公开(公告)号：CN106467288A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610609220.3

申请日：2016-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘晏成 ,  黄信锭 ,  蔡尚颖 ,  张贵松

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B3/0005 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/092 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0785 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/0041 ,  B81C3/001

Abstract: 一种半导体结构包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在第二衬底上方，并且包括延伸穿过第一覆盖结构到达第二器件的通孔；第一腔，环绕第一器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；第二腔，环绕第二器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；以及第二覆盖结构，设置在第一覆盖结构上方并覆盖通孔，其中，通过第二覆盖结构密封第二腔和通孔。本发明还提供了半导体结构的制造方法。