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公开(公告)号：CN105161587B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510492018.2
申请日：2015-08-12
申请人： 华南师范大学
摘要： 本发明公开一种可见光通信LED器件，包括四个几何中心点重叠且位于同一平面的LED芯片，由外到内分别是第一环形芯片、第二环形芯片、第三环形芯片和中部芯片，每个芯片的边缘上绕设有环形金属正电极，可见光通信LED器件的底面即每个芯片的n型层底面与器件负电极连接，器件负电极为圆形且位于器件底部，器件环形正电极连接在器件负电极的边缘上方且相互绝缘。本发明在环形或者圆形芯片上制备金属环形正电极结构；使得在发光层（量子阱层）的电子和空穴载流子复合均匀；这样能有效提升复合速率，即提升可见光LED器件的响应时间；可见光环形LED器件可以制备成1W的功率型器件；适合应用于LED照明灯具应用领域。
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公开(公告)号：CN106571358A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201611008353.1
申请日：2016-11-16
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/60 , H01L23/64
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L28/10 , H01L33/60
摘要： 本发明公开一种采用微电感图形衬底的可见光通信发射器件，包括衬底，依次设于衬底上的电感线圈和Al2O3蓝宝石保护层，所述蓝宝石保护层上设有由若干个LED芯片串联组成的芯片阵列，所述电感线圈与芯片阵列串联，所述电感线圈的电感值L满足：L=1/(ω2C)，其中，C为器件中由于LED芯片所带来的电容，ω为频率，所述电感线圈的组成材料由内而外依次为Cr、Al、Cr、Ti、Ag。
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公开(公告)号：CN106024824A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610320740.2
申请日：2016-05-16
申请人： 华南师范大学
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/005 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075
摘要： 本发明公开一种可见光通信多芯片发光器件及其制备方法，该器件包括多个若干个光发射芯片，所述若干个光发射芯片之间采用串联形式连接，即一个光发射芯片的正电极与另一个光发射芯片的负电极连接，所述发光器件利用高频率电流源供电，供电采用具有通信协议的信号转换为供电电流。
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公开(公告)号：CN105895653A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610320739.X
申请日：2016-05-16
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L27/156
摘要： 本发明公开一种高压可见光通信LED器件及其制作方法，该器件包括沉积于衬底层上的若干个环形芯粒，所述若干个芯粒串联连接，所述芯粒依次包括沉积于衬底上的缓冲层、产生电子的n型层、电子空穴复合的量子阱层、产生空穴的p型层和透明电极，还包括n电极焊点和P电极焊点，所述若干个芯粒串联连接于n电极焊点和P电极焊点两端的电极线路，所述芯粒之间铺垫有二氧化硅，并通过刻蚀技术在二氧化硅上刻出为所述焊点预留的位置。
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公开(公告)号：CN105895653B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610320739.X
申请日：2016-05-16
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 本发明公开一种高压可见光通信LED器件及其制作方法，该器件包括沉积于衬底层上的若干个环形芯粒，所述若干个芯粒串联连接，所述芯粒依次包括沉积于衬底上的缓冲层、产生电子的n型层、电子空穴复合的量子阱层、产生空穴的p型层和透明电极，还包括n电极焊点和P电极焊点，所述若干个芯粒串联连接于n电极焊点和P电极焊点两端的电极线路，所述芯粒之间铺垫有二氧化硅，并通过刻蚀技术在二氧化硅上刻出为所述焊点预留的位置。
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公开(公告)号：CN106788760B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610993849.2
申请日：2016-11-11
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H04B10/50 , H04B10/116 , H01F27/28 , H01F27/32 , H01L25/075 , H01L33/40
摘要： 本发明公开一种提升响应频率的可见光通信发射器件，包括衬底，所述衬底上设置了电感线圈模块，所述电感线圈模块上设有由若干个LED芯片串联而成的LED芯片矩阵，所述电感线圈模块与LED芯片矩阵串联，所述电感线圈模块的电感值L满足：L=1/(ω2C)，其中C为器件中由于LED芯粒所带来的电容，ω为频率，所述电感线圈模块包括一个以上电感线圈，所述电感线圈的组成材料由内而外依次为Cr、Al、Cr、Ti、Ag。
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公开(公告)号：CN105140363A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510492225.8
申请日：2015-08-12
申请人： 华南师范大学
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/385
摘要： 本发明公开功率型可见光通信LED器件，包括走线均匀的曲线形LED芯片，在曲线形LED芯片的面边缘绕设有环形金属电极，负电极平面上设有LED器件的正电极且相互绝缘，所述环形金属电极的两端均通过正电极焊接金线与正电极电连接。本发明的走线均匀的芯片结构，可以保证载流子复合时间一致，即提高响应时间；摆线形或者螺旋形芯片形状，既可以有利芯片中的电子空穴复合，也有效提高量子阱层中载流子复合率；采用芯片的面边缘环形金属电极，减小p型电极与n型层之间的电阻，量子阱层的载流子复合均匀性增加；采用摆线形或者螺旋形芯片形状，可以制作成较大功率，即可以用于LED可见光通信用途，也可制造成LED灯具产品。
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公开(公告)号：CN105098034A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510584735.8
申请日：2015-09-15
申请人： 华南师范大学
CPC分类号： H01L33/48 , H01L33/505 , H01L33/62
摘要： 本发明公开一种芯片级封装发光二极管，包括正装芯片、矩形槽状荧光粉、矩形正电极和环形负电极，所述正装芯片依次包括透明金属连接层、透明电极ITO层、产生电子的p型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生电子的n型层、晶格匹配缓冲层和衬底层，所述透明金属连接层通过金属柱与矩形正电极连接，所述产生电子的p型层位于衬底层的上方。通过本发明的设计，不仅节省了芯片的面积，使得发光二极管的响应速率加快，而且二极管的发光面积也变大了。
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公开(公告)号：CN106571358B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201611008353.1
申请日：2016-11-16
申请人： 华南师范大学
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/60 , H01L23/64
摘要： 本发明公开一种采用微电感图形衬底的可见光通信发射器件，包括衬底，依次设于衬底上的电感线圈和Al2O3蓝宝石保护层，所述蓝宝石保护层上设有由若干个LED芯片串联组成的芯片阵列，所述电感线圈与芯片阵列串联，所述电感线圈的电感值L满足：L=1/(ω2C)，其中，C为器件中由于LED芯片所带来的电容，ω为频率，所述电感线圈的组成材料由内而外依次为Cr、Al、Cr、Ti、Ag。
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