公开(公告)号：CN1940716A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610103312.0

申请日：2006-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧智彰 ,  唐存正 ,  蔡飞国 ,  李慈莉 ,  邱建明 ,  李正中 ,  苏益辰 ,  林志诚 ,  康东耀 ,  谢弘璋

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0042 ,  B08B7/0071 ,  G03F1/82

Abstract: 本发明是有关于一种清洁光罩的方法，是用来清洁相位移光罩与其他光罩以及含钼表面。在一实施例中，借由准分子氙气雷射所产生的真空紫外光(VUV)将氧气转变为臭氧，以用于第一清洁操作中。在真空紫外光/臭氧清洁之后，可进行湿式SC1化学清洁，且二步骤清洁程序减少相位移损失与增加传送。在另一实施例中，第一步骤可使用其他方法以在含钼表面上形成钼氧化物。在又一实施例中，此多步骤清洁操作是提供湿式化学清洁，例如SC1或SPM或是两者皆有，接着进一步进行化学或物理处理，例如臭氧、烘烤或电解离子水。

公开(公告)号：CN112666791A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011015575.2

申请日：2020-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 唐存正 ,  张浩铭 ,  许盛昌 ,  林政旻

IPC: G03F1/84 ,  G06T7/00

Abstract: 本发明实施例涉及缺陷检验的方法。根据本发明的一些实施例，一种缺陷检验方法包含：接收具有多个图案的衬底；获得所述衬底的灰度图像，其中所述灰度图像包含多个区，且所述区中的每一者具有灰度值；比较每一区的所述灰度值与灰度参考以定义第一群组、第二群组及第N群组，其中所述第一群组、所述第二群组及所述第N群组中的每一者具有至少一区；执行计算以获得得分；及当所述得分大于一个值时，确定所述衬底具有ESD缺陷，且当所述得分小于所述值时，确定所述衬底不具有所述ESD缺陷。

公开(公告)号：CN222690051U

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202420958618.8

申请日：2024-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈品成 ,  唐存正 ,  严国志

IPC: G03F7/20

Abstract: 本实用新型提供一种光刻系统包括：顶部部分；设置在所述顶部部分的掩膜台；底部部分；位于所述底部部分的护膜台；以及安装于所述掩膜台的第二光学检测器，所述第二光学检测器面向所述护膜台。光刻系统可以经由光学检测器侦测粒子，这降低了重工并提高了利用率。