公开(公告)号：CN116230640A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202210445953.3

申请日：2022-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟于彰 ,  陈奕寰 ,  周建志 ,  蔡宗杰 ,  刘思贤 ,  袁焕之 ,  宋主名

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一些实施例关于一种集成芯片结构。集成芯片结构包括具有第一组件区与第二组件区的衬底。多个第一晶体管组件配置在第一组件区中且分别包括配置在第一栅极结构的相对侧上的外延源极/漏极区。外延源极/漏极区包括外延材料。多个第二晶体管组件配置在第二组件区中且分别包括配置在第二栅极结构的相对侧上的注入源极/漏极区。虚设区包括一或多个虚设结构。一或多个虚设结构包括包含有外延材料的虚设外延区。

公开(公告)号：CN220963350U

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202322419525.6

申请日：2023-09-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋主名 ,  钟于彰 ,  周建志 ,  陈映州 ,  邱奕凯 ,  陈斐筠 ,  林其德

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例涉及集成芯片。集成芯片包括具有一个或多个内部表面的衬底，一个或多个内部表面在衬底的上表面内形成凹陷。源极/漏极区设置在衬底中，在凹陷的相对侧上。第一栅极介电质沿一个或多个内部表面形成的凹陷配置，第二栅极介电质配置在第一栅极介电质之上和凹陷之内。栅极设置在第二栅极介电质上。第二栅极介电质包括一个或多个从第二栅极介电质的凹陷上表面向外延伸并沿第二栅极介电质的相对侧配置的凸起。