-
公开(公告)号：CN118316037B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410732786.X
申请日：2024-06-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网甘肃省电力公司
IPC分类号： H02J3/00 , G06F16/2458 , G06F16/29 , G06Q50/06 , G06F123/02
摘要： 本公开涉及电网的电力负荷智能预测技术领域，具体涉及一种智能台区电力负荷预测方法、装置及存储介质，所述智能台区电力负荷预测方法包括：获取台区集合中台区之间的互连关系和地理距离；根据所述互连关系和地理距离构建所述台区集合的加权邻接矩阵；根据所述台区集合中各台区在待预测时间点之前的时间窗口E内的历史负荷数据，确定所述台区集合在时间窗口E内的台区特征向量矩阵；基于所述加权邻接矩阵和所述时间窗口E内的台区特征向量矩阵，得到所述时间窗口E之后下一采样时间点的电力负荷预测值。本公开对于相邻台区对指定台区电力负荷的时空关联影响、电力负荷数据的周期性和节假日影响均有考虑，可以提高台区电力负荷预测的精度。
-
公开(公告)号：CN118316092A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410732946.0
申请日：2024-06-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网甘肃省电力公司
IPC分类号： H02J3/32 , H02J3/00 , G06Q10/0631 , G06Q50/06 , G06F18/25 , G06N7/04 , G06N3/045 , G06N3/043 , G06N3/096 , G06N3/084
摘要： 本公开涉及电力系统智能监控和管理技术领域，具体涉及一种源网荷储协同用电智能调控方法、装置、系统、电子设备及存储介质。所述源网荷储协同用电智能调控系统包括能源调控中心和设置于微电网内的能源调控单元。能源调控单元基于时间注意力机制的LRCN双层网络组合模型进行用电量预测，生成未来预设时间内的用电盈缺量。能源调控中心根据各微电网的用电盈缺量和最新当前电价，使用基于帕累托前沿曲线和模糊算法的融合多目标算法生成微电网协同用电调控方案，并将调控方案发送给各能源调控单元执行，确保微电网的能源供需平衡。由此实现了对微电网集群中能源的高效、智能、精细化管理，降低了能源消耗和成本，为微电网的可持续发展提供了有力支持。
-
公开(公告)号：CN118316037A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410732786.X
申请日：2024-06-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网甘肃省电力公司
IPC分类号： H02J3/00 , G06F16/2458 , G06F16/29 , G06Q50/06 , G06F123/02
摘要： 本公开涉及电网的电力负荷智能预测技术领域，具体涉及一种智能台区电力负荷预测方法、装置及存储介质，所述智能台区电力负荷预测方法包括：获取台区集合中台区之间的互连关系和地理距离；根据所述互连关系和地理距离构建所述台区集合的加权邻接矩阵；根据所述台区集合中各台区在待预测时间点之前的时间窗口E内的历史负荷数据，确定所述台区集合在时间窗口E内的台区特征向量矩阵；基于所述加权邻接矩阵和所述时间窗口E内的台区特征向量矩阵，得到所述时间窗口E之后下一采样时间点的电力负荷预测值。本公开对于相邻台区对指定台区电力负荷的时空关联影响、电力负荷数据的周期性和节假日影响均有考虑，可以提高台区电力负荷预测的精度。
-
公开(公告)号：CN118316092B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410732946.0
申请日：2024-06-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网甘肃省电力公司
IPC分类号： H02J3/32 , H02J3/00 , G06Q10/0631 , G06Q50/06 , G06F18/25 , G06N7/04 , G06N3/045 , G06N3/043 , G06N3/096 , G06N3/084
摘要： 本公开涉及电力系统智能监控和管理技术领域，具体涉及一种源网荷储协同用电智能调控方法、装置、系统、电子设备及存储介质。所述源网荷储协同用电智能调控系统包括能源调控中心和设置于微电网内的能源调控单元。能源调控单元基于时间注意力机制的LRCN双层网络组合模型进行用电量预测，生成未来预设时间内的用电盈缺量。能源调控中心根据各微电网的用电盈缺量和最新当前电价，使用基于帕累托前沿曲线和模糊算法的融合多目标算法生成微电网协同用电调控方案，并将调控方案发送给各能源调控单元执行，确保微电网的能源供需平衡。由此实现了对微电网集群中能源的高效、智能、精细化管理，降低了能源消耗和成本，为微电网的可持续发展提供了有力支持。
-
公开(公告)号：CN114371758B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
-
公开(公告)号：CN118627291A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410747506.2
申请日：2024-06-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明提供一种掺杂浓度文件生成方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：获取新拓扑结构网格中的所有节点坐标；基于原拓扑结构网格中所有图形网格内的指定点坐标构建KD树；基于所述KD树搜索出所述新拓扑结构网格中的每个节点坐标在所述原拓扑结构网格对应的目标图形网格；基于每个所述目标图形网格的节点掺杂浓度对新拓扑结构网格中的每个节点坐标进行插值，得到新拓扑结构网格中的所有节点坐标的掺杂浓度，以形成新掺杂浓度文件。相比现有技术采用顺序遍历原有拓扑结构的三角形网格方式，过程效率低、耗时长。本发明采用KD树的方式建立原有图形网格的快速搜索，实现新拓扑结构网格的节点在原有拓扑结构网格上的快速定位。
-
公开(公告)号：CN118626374A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410745770.2
申请日：2024-06-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G06F11/36
摘要： 本发明提供一种图形用户界面程序的自动测试方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。其中方法包括：获取图形用户界面程序的测试用例中操作的控件坐标信息；基于测试用例中操作的控件坐标信息，编写自动化测试脚本；运行自动化测试脚本；重复执行以下步骤，直至所有测试任务测试结束：间隔预设时间周期获取图形用户界面的截图，以及提取截图中的多个测试任务的字符和每个测试任务对应的颜色状态；基于截图、多个测试任务的字符和每个测试任务的颜色状态，生成测试用例状态报告；基于测试用例状态报告确定所有测试任务的测试进程。本发明用以解决图形用户界面程序的测试过程中耗费大量的人力成本和时间成本的问题。
-
公开(公告)号：CN118566589A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410691002.3
申请日：2024-05-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
摘要： 本发明公开一种新型测量薄膜电阻温度系数的方法及系统。本发明给电阻施加不同大小的恒定电流来控制电阻的温度；基于四探针法并通过改进的范德堡法计算电阻；基于不同恒定电流下所测得的电阻，结合红外测温仪获取的温度，计算得到电阻温度系数。本发明可以快速测量出温度，并由此计算出温度系数，节省大量时间成本，同时本发明不受样品大小和探针游移的影响，无需保持重复测量时探针位置一致性。
-
公开(公告)号：CN118502201A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410485289.4
申请日：2024-04-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体工艺技术领域，提供一种光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法，包括：在仿真工具中输入沉积光刻胶和硬掩膜的命令，在晶圆表面形成均匀厚度的第一光刻胶和第一掩膜版；利用仿真工具中的photo命令，在第一掩膜版表面形成具有预设图形窗口的第二光刻胶第二掩膜版；输入刻蚀命令，在第二掩膜版的保护下对第一掩膜版进行刻蚀，在第一掩膜版形成刻蚀窗口；输入刻蚀命令，在第一掩膜版的保护下沿第一掩膜版的刻蚀窗口对第一光刻胶进行刻蚀；输入刻蚀命令，刻蚀掉第一光刻胶表面剩余的第一掩膜版，得到均匀覆盖晶圆表面的光刻胶。本发明解决了仿真工具中photo命令下涂覆光刻胶的高度不能随晶圆表面的高度变化而变化的问题。
-
公开(公告)号：CN118409180A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410593868.0
申请日：2024-05-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路测量技术领域，具体涉及晶体管电容测量设备、方法、装置、电子设备及存储介质，所述晶体管电容测量设备包括：可调偏置单元用于提供可调的偏置电压，其第一端与待测晶体管衬底连接，第二端与待测晶体管源极和漏极短接点连接；电容测量单元用于测量待测晶体管的栅与有源区交叠电容Cgc，其连接到待测晶体管栅极和可调偏置单元第二端；控制单元用于控制可调偏置单元的偏置电压在偏置电压范围内以第一预设步长扫描，以及控制电容测量单元的高压端和低压端之间的直流电压差在电压差范围内以第二预设步长扫描，以得到待测晶体管的Cgc曲线。本公开解决了电容测量时测量设备无法连续扫描的问题，显著提升了Cgc曲线测量的效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
560 条记录 (耗时 0.066 秒)
