公开(公告)号：CN100517756C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710108848.6

申请日：2007-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟于彰 ,  柳瑞兴 ,  林月秋 ,  许顺良 ,  张启宣 ,  夏德殷

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692

Abstract: 本发明提供一种半导体结构。高压金属氧化物半导体装置用作该半导体结构，包括：第一高压阱区，形成于衬底上；第二高压阱区；具有与该第一及第二高压阱区相反导电类型的第三高压阱区，其中该高压P型阱区有至少一部分位于该第一高压N型阱区与该第二高压N型阱区之间；绝缘区，位于该第一高压N型阱区、该第二高压N型阱区、及该高压P型阱区中；栅极介电层，覆盖该第一高压N型阱区，并延伸至该第二高压N型阱区；栅极，形成于该栅极介电层上；以及遮蔽图案，与该栅极电性绝缘，覆盖该绝缘区。进一步地，该栅极与该遮蔽图案间具有小于0.4微米的间距。该遮蔽图案还耦接小于该栅极应力电压的电压。本发明能够消除热偏压应力测试所引起的漏电流。

公开(公告)号：CN101097958A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710108848.6

申请日：2007-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟于彰 ,  柳瑞兴 ,  林月秋 ,  许顺良 ,  张启宣 ,  夏德殷

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692

Abstract: 本发明提供一种半导体结构。高压金属氧化物半导体装置用作该半导体结构，包括：第一高压阱区，形成于衬底上；第二高压阱区；具有与该第一及第二高压阱区相反导电类型的第三高压阱区，其中该高压P型阱区有至少一部分位于该第一高压N型阱区与该第二高压N型阱区之间；绝缘区，位于该第一高压N型阱区、该第二高压N型阱区、及该高压P型阱区中；栅极介电层，覆盖该第一高压N型阱区，并延伸至该第二高压N型阱区；栅极，形成于该栅极介电层上；以及遮蔽图案，与该栅极电性绝缘，覆盖该绝缘区。进一步地，该栅极与该遮蔽图案间具有小于0.4微米的间距。该遮蔽图案还耦接小于该栅极应力电压的电压。本发明能够消除热偏压应力测试所引起的漏电流。

公开(公告)号：CN113540243A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110069074.0

申请日：2021-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏亮宇 ,  蔡宏智 ,  柳瑞兴 ,  雷明达 ,  杨彰台 ,  夏德殷 ,  钟于彰 ,  杨南盈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 一种雪崩保护场效晶体管在半导体衬底内包括：主体半导体层及经掺杂主体接触区，具有第一导电类型的掺杂；以及源极区、漏极区，具有第二导电类型的掺杂。隐埋的第一导电类型阱可位于半导体衬底内。隐埋的第一导电类型阱位于漏极区之下，且在平面图中与漏极区具有面积交叠，且在垂直方向上与漏极区间隔开，并且具有比主体半导体层高的第一导电类型的掺杂剂的原子浓度。场效晶体管的配置在雪崩击穿期间诱导超过90％的碰撞电离电荷从源极区流动、穿过隐埋的第一导电类型阱、并撞击在漏极区的底表面上。另提供一种形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN100517755C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710085900.0

申请日：2007-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简幸仪 ,  钟于彰 ,  柳瑞兴 ,  夏德殷

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种半导体元件，包括：第一高压阱区，具有第一掺杂杂质且设置于导体基底；第二高压阱区，具有第二掺杂杂质且设置于半导体基底，并侧向相邻于第一高压阱区；低压阱区，具有第二掺杂杂质且位于第二高压阱区的上方，并侧向相邻于上述第一高压阱区；漏极，具有第一掺杂杂质且设置于第一高压阱区；源极，具有第一掺杂杂质且设置于低压阱区；以及栅极，设置于半导体基底并侧向位于源极以及漏极之间，其中栅极包括薄栅极电介质以与栅极电极。

公开(公告)号：CN101079447A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710085900.0

申请日：2007-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简幸仪 ,  钟于彰 ,  柳瑞兴 ,  夏德殷

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种半导体元件，包括：第一高压阱区，具有第一掺杂杂质且设置于导体基底；第二高压阱区，具有第二掺杂杂质且设置于半导体基底，并侧向相邻于第一高压阱区；低压阱区，具有第二掺杂杂质且位于第二高压阱区的上方；漏极，具有第一掺杂杂质且设置于第一高压阱区；源极，具有第一掺杂杂质且设置于低压阱区；以及栅极，设置于半导体基底并侧向位于源极以及漏极之间，其中栅极包括薄栅极电介质以与栅极电极。