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公开(公告)号：CN119558255A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411711866.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/39 , G06F115/08
Abstract: 本公开涉及芯片IP核及EDA技术领域，具体涉及一种输入阈值电压和输出电流能力可调的IOIP核的配置方法及提供方法、装置及芯片。现有工艺厂或IP厂商提供的IO IP核通常是一个整体模块，仅能提供固定的输入阈值电压和有限个档位的输出电流能力，无法便捷地根据芯片需求而改变。本公开研发专门的EDA工具，同时将IO IP核的电路模块和版图进行定制化设计，重构成了包含IO核心电路模块、输入阈值可调模块及输出电流可调模块的可配置IO IP核，从而通过定制EDA工具获取用户需求并针对可配置IO IP核中的各模块进行配置，以根据实际芯片复杂应用实现灵活可配置。
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公开(公告)号：CN117317024B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311589183.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种高开关特性半导体器件、工艺、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。高开关特性半导体器件包括：衬底；导电层，形成于衬底上，导电层包括沿第一方向排布的源区、体区、漂移区和漏区，漂移区内形成有沿第二方向延伸的隧穿区，第二方向与第一方向交叉；栅介质层，形成于导电层上，且位于体区和至少部分漂移区上方；栅电极层，形成于栅介质层上。通过在漂移区内设置隧穿区，在器件处于关态时，隧穿区由于势垒较高，载流子无法隧穿，能够有效降低漏电流，节约功耗，隧穿区的隔离作用能够提升耐压特性及抗电磁特性；在器件处于开态时，载流子一部分隧穿导电，一部分绕过隧穿区导电，获得较高的开态电流，具有良好的开关电流比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116973829A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311205203.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种芯片引脚注入波形标定方法及装置，属于芯片电磁兼容测试领域。所述方法包括：获取被测芯片引脚的信号衰减曲线；以相同的采样频率测量获取第一波形；根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算芯片引脚的注入波形。通过获取的信号衰减曲线和具有相同频率的第一波形计算得到芯片引脚的注入波形，实现芯片引脚注入波形的标定，从而实现对芯片引脚干扰能量的精确注入，从而进一步用于不同特征的干扰波形对芯片引脚的失效研究中，获取芯片敏感的干扰波形。
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公开(公告)号：CN118626374A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410745770.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明提供一种图形用户界面程序的自动测试方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。其中方法包括：获取图形用户界面程序的测试用例中操作的控件坐标信息；基于测试用例中操作的控件坐标信息，编写自动化测试脚本；运行自动化测试脚本；重复执行以下步骤，直至所有测试任务测试结束：间隔预设时间周期获取图形用户界面的截图，以及提取截图中的多个测试任务的字符和每个测试任务对应的颜色状态；基于截图、多个测试任务的字符和每个测试任务的颜色状态，生成测试用例状态报告；基于测试用例状态报告确定所有测试任务的测试进程。本发明用以解决图形用户界面程序的测试过程中耗费大量的人力成本和时间成本的问题。
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公开(公告)号：CN115878631B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310054937.6
申请日：2023-02-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G06F16/22
Abstract: 本发明涉及芯片领域，尤其涉及生产过程数据信息化领域，公开了一种用于变更数据库表的表结构的方法和装置。该方法包括：根据变更操作和变更事项修改预设数据库字段表和/或预设数据内容表；基于待变更数据类型标识，从预设数据库字段表和预设数据内容表中获取表字段名称信息和表字段内容信息；以及基于所获取的表字段名称信息和表字段内容信息，生成数据库表，以得到变更后的数据库表。藉此，实现了变更数据库表的表结构。
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公开(公告)号：CN115878631A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310054937.6
申请日：2023-02-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: G06F16/22
Abstract: 本发明涉及芯片领域，尤其涉及生产过程数据信息化领域，公开了一种用于变更数据库表的表结构的方法和装置。该方法包括：根据变更操作和变更事项修改预设数据库字段表和/或预设数据内容表；基于待变更数据类型标识，从预设数据库字段表和预设数据内容表中获取表字段名称信息和表字段内容信息；以及基于所获取的表字段名称信息和表字段内容信息，生成数据库表，以得到变更后的数据库表。藉此，实现了变更数据库表的表结构。
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公开(公告)号：CN117317024A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311589183.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种高开关特性半导体器件、工艺、芯片及电子设备，属于半导体技术领域。高开关特性半导体器件包括：衬底；导电层，形成于衬底上，导电层包括沿第一方向排布的源区、体区、漂移区和漏区，漂移区内形成有沿第二方向延伸的隧穿区，第二方向与第一方向交叉；栅介质层，形成于导电层上，且位于体区和至少部分漂移区上方；栅电极层，形成于栅介质层上。通过在漂移区内设置隧穿区，在器件处于关态时，隧穿区由于势垒较高，载流子无法隧穿，能够有效降低漏电流，节约功耗，隧穿区的隔离作用能够提升耐压特性及抗电磁特性；在器件处于开态时，载流子一部分隧穿导电，一部分绕过隧穿区导电，获得较高的开态电流，具有良好的开关电流比。
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