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公开(公告)号：CN113725190A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN113725190B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110849006.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。
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公开(公告)号：CN114203643B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202111524860.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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公开(公告)号：CN112820700A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110133498.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。
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公开(公告)号：CN112234054B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202011169526.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本发明能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113851468A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111259374.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种模组化压接型半导体模块，包括：依次电连接的顶板、芯片单元组、弹性组件和底板，所述芯片单元组、弹性组件均有若干组；每一组芯片单元组上方设有一组所述弹性组件，每个弹性组件中设有不少于每组芯片单元组所包含的芯片个数的弹性件。优点：本发明的半导体模块通过模组化设计以及导电路径结构设计，能够提升导电能力、均流及降低热阻，弹性压接使得芯片之间受力均衡；模组化的设计还方便生产，方便根据需求配置模组个数。
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公开(公告)号：CN115642138A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211488224.2
申请日：2022-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/48 , H01L25/07 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种压接式IGBT模块，本发明在发射极电极和集电极电极之间的内腔内设置导电液结构体，在任一芯片失效时，芯片失效点与失效芯片的上钼片产生烧穿壳体的电弧，导电液从烧穿处流出，覆盖内腔内所有芯片及芯片周边空间，从而短接覆盖的导电结构，实现发射极电极和集电极电极的良好稳固性短路，使压接式IGBT模块具有稳定的长期短路失效功能。
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公开(公告)号：CN114068501A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111415555.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN114203661A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111431388.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/492 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本发明通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。
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公开(公告)号：CN114203643A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111524860.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本发明通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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