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公开(公告)号：CN108091561A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN105069258A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510556699.4
申请日：2015-09-02
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种芯片设计可靠性的评估方法及装置，其中，该方法包括：确定电路板图设计后，提取电路设计参数；给定电路温度，根据电路参数和电路温度确定电路中器件的功耗分布；对电路板图进行网格化处理，并根据功耗分布计算每个网格在对应功耗下的温度，确定温度分布，并将温度分布反馈给电路中的相应的电路器件；重复上述确定功耗分布和温度分布的步骤，确定温度收敛时的收敛温度分布；并根据温度与电路器件工作寿命之间的关系确定电路器件的工作寿命；在工作寿命大于预设寿命时设计制作电路板。该方法通过对电路板图进行网格化处理，从而可以实现精细化热电仿真，可以大大的缩小产品的开发周期，进而降低开发成本。
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公开(公告)号：CN107564829B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN107564829A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN108091561B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN114154601A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111254682.5
申请日：2021-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于RFID芯片的测温方法与装置、测温系统、存储介质，其中，基于无源超高频RFID芯片的测温方法包括以下步骤：在建立与无源超高频RFID芯片之间的通信连接后，读取所述无源超高频RFID芯片的存储器数据，确定无源超高频RFID芯片的反向链路频率与温度之间的关系；获取无源超高频RFID芯片的当前反向链路频率，并根据关系和当前反向链路频率确定无源超高频RFID芯片的温度值。由此，本实施例的基于无源超高频RFID芯片的测温方法能够兼容多种测温环境，且检测方法简易灵敏，同时还能够降低测温成本，提高工作效率和用户使用体验。
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公开(公告)号：CN112886544B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110054285.7
申请日：2021-01-15
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于过负荷控制的功率选通电路及集成电路芯片。所述功率选通电路包括设置于供电源与负载之间的通道开关，还包括转换模块、过负荷比较模块以及功率选通控制模块；所述转换模块用于将所述供电源的电压转换为可以量化的通道电阻；所述过负荷比较模块用于基于所述通道电阻计算功率门限，在输出功率达到所述功率门限时触发所述通道开关；所述功率选通控制模块用于对触发所述通道开关的过程进行逻辑控制。本发明通过转换模块和过负荷比较模块实现负荷功率门槛值计算，使得可以直接按照功率限值来配置触发通道开关的过负荷门限，从而实现芯片过负荷保护和功率保护，提高了过负荷保护的安全性。
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公开(公告)号：CN112904931B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110055767.4
申请日：2021-01-15
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种电压电流转换电路及集成电路芯片。所述电压电流转换电路包括第一串联电阻、第二串联电阻、第一电流镜、第一负反馈环路以及第二负反馈环路，所述第一负反馈环路包括第一跨导放大器和第二电流镜，所述第二负反馈环路包括第二跨导放大器、第三电流镜以及第一二极管。本发明的电压电流转换电路，采用两条负反馈环路，使其有效输入电压可以高于电源电平，也可以低于地电平，即输入电压范围可以向正电源轨和负电源轨两个方向扩展，输入电压范围宽，动态范围大，且所述电压电流转换电路转换获得的电流也是双向的，可以有更广泛的电路应用，适应更多的系统条件。
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公开(公告)号：CN112886544A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110054285.7
申请日：2021-01-15
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于过负荷控制的功率选通电路及集成电路芯片。所述功率选通电路包括设置于供电源与负载之间的通道开关，还包括转换模块、过负荷比较模块以及功率选通控制模块；所述转换模块用于将所述供电源的电压转换为可以量化的通道电阻；所述过负荷比较模块用于基于所述通道电阻计算功率门限，在输出功率达到所述功率门限时触发所述通道开关；所述功率选通控制模块用于对触发所述通道开关的过程进行逻辑控制。本发明通过转换模块和过负荷比较模块实现负荷功率门槛值计算，使得可以直接按照功率限值来配置触发通道开关的过负荷门限，从而实现芯片过负荷保护和功率保护，提高了过负荷保护的安全性。
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公开(公告)号：CN111355225A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010244294.8
申请日：2020-03-31
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种电源钳位电路，属于集成电路芯片静电释放保护技术领域。所述电源钳位电路包括检测模块、启动模块以及泄放模块，还包括：反馈模块；所述检测模块包括电阻以及电容；所述反馈模块串联于所述电阻与所述电容之间；所述反馈模块包括第一二极管以及第二PMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管的源极与所述电阻的第一端以及所述第一二极管的正极相连，所述第二PMOS晶体管的漏极与所述第一二极管的负极相连，所述第二PMOS晶体管的栅极与所述启动模块以及所述泄放模块相连。本发明通过增加反馈模块，在电源钳位电路导通时增加检测模块的阻抗，增大RC时间常数，延长泄放模块的导通时间，将静电荷彻底释放；在电源钳位电路不导通时，降低漏电流。
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