公开(公告)号：CN102790058B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210005717.6

申请日：2012-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有正面和背面。该半导体器件还包括互连结构，设置在器件衬底的正面上，互连结构具有n层金属层。该半导体器件还包括接合焊盘，设置在器件衬底的背面上，该接合焊盘延伸穿过互连结构，并且直接接触n层金属层的第n层金属层。本发明还提供一种带有接合焊盘的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102867832A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210010832.2

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  林政贤 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括具有正面和背面的器件衬底、被设置在该器件衬底正面上的互连结构、以及与该互连结构相连接的接合焊盘。接合焊盘包括位于介电材料层中的凹陷区域、介于凹陷区域之间的介电材料层的介电台、以及被设置在凹陷区域中和介电台上的金属层。本发明还提供了一种具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法。

公开(公告)号：CN111092090A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910438119.X

申请日：2019-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄儒瑛 ,  陈永庆 ,  林月秋 ,  郭彦良

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请的各种实施例涉及具有高强度和接合能力的焊盘。在一些实施例中，集成芯片包括衬底、互连结构、焊盘和导电结构。互连结构邻接衬底并且包括导线和通孔。导线和通孔堆叠在焊盘和衬底之间。导电结构(例如，引线接合)延伸穿过衬底至焊盘。通过在焊盘和衬底之间布置导线和通孔，焊盘可以嵌入互连结构的钝化层中，并且钝化层可以吸收焊盘上的应力。此外，焊盘可以在顶部导线层级处接触导线和通孔。顶部导线层级的厚度可以超过其他导线层级的厚度，由此顶部导线层级可以更耐受应力。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN102916018A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110350734.9

申请日：2011-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  蔡双吉 ,  林月秋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

Abstract: 一种图像传感器器件包括：具有正面和背面的半导体衬底；位于半导体衬底正面上的第一介电层；位于第一介电层中的金属焊盘；位于第一介电层上方以及位于半导体衬底正面上的第二介电层；从半导体衬底的背面穿透半导体衬底的开口，其中该开口包括第一部分和第二部分，所述第一部分延伸以暴露一部分金属焊盘，所述第二部分延伸以暴露一部分第二介电层；以及在开口的第一部分和第二部分中形成的金属层。本发明还提供了一种在介电层中的双开口中形成的焊盘结构。

公开(公告)号：CN111092090B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN201910438119.X

申请日：2019-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄儒瑛 ,  陈永庆 ,  林月秋 ,  郭彦良

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请的各种实施例涉及具有高强度和接合能力的焊盘。在一些实施例中，集成芯片包括衬底、互连结构、焊盘和导电结构。互连结构邻接衬底并且包括导线和通孔。导线和通孔堆叠在焊盘和衬底之间。导电结构(例如，引线接合)延伸穿过衬底至焊盘。通过在焊盘和衬底之间布置导线和通孔，焊盘可以嵌入互连结构的钝化层中，并且钝化层可以吸收焊盘上的应力。此外，焊盘可以在顶部导线层级处接触导线和通孔。顶部导线层级的厚度可以超过其他导线层级的厚度，由此顶部导线层级可以更耐受应力。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN102916018B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110350734.9

申请日：2011-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  蔡双吉 ,  林月秋

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器器件包括：具有正面和背面的半导体衬底；位于半导体衬底正面上的第一介电层；位于第一介电层中的金属焊盘；位于第一介电层上方以及位于半导体衬底正面上的第二介电层；从半导体衬底的背面穿透半导体衬底的开口，其中该开口包括第一部分和第二部分，所述第一部分延伸以暴露一部分金属焊盘，所述第二部分延伸以暴露一部分第二介电层；以及在开口的第一部分和第二部分中形成的金属层。本发明还提供了一种在介电层中的双开口中形成的焊盘结构。

公开(公告)号：CN102867832B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210010832.2

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  林政贤 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括具有正面和背面的器件衬底、被设置在该器件衬底正面上的互连结构、以及与该互连结构相连接的接合焊盘。接合焊盘包括位于介电材料层中的凹陷区域、介于凹陷区域之间的介电材料层的介电台、以及被设置在凹陷区域中和介电台上的金属层。本发明还提供了一种具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法。

公开(公告)号：CN102915991B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201110353065.0

申请日：2011-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  蔡双吉 ,  林月秋

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11916 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种集成电路结构包括：半导体衬底；以及介电焊盘，该介电焊盘从半导体衬底的底面向上延伸到半导体衬底中。低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方。开口从半导体衬底的顶面向下延伸，从而穿透半导体衬底、介电焊盘、以及低k介电层，其中，开口位于金属焊盘的顶面上方。钝化层的一部分位于开口的侧壁上，其中，位于开口的底部的钝化层的一部分被去除。本发明还提供了一种BSI图像传感器芯片中的焊盘结构。

公开(公告)号：CN102915991A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110353065.0

申请日：2011-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  蔡双吉 ,  林月秋

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11916 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种集成电路结构包括：半导体衬底；以及介电焊盘，该介电焊盘从半导体衬底的底面向上延伸到半导体衬底中。低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方。开口从半导体衬底的顶面向下延伸，从而穿透半导体衬底、介电焊盘、以及低k介电层，其中，开口位于金属焊盘的顶面上方。钝化层的一部分位于开口的侧壁上，其中，位于开口的底部的钝化层的一部分被去除。本发明还提供了一种BSI图像传感器芯片中的焊盘结构。

公开(公告)号：CN102790058A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210005717.6

申请日：2012-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有正面和背面。该半导体器件还包括互连结构，设置在器件衬底的正面上，互连结构具有n层金属层。该半导体器件还包括接合焊盘，设置在器件衬底的背面上，该接合焊盘延伸穿过互连结构，并且直接接触n层金属层的第n层金属层。本发明还提供一种带有接合焊盘的半导体器件及其制造方法。