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公开(公告)号：CN116504654A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310045231.3
申请日：2023-01-30
申请人： 南京恒电电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 南京恒电先进微波技术研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种核壳结构的微米金属互连工艺，包括使用化学镀的方法得到Cu@In核壳结构粉末，将Cu@In核壳结构粉体与不同种类的助焊膏混合制备成钎焊膏，通过丝网印刷将上述钎焊膏印刷至基板上，静置15‑60min后将芯片从互连材料上方缓慢压入覆盖在其表面，再将其整体置于200‑250℃空气环境下保温2‑60min得到互连器件；本发明制备的壳层金属形态致密、尺寸均匀可控，易在较低温度下发生原子扩散，与微米铜颗粒连接在一起，形成互连体系，不仅提高了核层微米铜颗粒的抗氧化性与稳定性，还大大降低了互连温度和互连条件；可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN116079277A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310045341.X
申请日：2023-01-30
申请人： 南京恒电电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 南京恒电先进微波技术研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种In‑Cu@Ag钎料预制片及其制备方法，包括纳米Cu颗粒的制备，通过在液相中还原可溶性铜盐，制备纳米Cu颗粒；纳米Cu@Ag的制备，将硝酸银溶液加入铜粉和柠檬酸三钠的分散体系中，在铜颗粒表面发生置换反应形成Cu@Ag核壳；In‑Cu@Ag钎料预制片的制备，通过加压或者加热加压的方式，将In箔或微米In颗粒与纳米Cu@Ag核壳材料制备形成钎料预制片；本发明制备的In‑Cu@Ag钎料预制片可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞；可在低温无压条件下将芯片与基板互连，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN113798730A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111158493.8
申请日：2021-09-30
申请人： 南京恒电先进微波技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种微纳米银铜合金焊料及其制备方法，所述焊料包括如下组分：20～60wt.%纳米银铜固溶体粉末，30～72wt.%微米铜银核壳颗粒粉末，1～5wt.%分散剂，1～5wt.%粘结剂，1～5wt.%稀释剂，1～5wt.%助焊剂。本发明可实现纳米颗粒和微米颗粒的均匀混合，有效提高焊点强度，降低孔隙率，具备良好的抗氧化性和抗电迁移特性，并获得均匀的组织、高的钎料合金强度。
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公开(公告)号：CN116790140B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310759097.3
申请日：2023-06-26
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种掺杂多孔碳纳米球的二氧化锡基气敏涂料的制备方法及应用。所述方法为：将多孔碳纳米球分散在去离子水中，加入二氧化锡粉末，先后进行搅拌、超声和涡旋振荡得到均匀的混合溶液；在混合溶液中加入硝酸银，在60℃下搅拌反应，随后进行离心、洗涤，得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag材料；将所得材料溶解于无水乙醇中混匀，将混匀后的气敏涂料涂覆至带电极的陶瓷管表面，待涂料干燥后重复数次，得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag气敏传感器。本发明的纳米涂料可在100℃的温度下对异丙醇具备良好的传感特性，可有效解决目前的传感器工作温度较高的问题。具有工艺简单、成本低廉的特点。
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公开(公告)号：CN117381232A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311457249.0
申请日：2023-11-03
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种微米Cu@Pd核壳与纳米Ag复合焊膏及其制备方法和应用，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米Cu@Pd核壳颗粒的制备；步骤二：纳米Ag颗粒的制备；步骤三：复合焊膏制备；步骤四：基板的处理；步骤五：焊膏的涂覆；步骤六：热压烧结。本发明采用Cu@Pd微米核壳颗粒代替银纳米焊膏和铜纳米焊膏，解决了银纳米焊膏的电迁移和离子迁移、铜纳米焊膏易氧化的问题，同时钯与铜、银分别可以形成无限固溶体，解决了混合焊膏压力烧结时银壳从铜核上剥离，从而产生大量氧化的问题。
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公开(公告)号：CN117505838A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311522363.7
申请日：2023-11-15
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片及其制备方法和应用，属于电子封装微互连技术领域，具体方案为：通过化学镀法制得微米Cu@In核壳材料，并与微米In颗粒、微米Ag颗粒进行混合，最终得到微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片。将微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片置于基板上，并将芯片、预制片、基板装配成三明治结构，得到整体器件，将所述整体器件在一定压力下进行连接，得到互连器件。本发明能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN116790140A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310759097.3
申请日：2023-06-26
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种掺杂多孔碳纳米球的二氧化锡基气敏涂料的制备方法及应用。所述方法为：将多孔碳纳米球分散在去离子水中，加入二氧化锡粉末，先后进行搅拌、超声和涡旋振荡得到均匀的混合溶液；在混合溶液中加入硝酸银，在60℃下搅拌反应，随后进行离心、洗涤，得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag材料；将所得材料溶解于无水乙醇中混匀，将混匀后的气敏涂料涂覆至带电极的陶瓷管表面，待涂料干燥后重复数次，得到SnO2/多孔碳纳米球@Ag气敏传感器。本发明的纳米涂料可在100℃的温度下对异丙醇具备良好的传感特性，可有效解决目前的传感器工作温度较高的问题。具有工艺简单、成本低廉的特点。
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公开(公告)号：CN116275058A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314039.X
申请日：2023-03-28
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： B22F7/08 , B23K26/00 , B22F1/107 , B22F1/0545 , B22F1/17
摘要： 本发明公开了一种微纳米合金接头的多场耦合快速制备方法，所述方法将微纳米金属粉末与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合，得到混合焊膏；用常规的方法印刷或滴涂于待焊部位；用加热平台对基板预热去除部分水和有机物；采用电磁或激光与加热平台耦合、或激光、电磁感应与传统热场三场耦合加热焊接，形成接头。该方法将激光、电磁场与传统的热场耦合，三维立体烧结微纳混合颗粒，实现其瞬态、芯片区域的局部键合，攻克微纳米颗粒键合需要整体加热、键合效率低下的问题。多场耦合快速加热条件下，混合颗粒的原子和缺陷运动、扩散行为、填充行为，能够降低孔隙率，对接头微观组织结构和力学行为产生巨大影响。
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公开(公告)号：CN116275028A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314041.7
申请日：2023-03-28
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明公开了一种用于低温连接、高温服役的碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法与互连工艺，所述碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法如下：步骤1、将中空碳纳米球分散在溶剂中，搅拌并超声处理；步骤2、加入银源，在避光条件下搅拌后，加入还原剂；步骤3、将所得溶液在室温下避光搅拌；步骤4、将所得产物进行多次洗涤、离心、再分散，随后经干燥，得到碳纳米球@Ag核壳材料。本发明的碳纳米球@Ag核壳材料具有良好的抗氧化性，通过塑性变形可以有效减少形成接头中的孔隙和孔洞；可实现“低温连接、高温服役”，通过纳米颗粒的塑性变形有效减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装。
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公开(公告)号：CN115410934A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210853994.6
申请日：2022-07-20
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603 , H01L21/48 , H01L23/488 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备；步骤二：基板的处理；步骤三：焊膏的涂覆/印刷；步骤四：热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合，充分利用空间，降低孔隙率，能够大幅度地降低原材料的成本，在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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