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公开(公告)号：CN114975724A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210626480.7
申请日：2022-06-02
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种倒装发光二极管及其制备方法，利用ODR反射层的金属反射层和绝缘反射层与外延层构成MIS电容结构，令第二电极连接相对较高的电位，第三电极连接相对较低的电位，使得外延层中的发光层发光，同时，令第一电极连接相对较高的电位，令第三电极连接相对较低的电位，使得电子从外延层的第一半导体层向发光层聚集，空穴从外延层的第二半导体层向发光层中聚集，提高了空穴注入效率，增加发光层中的辐射复合效率，在不降低辐射复合发光的透射效率的同时提高了光电转化效率，且成本低；本发明仅对现有的倒装发光二极管稍加改进，不会显著增加结构和制备工艺的复杂程度。
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公开(公告)号：CN114824010A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210470139.7
申请日：2022-04-28
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：外延层，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反；多个通孔，位于所述第二半导体层中，贯穿所述第二半导体层并露出所述电子阻挡层的表面；刻蚀阻挡层，位于所述通孔暴露出的所述电子阻挡层的表面；金属纳米层，位于所述通孔中的刻蚀阻挡层的表面；其中，多个所述通孔的底部位于所述刻蚀阻挡层的表面或内部。本发明的发光二极管及其制造方法，在多量子阱层上形成拥有较高刻蚀选择比的电子阻挡层和第二半导体层，对外延层表面的粗糙度以及厚度均匀性的要求显著降低。
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公开(公告)号：CN115347091A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210470567.X
申请日：2022-04-28
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及第二半导体层；多个接触孔，阵列分布于所述外延层中，所述接触孔贯穿所述第二半导体层和所述电子阻挡层，暴露出所述第一半导体层的表面；扩散层，位于相应的接触孔中的第一半导体层上；第一电极，经由所述多个接触孔与所述第一半导体层电连接；以及第二电极，与所述第二半导体层电连接。本发明的发光二极管及其制造方法，在接触孔暴露出来的第一半导体层表面形成由掺杂元素构成的扩散层，所述扩散层中的掺杂元素向所述第一半导体层内扩散以增加所述第一半导体层的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN114975713A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210489311.3
申请日：2022-05-06
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管的制造方法及发光二极管，所述制造方法包括：在第一衬底上形成外延层，所述外延层包括依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反；在电化学溶液中对所述第二半导体层进行电化学激活；形成第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层电连接；以及形成第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层电连接。本发明提供的发光二极管的制造方法，在形成所述外延层之后，对所述第二半导体层进行电化学激活，以提高第二半导体层的空穴浓度、减少氢浓度，进一步改善发光二极管的电光效率。
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公开(公告)号：CN113594312B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202110651719.1
申请日：2021-06-11
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔，自外延结构的第一表面向第二表面延伸，多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层，位于相应接触孔中，金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔，并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应，同时利用P型硅纳米层提供空穴，提升深紫外LED芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN114937722A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210471748.4
申请日：2022-04-29
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 公开了一种发光二极管及其制造方法，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括从下到上依次堆叠的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反；阻挡层，位于所述第一半导体层和所述多量子阱层之间；引导层，位于所述第一半导体层和阻挡层之间；以及纳米孔阵列，所述纳米孔阵列垂直于所述第一半导体层的表面，且至少位于所述引导层和第一半导体层中。本发明提供的发光二极管及其制造方法，在所述第一半导体层和所述多量子阱层之间设置阻挡层和引导层，形成贯穿引导层和第一半导体层且垂直于所述第一半导体层表面的纳米孔阵列，以对发光二极管的出光进行调整。
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公开(公告)号：CN113594312A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110651719.1
申请日：2021-06-11
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔，自外延结构的第一表面向第二表面延伸，多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层，位于相应接触孔中，金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔，并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应，同时利用P型硅纳米层提供空穴，提升深紫外LED芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN115621372A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110796299.6
申请日：2021-07-14
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/268 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种激光剥离LED外延衬底的设备及方法，在激光剥离时可采用盖板压紧LED晶圆，改善了LED晶圆的翘曲问题，使得LED晶圆被平整地固定在承载台上，避免激光扫描时LED晶圆上的某些位置的离焦问题，从而减少激光扫描过程中焦点调整的时间，提高了生产效率，并且可以避免激光扫描时晶圆翘曲位置应力实现时出现裂纹现象，提高了生产良率；由于盖板能够透射紫外光，不会影响紫外波段的激光光束透过。
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公开(公告)号：CN113611779B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110717833.X
申请日：2021-06-28
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种垂直结构的深紫外LED芯片、制造方法与外延结构，该制造方法包括：在蓝宝石衬底上形成外延结构，外延结构具有第一表面与第二表面，第二表面与蓝宝石衬底相连；将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，部分蓝宝石衬底在相邻的外延单元之间暴露；在相邻的外延单元之间暴露的蓝宝石衬底上形成粘附层；将第二衬底键合固定在外延结构的第一表面上方；激光剥离蓝宝石衬底；以及去除粘附层。该制造方法通过将外延结构分隔为阵列排布的多个外延单元，从而改善了由于高能量密度激光剥离瞬间产生的强烈冲击对外延结构造成严重损伤的问题。
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公开(公告)号：CN113594305B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202110650877.5
申请日：2021-06-11
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 公开了一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括在第一晶圆表面形成第一键合层，第一晶圆包括第一衬底以及外延层；在第二衬底表面形成第二键合层；在第一键合层和/或第二键合层表面上形成第三键合层；通过第一键合层、第二键合层及第三键合层将第一晶圆与第二衬底键合；将第一衬底剥离；第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层。在衬底转移过程中，通过第一键合层、第二键合层、第三键合层将外延层和第二衬底键合，第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层，在键合温度略高于第三键合层的熔点温度的环境下将外延层和第二衬底键合，以降低因材料晶格常数和热膨胀系统差异所导致的键合后翘曲问题。
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