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公开(公告)号：CN114356014B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111386539.1
申请日：2021-11-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种低压基准电压产生电路及芯片，其中电路包括基准电流源模块、缓冲器模块和高阶温度补偿模块，其中，基准电流源模块用于分别向缓冲器模块和高阶温度补偿模块提供零温度电流，并向缓冲器模块提供负温度特性电压；缓冲器模块用于根据零温度电流生成具有正温度特性的失调电压，并将失调电压与负温度特性电压进行叠加，以输出第一带隙基准电压；高阶温度补偿模块用于根据零温度电流对第一带隙基准电压进行高阶温度补偿，以使缓冲器模块输出低温漂带隙基准电压。由此，不仅可以实现低温漂带隙基准电压的输出，还可以使低工作电压处于宽工作电压范围，同时还可以降低电路设计复杂度以及功耗消耗。
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公开(公告)号：CN113866690B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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公开(公告)号：CN114397999A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111415577.5
申请日：2021-11-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种基于非易失内存接口‑远程处理消息传递NVMe‑over‑RPMsg的通信方法、装置及设备，属于计算机技术领域。用于在异构多核系统级芯片上虚拟化远程存储系统，NVMe‑over‑RPMsg包括：来宾操作系统和远程操作系统，所述通信方法包括：使所述来宾操作系统识别所述远程操作系统为NVMe‑over‑RPMsg的目的端；在所述来宾操作系统上通过定制的非易失内存接口驱动器，将所述NVMe‑over‑RPMsg目的端封装成NVMe SSD，其中所述来宾操作系统包括NVMe‑over‑RPMsg的前端；将从所述来宾操作系统发送的非易失内存接口命令发送到所述NVMe‑over‑RPMsg的目的端的仿真NVMe SSD控制器；使所述NVMe‑over‑RPMSG的前端和所述NVMe‑over‑RPMSG的目的端通过RPMsg通道相互通信。该通信方法消除高开销的系统调用并减少长I/O堆栈，同时提高随机读/写吞吐量。
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公开(公告)号：CN114356014A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111386539.1
申请日：2021-11-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种低压基准电压产生电路及芯片，其中电路包括基准电流源模块、缓冲器模块和高阶温度补偿模块，其中，基准电流源模块用于分别向缓冲器模块和高阶温度补偿模块提供零温度电流，并向缓冲器模块提供负温度特性电压；缓冲器模块用于根据零温度电流生成具有正温度特性的失调电压，并将失调电压与负温度特性电压进行叠加，以输出第一带隙基准电压；高阶温度补偿模块用于根据零温度电流对第一带隙基准电压进行高阶温度补偿，以使缓冲器模块输出低温漂带隙基准电压。由此，不仅可以实现低温漂带隙基准电压的输出，还可以使低工作电压处于宽工作电压范围，同时还可以降低电路设计复杂度以及功耗消耗。
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公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN114019220B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210014419.7
申请日：2022-01-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种电流检测器及电路，电流检测器包括：外壳及至少一组磁体，所述磁体位于所述外壳内，每组磁体包括：第一磁芯、第二磁芯、第一激励线圈、第二激励线圈及感应线圈；所述第一磁芯和第二磁芯对称耦合；所述第一激励线圈缠绕所述第一磁芯，用于产生第一激励磁场；所述第二激励线圈缠绕所述第二磁芯，用于产生第二激励磁场；所述第一激励线圈和第二激励线圈为反向串连连接；所述感应线圈缠绕于所述第一磁芯和第二磁芯的耦合中轴，用于感应待测导体产生感应磁场。所述电流检测器测量灵敏度高、抗干扰能力强，并且结构简单、加工难度较低，成本较低。
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公开(公告)号：CN114301572A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111350406.9
申请日：2021-11-15
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H04L1/00
摘要： 本发明实施例提供一种发送端、接收端及其数据帧的传输方法、存储介质，属于通信技术领域。发送端的数据帧的传输方法包括：获得扩频因子；根据所述扩频因子，基于所述扩频因子与所述帧头的数据长度指示域的长度的对应关系，确定所述帧头的数据长度指示域长度；根据所述帧头的数据长度指示域的长度，生成所述帧头，以便传输所述数据帧。本发明可以更加高效的生成帧头。
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公开(公告)号：CN114301461A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111363910.2
申请日：2021-11-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种DAC电路和模数转换器，属于集成电路技术领域。所述DAC电路包括：复位开关、第一开关，所述DAC电路比较器的输出端通过所述复位开关和所述第一开关连接的两端作为虚拟共模电平端；其中，在比较阶段，控制所述第一开关始终闭合，在每次比较开始之前，控制所述复位开关断开，在每次比较结束时，控制所述复位开关闭合，所述比较器的输出电平Vop和Von生成虚拟共模电平Vcm。本发明实施例在比较阶段，通过控制第一开关始终闭合，在每次比较完成后，控制复位开关的切换(断开和闭合)，均能产生虚拟共模电平Vcm，无需外端提供共模电平，以降低DAC电路功耗。
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公开(公告)号：CN114265730A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111396071.4
申请日：2021-11-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种模块级中断的验证平台和方法，属于芯片技术领域。该模块级中断的验证平台基于UVM搭建，且所述模块级中断的验证平台包括虚拟序列发生器、验证模型、及中断接口；其中，所述虚拟序列发生器用于产生模块级的被测设计DUT执行事务对应的激励，并监测所述中断接口的电平变化；所述验证模型用于接收来自所述虚拟序列发生器产生的激励，构造事务对应的序列，并驱动所述DUT执行对应的事务；所述中断接口用于在所述DUT发生中断时，作为上报对应的中断事务至所述虚拟序列发生器的通道。通过中断接口实现了在不与验证模型内驱动器或监视器交互的情况下，将验证序列或验证组件与中断事件进行同步，从而在验证序列中更方便地进行中断功能验证。
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