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公开(公告)号：CN110097912B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201811344896.X
申请日：2018-11-13
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种可执行高可靠度的上电程序的半导体存储器装置与半导体存储器装置的操作方法。本发明的快闪存储器的控制器于外部的电源被提供时，通过与时脉信号同步读取ROM所储存的代码以执行上电程序。此外，当检测出电源的电压于上电程序过程中下降至临界值以下时，控制器还将时脉信号去活化，以停止上电程序，并且当检测出电源的电压超过临界值时，将时脉信号活化，以恢复上电程序。藉由上述操作，可提高上电程序的可靠性，并且可防止诱发不稳定的操作或者错误的操作。
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公开(公告)号：CN107527654B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201710238959.2
申请日：2017-04-13
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 村上洋树
摘要： 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其字线的驱动方法。本发明的闪速存储器包括：存储单元阵列，包含多个区块；以及区块选择部(200)，基于行地址信息来选择存储单元阵列的区块。区块选择部(200)包含：区块选择晶体管(230)，连接于区块的各字线；电平移位器(210)，对连接于区块选择晶体管(230)的各栅极的节点(N2)供给电压；升压电路(220)，对节点(N2)的电位进行升压；以及电压供给部，对区块选择晶体管的其中一个端子供给动作电压。节点(N2)在通过来自电压供给部的动作电压来进行第1增压后，通过升压电路(220)来进行第2增压。
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公开(公告)号：CN107093461B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710075431.8
申请日：2017-02-13
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种能抑制抹除动作时的电力消耗的快闪存储器装置及其抹除方法，本发明的快闪存储器装置，包括形成有记忆胞的多个阱，施加抹除电压至所选择阱且进行记忆胞数据抹除的抹除装置，及，进行多个阱间的选择性耦合的耦合装置，当进行前述一方的阱和另一方的阱的抹除时，抹除装置施加抹除电压至前述一方的阱，再通过前述耦合装置将前述一方的阱和前述另一方的阱电性耦合之后，施加抹除电压至前述另一方的阱。通过本发明能够抑制抹除时的抹除电压的消耗。
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公开(公告)号：CN108231121A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711328187.8
申请日：2017-12-13
申请人： 华邦电子股份有限公司
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/06 , G06F3/0634 , G06F3/0679 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/1201 , G11C29/46 , G11C2029/0403 , G11C2029/5602
摘要： 本发明提供一种半导体存储装置及其操作设定方法，能够减少ROM的选项数据资源，并且能够维持操作的弹性。本发明的半导体存储装置包含存储最适合选项数据的存储器单元阵列、CPU、RAM和ROM。CPU对应于所需要的操作，从存储器单元阵列的选项数据存储器读取最适合选项数据并暂存在RAM，且利用从RAM读取的最适合选项数据，控制半导体存储装置的操作。
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公开(公告)号：CN103000221A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110274870.4
申请日：2011-09-09
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 村上洋树
IPC分类号： G11C11/404
摘要： 本发明的半导体装置(100)包括：供给第一动作电压或比第一动作电压更小的第二动作电压的电源供给部(110)、从电源供给部(110)接收第一动作电压或第二动作电压的低阈值的P型晶体管(Tp)、以及连接在晶体管(Tp)与基准电位之间的N型晶体管(Tn)，晶体管(Tp、Tn)构成对应于输入至栅极的信号(Din)来产生输出信号(Dout)的逻辑电路。电源供给部(110)在通常动作时，将第一动作电压供给至晶体管(Tp)的源极，在待机动作时，将第二动作电压供给至晶体管(Tp)的源极。对第二动作电压进行设定，使得晶体管(Tp、Tn)各自的栅极与源极之间的电压的振幅大于晶体管(Tp、Tn)的阈值。
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公开(公告)号：CN112825005A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN202011299442.2
申请日：2020-11-19
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 村上洋树
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置，该电压产生电路能够追求省空间化、构成简易、并且产生高信赖性的电压。本发明的电压产生电路包含基准电压产生部、PTAT电压产生部、比较部以及选择部。基准电压产生部产生几乎没有温度依存性的基准电压。PTAT电压产生部产生具有正或负的温度依存性的温度依存电压，且温度依存电压在目标温度时具有与基准电压相等的电压。比较部比较基准电压以及温度依存电压。选择部基于比较部的比较结果，选择基准电压及温度依存电压的其中一个，并输出所选择的基准电压或温度依存电压。
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公开(公告)号：CN109102836A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810635517.6
申请日：2018-06-20
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/26
摘要： 本发明提供一种能够正确读取数据的半导体存储装置。本发明的存储装置包括存储器单元阵列、页缓冲器、差动感测放大器、输出电路和验证电路。页缓冲器维持从存储器单元阵列所读取的数据，并且响应于列选择信号，将所维持的数据输出至数据总线。差动感测放大器响应于感测使能信号，用以感测数据总线上的数据。输出电路输出由差动感测放大器所感测的数据。验证电路验证差动感测放大器的操作边限。根据验证电路所验证的结果，调整感测使能信号的时序。本发明能够因应制造偏差和操作环境变动来正确地读取数据。
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公开(公告)号：CN104810050B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410039519.0
申请日：2014-01-27
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/06
摘要： 本发明提供一种半导体存储装置。半导体存储装置包括生成正确的钳位电压的钳位电压生成电路（200）。钳位电压生成电路包括：仿真用晶体管（220），漏极耦合于VDD电源，源极耦合于节点（N5），钳位电压耦合于栅极；电流设定电路（230），连接于节点（N5）与接地电位之间，对从节点（N5）流至接地电位的电流进行设定；以及调节器（210），输入从节点（N5）反馈的电压与基准电压（VREF），并输出VCLMP电压。电流设定电路（230）可复制位线（BL）的电流，可使仿真用晶体管（220）近似于电荷转移晶体管（TG）。
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公开(公告)号：CN107093461A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710075431.8
申请日：2017-02-13
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种能抑制抹除动作时的电力消耗的快闪存储器装置及其抹除方法，本发明的快闪存储器装置，包括形成有记忆胞的多个阱，施加抹除电压至所选择阱且进行记忆胞数据抹除的抹除装置，及，进行多个阱间的选择性耦合的耦合装置，当进行前述一方的阱和另一方的阱的抹除时，抹除装置施加抹除电压至前述一方的阱，再通过前述耦合装置将前述一方的阱和前述另一方的阱电性耦合之后，施加抹除电压至前述另一方的阱。通过本发明能够抑制抹除时的抹除电压的消耗。
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公开(公告)号：CN102857098B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110370919.6
申请日：2011-11-21
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 村上洋树
摘要： 本发明提供一种升压电路，该升压电路具有：输出电路，该输出电路包括：根据第一传送控制信号将第一升压节点所累积的电荷传送至第一输出节点的第一传送电路、检测第一输出节点的电压的检测电路、以及根据检测电路的检测信号对第一升压电路节点以电荷预充电的预充电电路；第一泵电路，该第一泵电路包括：根据第二传送控制信号将电荷传送至第二输出节点的第二传送电路、以及耦接至第一升压节点，且根据传送至第二输出节点的电荷将第一升压节点的电位升压的第一电容单元；以及，耦接至输出电路以及第一泵电路，且根据第一输出节点的电位控制第二传送控制信号的控制电路。
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