公开(公告)号：CN115463761A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210051037.1

申请日：2022-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子扬 ,  张育正 ,  吴承翰 ,  李尚昇 ,  刘朕与 ,  徐振益

IPC: B05B9/04

Abstract: 一种分配泵浦、分配系统及其操作方法，分配系统包含容纳分配材料的分配材料供应源与连接分配材料供应源的下游的分配泵浦。分配泵浦包含由第一导电材料制成的本体、一或多个第一电接点设于分配泵浦的本体上、以及一或多个第一连接线耦合在一或多个第一电接点的每一个与地之间。分配系统亦包含与分配泵浦的下游连接的分配喷嘴，分配喷嘴包含由第二导电材料制成的管子、一或多个第二电接点设于管子的外侧面、以及一或多个第二连接线耦合在一或多个第二电接点的每一个与地之间。

公开(公告)号：CN108962728B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201711166831.6

申请日：2017-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开实施例提供集成电路的制造方法。此方法包含提供基底，其具有顶面和从顶面凹陷的沟槽，将敏感材料层涂布于基底的顶面上，其中敏感材料层填入沟槽中，对敏感材料层执行活化处理，使得部分的敏感材料层化学性地改变，以及对敏感材料层执行湿式化学工艺，使得敏感材料层位于沟槽之上的顶部部分被移除，其中敏感材料层的剩余部分的顶面与基底的顶面大致上共平面。该方法可以消除凹凸不平的轮廓，提供了平坦化的顶面。

公开(公告)号：CN108231548B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201710631901.4

申请日：2017-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王筱姗 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。

公开(公告)号：CN108231550B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201710686801.1

申请日：2017-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王筱姗 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供一种材料组成以及方法，其包含形成图案化光阻层于基板上。图案化光阻层具有第一图案宽度与第一图案轮廓，且第一图案轮廓具有活性点位的第一比例。在一些例子中，将处理材料涂布至图案化光阻层。在一些实施例中，处理材料键结至图案化光阻层的表面，以提供处理后的图案化光阻层，处理后的图案化光阻层具有第二图案轮廓，第二图案轮廓具有活性点位的第二比例，且第二比例大于第一比例。举例来说，在涂布处理材料至图案化光阻层时，可进行第一图案缩减工艺，其中处理后的图案化光阻层具有第二图案宽度，且第二图案宽度小于第一图案宽度。

公开(公告)号：CN111208716A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910462253.3

申请日：2019-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  刘朕與 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN110716394A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910272919.9

申请日：2019-04-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供多种半导体系统、设备及方法。在一实施例中，极紫外光光刻系统包括：基板台，配置以将基板固定在第一垂直高度，其中基板上沉积有光刻胶层；至少一电极，位于第一垂直高度上方的第二垂直高度；以及电源，配置以在前述至少一电极与基板台上施加电场，包括当基板固定在基板台上时电场跨越光刻胶层的厚度。

公开(公告)号：CN108231548A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710631901.4

申请日：2017-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王筱姗 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  G03F7/26 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

Abstract: 提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。

公开(公告)号：CN105990104A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510860185.8

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  吴承翰 ,  王筱姗

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂来处理该负型光致抗蚀剂层；该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品。

公开(公告)号：CN118502197A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410472007.7

申请日：2024-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王士诚 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  张雅晴

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括在基板上方形成金属光阻层。图案化金属光阻层以在基板上方形成金属光阻图案。在金属光阻图案上方形成耐蚀刻层组成物以形成耐蚀刻层，耐蚀刻层组成物包括无机组分、有机组分或其组合。

公开(公告)号：CN111834187B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202010051533.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪蔡豪 ,  柯柄成 ,  林子扬 ,  刘芳瑜 ,  吴承翰

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  H05K9/00

Abstract: 提供了半导体处理装置和方法，其中，静电放电(ESD)防止层用于防止或减少在半导体晶圆和装置的一个或多个组件之间发生的ESD事件。在一些实施例中，一种半导体处理装置包括晶圆处理结构，晶圆处理结构配置为在半导体晶圆的处理期间支撑半导体晶圆。装置还包括位于晶圆处理结构上的ESD防止层。ESD防止层包括第一材料和第二材料，并且第二材料的电导率大于第一材料的电导率。本发明的实施例还涉及利用静电放电(ESD)防止层的方法。