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公开(公告)号：CN115394799A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210054178.9
申请日：2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明实施例是有关于一种半导体装置、存储单元和其形成方法。一种存储单元包括存储装置、连接结构、绝缘层以及选择器。连接结构设置在存储装置上并电性连接至存储装置。绝缘层覆盖存储装置和连接结构。选择器位于存储装置上并电性连接至存储装置，其中选择器设置在绝缘层上并通过贯穿绝缘层而连接到连接结构。
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公开(公告)号：CN109585555B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810911580.8
申请日：2018-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层。图案化第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以形成鳍结构。去除第三半导体层的部分，从而形成包括第二半导体层的纳米线，并且形成围绕纳米线导电材料。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包括不同的材料。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
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公开(公告)号：CN112133823A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010337594.0
申请日：2020-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L27/11507
Abstract: 本发明实施例提供一种存储单元和其形成方法。存储单元包含底部电极、蚀刻停止层、可变电阻层以及顶部电极。蚀刻停止层安置在底部电极上。可变电阻层嵌入在蚀刻停止层中且与底部电极接触。顶部电极安置在可变电阻层上。还提供一种具有存储单元的半导体器件。
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公开(公告)号：CN111863867A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010313831.X
申请日：2020-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 在一些实施例中，提供一种形成集成晶片(IC)的方法。此方法包括在基板上形成层间介电层。第一开口形成于层间介电层及集成晶片的第一区域中。第二开口形成于层间介电层及集成晶片的第二区域中。第一高介电常数介电层形成为内衬第一开口及第二开口。第二介电层形成于第一高介电常数介电层上，并且内衬于第一区域及第二区域中的第一高介电常数介电层。从第一区域去除第二高介电常数介电层。导电层形成于第一高介电常数介电层及第二高介电常数介电层上，其中导电层接触第一区域中的第一高介电常数介电层并接触第二区域中的第二高介电常数介电层。
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公开(公告)号：CN113113445A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110279794.X
申请日：2021-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，器件包含：位于衬底上方的第一金属化层，该衬底包含有源器件；位于第一金属化层上方的第一位线，该第一位线连接至第一金属化层的第一互连件，该第一位线沿第一方向延伸，该第一方向与有源器件的栅极平行；位于第一位线上方的第一相变随机存取存储器(PCRAM)单元；位于第一PCRAM单元上方的字线，该字线沿第二方向延伸，该第二方向与有源器件的栅极垂直；以及位于该字线上方的第二金属化层，该字线连接至该第二金属化层的第二互连件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN106711043A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610939078.9
申请日：2016-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02603 , H01L21/283 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/1079 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/66477 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/78
Abstract: 一种制造堆叠纳米线晶体管的方法，包含使用磊晶生长制程形成第一半导体堆叠，第一半导体堆叠包含与第二半导体层交替的第一半导体层，第一半导体层包含第一半导体材料且第二半导体层包含与第一半导体材料不同的第二半导体材料。图案化第一半导体堆叠以形成一组半导体堆叠特征。在半导体堆叠特征间形成隔离特征。移除半导体堆叠特征中至少一者，由此形成至少一沟槽。以及在沟槽中使用磊晶生长制程形成第二半导体堆叠，第二半导体堆叠具有与第一半导体堆叠不同的特征。
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公开(公告)号：CN103219340A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210192137.2
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。
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公开(公告)号：CN113517393B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110307279.8
申请日：2021-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 方法包括在衬底上方形成介电层，该介电层具有顶面；在介电层中蚀刻开口；在开口内形成底电极，该底电极包括阻挡层；在开口内及在底电极上形成相变材料(PCM)层，其中，PCM层的顶面与介电层的顶面齐平或位于介电层的顶面的下方；以及在PCM层上形成顶电极。本申请的实施例涉及相变存储器件及其形成方法。
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