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公开(公告)号：CN104816104B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510059764.2
申请日：2015-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/025 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B23K35/00 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , C22C5/06 , C22C13/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13139 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065
摘要： 本发明涉及Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏、Ag糊剂以及Ag芯糊剂。提供即使含有一定量以上的Ag以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ag球。为了抑制软错误并减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.9995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm2以下，将Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。
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公开(公告)号：CN105980086A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480074896.6
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/30 , C22B23/06 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C25D7/00
CPC分类号： B22F1/02 , B22F1/0048 , B22F1/0074 , B22F2301/15 , B22F2302/45 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/262 , B23K35/3033 , B23K35/3612 , B23K35/3616 , B23K35/362 , C22C1/0425 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C25D7/00
摘要： 提供耐落下冲击强且能够抑制接合不良等产生的Ni球、Ni芯球、钎焊接头、焊膏和成形焊料。电子部件(60)是通过用焊膏(12)、(42)接合半导体芯片(10)的焊料凸块(30)和印刷基板(40)的电极(41)而构成的。焊料凸块(30)是通过在半导体芯片(10)的电极(11)上接合焊料球(20)而形成的。本发明的(20)的纯度为99.9％以上且99.995％以下，球形度为0.90以上，维氏硬度为20以上且90HV以下。
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公开(公告)号：CN105980086B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201480074896.6
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/30 , C22B23/06 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C25D7/00
CPC分类号： B22F1/02 , B22F1/0048 , B22F1/0074 , B22F2301/15 , B22F2302/45 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/262 , B23K35/3033 , B23K35/3612 , B23K35/3616 , B23K35/362 , C22C1/0425 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C25D7/00
摘要： 提供耐落下冲击强且能够抑制接合不良等产生的Ni球、Ni芯球、钎焊接头、焊膏和成形焊料。电子部件(60)是通过用焊膏(12)、(42)接合半导体芯片(10)的焊料凸块(30)和印刷基板(40)的电极(41)而构成的。焊料凸块(30)是通过在半导体芯片(10)的电极(11)上接合Ni球(20)而形成的。本发明的Ni球(20)的纯度为99.9％以上且99.995％以下，球形度为0.90以上，维氏硬度为20以上且90HV以下。
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公开(公告)号：CN104816104A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510059764.2
申请日：2015-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/025 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B23K35/00 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , C22C5/06 , C22C13/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13139 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065
摘要： 本发明涉及Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏、Ag糊剂以及Ag芯糊剂。提供即使含有一定量以上的Ag以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ag球。为了抑制软错误并减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.9995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm2以下，将Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。
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