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公开(公告)号：CN108231548A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710631901.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/26 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN105990104A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510860185.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/26
Abstract: 本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂来处理该负型光致抗蚀剂层；该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品。
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公开(公告)号：CN105990104B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201510860185.8
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/26
Abstract: 本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂来处理该负型光致抗蚀剂层；该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品。
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公开(公告)号：CN108231550A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710686801.1
申请日：2017-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H05K3/064 , G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/094 , G03F7/202 , G03F7/405 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种材料组成以及方法，其包含形成图案化光阻层于基板上。图案化光阻层具有第一图案宽度与第一图案轮廓，且第一图案轮廓具有活性点位的第一比例。在一些例子中，将处理材料涂布至图案化光阻层。在一些实施例中，处理材料键结至图案化光阻层的表面，以提供处理后的图案化光阻层，处理后的图案化光阻层具有第二图案轮廓，第二图案轮廓具有活性点位的第二比例，且第二比例大于第一比例。举例来说，在涂布处理材料至图案化光阻层时，可进行第一图案缩减制程，其中处理后的图案化光阻层具有第二图案宽度，且第二图案宽度小于第一图案宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107154344A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201611193075.1
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/327 , G03F7/0046 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/405 , G03F7/425 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/3086 , G03F7/26 , H01L21/0272
Abstract: 一种微影方法，包括形成第一层于基板上；形成图案化光致抗蚀剂层于第一层上；施加溶液于图案化光致抗蚀剂层上，以形成顺应层于图案化光致抗蚀剂层上，其中顺应层还包括第一部分于图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及第二部分沿着图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除图案化光致抗蚀剂层的上表面上的顺应层的第一部分；以及选择性移除图案化光致抗蚀剂层，以保留顺应层的第二部分。
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公开(公告)号：CN113161228A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110475544.3
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 本申请涉及树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法。具体地，本文公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案化的光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物以及包含自由基活性官能团和酸不稳定基团的树脂。
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公开(公告)号：CN109801838A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811235228.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 提供包含使用光刻胶材料的半导体结构的形成方法。半导体结构的形成方法包括在基底之上形成材料层以及在材料层之上形成光刻胶层。半导体结构的形成方法还包括在光刻胶层上进行曝光制程以及显影光刻胶层。并且，光刻胶层是由光刻胶材料所形成，光刻胶材料包含感光性聚合物，且感光性聚合物具有第一感光性官能基团及第一酸不稳定基团，第一感光性官能基团键合至感光性聚合物的主链，第一酸不稳定基团键合至第一感光性官能基团。
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公开(公告)号：CN108957959A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201711114378.4
申请日：2017-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供一种微影图案化的方法。该方法包括：形成开口于基底上方的第一层中；及涂布接枝溶液于第一层上方并填充于开口中。接枝溶液包括接枝化合物及溶剂。接枝化合物包括接枝单元，其化学键结至连接单元，且连接单元化学键结至聚合物主链。连接单元包括烷基链段。接枝单元能附接至第一层。上述方法更包括：固化接枝溶液，使得接枝化合物附接至第一层的表面，从而形成第二层于第一层的上述表面上方。
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公开(公告)号：CN108957959B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201711114378.4
申请日：2017-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供一种微影图案化的方法。该方法包括：形成开口于基底上方的第一层中；及涂布接枝溶液于第一层上方并填充于开口中。接枝溶液包括接枝化合物及溶剂。接枝化合物包括接枝单元，其化学键结至连接单元，且连接单元化学键结至聚合物主链。连接单元包括烷基链段。接枝单元能附接至第一层。上述方法更包括：固化接枝溶液，使得接枝化合物附接至第一层的表面，从而形成第二层于第一层的上述表面上方。
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