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公开(公告)号:CN108292651A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201580084754.2
申请日:2015-12-22
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L23/66 , H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号: H01L23/66 , H01L23/48 , H01L23/49827 , H01L25/16 , H01L2223/6672 , H01L2223/6677 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2924/15153 , H01L2924/15159 , H01L2924/15192 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104
摘要: 本发明的实施例包括微电子器件,其包括具有化合物半导体组件的基于硅的第一衬底。微电子器件还包括耦合到第一衬底的第二衬底。第二衬底包括用于以大约4GHz或更高的频率发送和接收通信的天线单元。
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公开(公告)号:CN108054152A
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201810021062.9
申请日:2012-10-08
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/10
CPC分类号: H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L25/105 , H01L2225/1005 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/0002 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了一种集成电路封装结构,包括:第一集成电路封装,其包括:第一封装基板,具有相对的第一表面与第二表面;以及第一半导体芯片,设置于第一封装基板的第一表面的第一部上。此外,第二集成电路封装,设置于第一封装基板的第一表面的不同于第一部分的第二部分上,包括:第二封装基板,具有相对的第三表面与第四表面;以及第二半导体芯片,设置于第二封装基板的第三表面的一部分上,其中第二半导体芯片具有不同于第一半导体芯片的功能。
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公开(公告)号:CN107743652A
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201580081135.8
申请日:2015-07-22
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L25/065 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/5386 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L25/065 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/73259 , H01L2224/81815 , H01L2224/8184 , H01L2224/92224 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105
摘要: 本文的实施例涉及系统级封装(SiP)。SiP可具有带有相应的第一活动侧和与第一活动侧相对的第一非活动侧的一个或多个第一功能组件的第一层。SiP还可以包括具有相应的第二活动侧和与第二活动侧相对的第二非活动侧的一个或多个第二功能组件的第二层。在实施例中,第一活动侧中的一个或多个面向第二活动侧中的一个或多个并且通过穿模通孔或穿硅通孔与第二活动侧中的一个或多个电气耦合。
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公开(公告)号:CN104685624B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201380050994.1
申请日:2013-07-31
申请人: 英帆萨斯公司
发明人: I·默罕默德
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L25/10 , H01L25/18
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L2224/0233 , H01L2224/02371 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/24011 , H01L2224/24147 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/73217 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/83855 , H01L2224/9202 , H01L2224/92144 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H05K3/4661 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 微电子封装(10)包括第一封装微电子元件(14)和第二封装微电子元件(16),每个都包括具有正面(20)和触点(26)的半导体裸片(14)。封装剂(28)与每个裸片的边缘表面(24)接触,并从边缘表面沿至少一个横向方向延伸。导电元件(36)从触点沿正面延伸至覆盖封装剂的位置。第一微电子元件和第二微电子元件相互固定在一起,使得第一裸片和第二裸片中的一个的正面或背面中的一个面定位为朝向第一裸片和第二裸片中的另一个的正面或背面。复数个导电互连件(40)穿过第一微电子元件和第二微电子元件的封装剂延伸,并与第一微电子元件和第二微电子元件中的至少一个半导体裸片电连接。
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公开(公告)号:CN106964917A
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201610934617.X
申请日:2012-06-30
申请人: 千住金属工业株式会社
CPC分类号: H01L24/13 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0261 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01B1/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1301 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H05K3/3457 , H05K2203/041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H05K3/3463
摘要: 本发明提供一种模块基板,其具备接合有焊料球的电极,所述焊料球具有如下组成:Ag1.6~2.9质量%、Cu0.7~0.8质量%、Ni0.05~0.08质量%、余量Sn,所述模块基板通过使具有该焊料球的电极侧朝下并使所述焊料球与设置于印刷基板的焊膏一起熔融从而搭载于该印刷基板。
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公开(公告)号:CN103295979B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201310055552.8
申请日:2013-02-21
申请人: 乾坤科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/49537 , H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/49506 , H01L23/49534 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15321 , H05K1/021 , H05K1/186 , Y10T29/49124 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开一种由一元件承载具和一可修改的基板结合组成的封装结构。在一个实施例中,一凹洞形成在该元件承载具上,以及一传导元件配置在该基板上,其中该基板配置在该元件承载具上,以及该传导元件配置在该元件承载具的该凹洞。在该基板内的导电图案电性连接至该元件承载具和该第一传导元件的输入/输出端。本发明也公开一种由一元件承载具和一可修改基板结合组成的封装结构的制造方法。在一个实施例中,可修改在该基板内一部分的该导电图案。
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公开(公告)号:CN103579151B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201210576531.6
申请日:2012-12-26
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/498
CPC分类号: H01L23/49838 , H01L23/49816 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/15321 , H05K3/3436 , H05K3/4015 , H05K2201/0367 , H01L2224/0401
摘要: 本发明公开了一种堆叠封装(PoP)器件。该堆叠封装(PoP)器件包括衬底,具有围绕该衬底的外围布置的接触焊盘阵列,安装至接触焊盘阵列内部的衬底的逻辑芯片,以及安装在数量少于所有可用的接触焊盘的接触焊盘上的非焊料凸块结构。本发明还公开了小间距堆叠封装结构。
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公开(公告)号:CN106169445A
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:CN201610342189.1
申请日:2016-05-20
申请人: 艾马克科技公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/49822 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05573 , H01L2224/05575 , H01L2224/0558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/0105 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/568 , H01L23/49827 , H01L23/49838
摘要: 用以制造具有多层模制导电基板和结构的半导体封装的方法。在一个实施例中,一种用于制造一半导体封装的方法包括提供一多层模制导电结构。该多层模制导电结构包括:一第一导电结构,其设置在一载板的一表面上;和一第一囊封剂,其覆盖该第一导电结构的至少部分,而其它部分暴露于该第一囊封剂中。一第二导电结构设置在该第一囊封剂上,并且电气连接到该第一导电结构。一第二囊封剂覆盖该第二导电结构的一第一部分,而该第二导电结构的一第二部分暴露到外部,并且该第二导电结构的一第三部分暴露于设置在该第二囊封剂中的一接收空间中。该方法包括:将一半导体晶粒电气连接至该第二导电结构,并在一些实施例中,移除该载板。
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公开(公告)号:CN103354951B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201180067223.4
申请日:2011-12-08
申请人: 德塞拉股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/14 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 微电子元件(10)包括第一表面(22)和第一薄导电元件(52),第一薄导电元件(52)在第一表面(22)暴露且具有由第一区域和第二区域组成的工作面(54)。具有与工作面(54)的第一区域连接并覆盖该区域的基底(58)的第一导电突起(56)延伸至远离基底的端部(62)。第一介电材料层(40)覆盖第一薄元件(52)的第二区域,并至少与第一导电突起(56)的基底(58)接触。组件(10)进一步包括第二基板(18),第二基板具有第二工作面(24)和从第二工作面(24)向外延伸的第二导电突起(76)。第一易熔金属块(70)使第一突起(56)与第二突起(76)连接,并沿第一突起(56)的边缘朝第一介电材料层(40)延伸。
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公开(公告)号:CN103296010B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201210371173.5
申请日:2012-09-28
申请人: 美国博通公司
发明人: 桑帕施·K·V·卡里卡兰 , 胡坤忠 , 赵子群 , 雷佐尔·拉赫曼·卡恩 , 彼得·沃伦坎普 , 陈向东
IPC分类号: H01L23/552 , H01L23/31
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/50 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025
摘要: 本发明涉及屏蔽插入机构及具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。在本发明中公开了位于顶部有源管芯与底部有源管芯之间用于屏蔽所述有源管芯避免电磁噪声的屏蔽插入机构的多种实施方式。一种实施方式包括插入机构介质层、所述插入机构介质层内的硅通孔(TSV)、以及电磁屏蔽物。TSV将电磁屏蔽物连接到第一固定电位上。所述电磁屏蔽物可以包括侧向延伸横过屏蔽插入机构的导电层格栅。所述屏蔽插入机构还可以包括连接到另一固定电位上的另一个电磁屏蔽物。本发明还公开了具有集成的电磁屏蔽物的半导体封装。
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