动惯量支撑不足，不利于电力系统安全稳定运行的问题，不仅为电力系统提供动态无功支撑，还为电力系统提供同容量调相机2‑5倍的惯量支撑。

公开(公告)号：CN117291360A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311112943.9

申请日：2023-08-31

申请人： 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 ,  国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司

发明人： 徐珂 ,  贾俊 ,  解兵 ,  王锐 ,  朱鑫要 ,  杨旎 ,  王大江 ,  杨振伟 ,  李铮 ,  陈诚 ,  赵静波 ,  翁蓓蓓 ,  吴盛军 ,  贾宇乔 ,  李文博

IPC分类号： G06Q10/0631 ,  G06Q10/0637 ,  G06Q50/06

摘要： 本发明公开一种一体化资源自调度方法及装置，方法包括以下步骤：首先建立基于岭回归的光伏发电误差估计方法，估计各时刻的光伏聚合条件误差期望，并修正模糊集的原始期望。其次，基于一个新的矩不确定模糊集，提出面向一体化资源自调度的两阶段调度模型，调度以净利润最优为目标，其中包含：一体化资源的本地和参与市场的获利最大、一体化资源运行成本最小以及在最劣场景下处理不确定性的成本最优。通过自调度模型，可以实现一体化资源平台的收益最大化，提升参与电网的积极性。

公开(公告)号：CN116259517A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310269494.2

申请日：2023-03-16

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 阎海亮 ,  李玲 ,  魏晓光 ,  朱涛 ,  李青岭 ,  李嘉琳 ,  王锐 ,  杨霏 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC分类号： H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67

摘要： 一种半导体离子注入机的智能化作业系统和方法，所述系统包括：半导体离子注入机、KVM切换器、搭载RPA流程自动化模块的远程操控服务器或电脑；所述离子注入机能够对半导体工艺进行离子注入，被单独操作运行作业；所述KVM切换器用于把离子注入机切换到远程操控端服务器或电脑，通过网络通讯将离子注入机和远程操控端的服务器或电脑串联起来，远程操控服务器或电脑通过KVM切换器控制离子注入机的远程界面；所述RPA流程自动化模块搭载到远程操控端服务器或电脑，包括OCR文字识别单元、流程编辑单元、CV视觉处理单元、Dashboard单元。本发明大幅降低了人工工作的强度和时长、作业时的辐射风险，提升半导体离子注入机的作业效率。

公开(公告)号：CN115584469A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211118561.2

申请日：2022-09-13

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 董佳俊 ,  李青岭 ,  赵万利 ,  李旭晗 ,  王锐 ,  常树丞 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/24 ,  C23C28/00

摘要： 本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法，所述方法包括如下步骤：金属淀积，对完成介质层台阶蚀刻的碳化硅晶圆进行溅射形成金属层；反溅射，采用氩离子轰击所述金属层以消除台阶间的封口；重复所述金属淀积和反溅射直至碳化硅台阶覆盖厚度达到设计要求。本发明通过反溅射对台阶上部和台阶间槽口的金属层进行刻蚀以达到清除台阶间槽口的金属层以避免槽口过早闭合；通过多次金属淀积和反溅射的循环加工实现了提高台阶底部填充厚度避免槽口封闭的有益技术效果。

公开(公告)号：CN117498208A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311442587.7

申请日：2023-11-01

申请人： 国网辽宁省电力有限公司本溪供电公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 胡岩 ,  余开军 ,  郭昱宏 ,  王强 ,  王锐 ,  张东 ,  宫海林 ,  汪洋

IPC分类号： H02G1/00 ,  H02G1/02

摘要： 本发明公开了一种66kV线路带电提升导线限位后备保护装置，包括外壳体；还包括夹线机构、固定机构，所述夹线机构设置在所述外壳体的上端，所述夹线机构包括固定安装在所述外壳体上端的第一支撑杆和第二支撑杆，所述第二支撑杆上端设置有卡扣夹，所述固定机构包括转动安装在外壳体上端的安装杆和转动安装在所述安装杆上端的固定杆，所述固定杆滑动安装在所述第一支撑杆和所述第二支撑杆之间，所述固定杆的上端设置有动触片。该66kV线路带电提升导线限位后备保护装置，设置有两个后背保护结构，两个后背保护结构前后设置，导线即可同时被两个后背保护结构卡接住，导线和引线卡接在一起，操作简单，使用便捷，无需人工一直手持，减少了触电的风险。

公开(公告)号：CN117477662A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311373489.2

申请日：2023-10-23

申请人： 国网河南省电力公司经济技术研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 郭建宇 ,  李锰 ,  马杰 ,  孙义豪 ,  张又文 ,  景川 ,  杨卓 ,  李科 ,  郭勇 ,  全少理 ,  苗福丰 ,  齐升强 ,  贾淋茗 ,  张艺涵 ,  于昊正 ,  皇甫霄文 ,  樊江川 ,  王锐 ,  刘洋 ,  王洋 ,  李斐

IPC分类号： H02J3/46 ,  H02J3/48 ,  H02J3/50

摘要： 本发明公开了一种配电网多逆变器分布式抗扰协同控制器及控制方法，属于配电网运行控制技术领域，其包括：数据量测模块，用于量测配电网逆变器的并网点电压；扰动观测模块，与所述数据量测模块连接，用于将配电网逆变器i的并网点电压作为输入量，生成综合扰动估计值和逆变器电压信息向量；分布式协同控制模块，与所述扰动观测模块连接，根据逆变器与逆变器的电压信息向量、参考电压向量，生成逆变器与相邻逆变器之间的电压信息误差向量；反馈控制补偿模块，用于根据综合扰动估计值、逆变器与相邻逆变器之间的电压信息误差向量，通过反馈补偿控制律计算生成逆变器的电压控制输入信号。本发明实现配电网多逆变器系统的电压稳定控制能力。

公开(公告)号：CN115259294B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202210946545.6

申请日：2022-08-08

申请人： 华北电力科学研究院有限责任公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 王锐 ,  李永立 ,  吴华成 ,  周卫青 ,  李朋

IPC分类号： C02F1/461

摘要： 本申请提供一种水体PH调节装置及方法，该装置包括：循环水箱、加氧装置和晶闸管组件；晶闸管组件包括：导线和两个阀段，每个阀段包括：金属连接器，同一阀段中相邻的两个金属连接器之间经由晶闸管隔开且与该晶闸管接触连接，两个阀段的一端的金属连接器经由导线连接；每个金属连接器两端与循环水箱连通，加氧装置与循环水箱连接；加氧装置将氧气注入循环水箱中的循环水中，溶解有氧气的循环水流入金属连接器内；晶闸管形成的电子释放至由循环水箱流入金属连接器内的循环水中，循环水、循环水中的氧气和电子发生反应，调节循环水的PH值。本申请能够避免水体PH调节过程化学药剂等造成的污染，采用电化学的方式实现水体PH调节，节能且环保。