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公开(公告)号：CN117174587A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310292531.1
申请日：2023-03-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及用于多栅极器件的栅极轮廓调整。本文公开了栅极轮廓调整技术。示例性栅极轮廓调整方法包括在沟道层之上形成栅极结构。栅极结构包括虚设栅极和沿着虚设栅极的侧壁设置的栅极间隔件。该方法还包括部分地去除虚设栅极以形成限定栅极轮廓的栅极开口。然后通过处理栅极间隔件的部分(例如，通过氧等离子体处理)并去除栅极间隔件的经处理部分(例如，通过氧去除)来修改栅极轮廓。在去除虚设栅极的剩余部分以暴露沟道层之后，在栅极开口中形成栅极结构的栅极堆叠。栅极堆叠可以具有漏斗形轮廓。在一些实施例中，栅极堆叠在沟道层上方的宽度大于栅极堆叠在沟道层下方的宽度。
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公开(公告)号：CN115732326A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210806835.0
申请日：2022-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L29/78
Abstract: 一种形成纳米结构场效应晶体管(nano‑FET)器件的及其形成方法，该方法包括：形成鳍结构，鳍结构包括鳍和覆盖在鳍上的第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构的相对侧上的鳍结构上方形成源极/漏极区；去除伪栅极结构，以暴露伪栅极结构下方的第一和第二半导体材料；选择性地去除暴露的第一半导体材料，在选择性去除之后，保留暴露的第二半导体材料以形成纳米结构，其中纳米结构的不同表面具有第二半导体材料的不同的原子密度；在纳米结构周围形成栅极介电层，在纳米结构的不同表面上形成的栅极介电层的厚度基本相同；在栅极介电层周围形成栅电极。
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公开(公告)号：CN105321803A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510091142.8
申请日：2015-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L29/0649 , H01L29/1037
Abstract: 本发明提供了形成半导体布置的方法。形成半导体布置的方法包括：在沟槽中的衬底上或者在衬底上的介电柱之间形成第一核。形成第一核包括以相对于衬底的顶面的第一角度施加第一源材料束并且同时以相对于衬底的顶面的第二角度施加第二源材料束。通过旋转衬底同时施加第一源材料束和第二源材料束由第一核形成第一半导体柱。使用第一源材料束和第二源材料束在沟槽中或者在介电柱之间形成第一半导体柱将第一半导体柱的形成限制于单一方向。
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公开(公告)号：CN113257740A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011410902.4
申请日：2020-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 在本申请的实施例中，一种半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的栅极间隔件，该栅极间隔件具有上部和下部，上部的第一宽度沿远离半导体衬底的顶面延伸的第一方向连续减小，下部的第二宽度沿第一方向恒定；沿栅极间隔件的第一侧壁和半导体衬底的顶面延伸的栅极堆叠件；以及与栅极间隔件的第二侧壁相邻的外延源极/漏极区域。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111128740A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911045801.9
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置的制造方法可以包含在基底上方形成虚设介电层以及在虚设介电层上方形成虚设栅极。此方法还可以包含形成第一间隔物邻近虚设栅极；以及移除虚设栅极以形成空腔，其中空腔至少部分地由第一间隔物界定。此方法还可以包含在第一间隔物的多个部分上进行等离子体处理，其中等离子体处理使第一间隔物的所述部分的材料组成从第一材料组成改变为第二材料组成。此方法还可以包含蚀刻第一间隔物的具有第二材料组成的部分，以移除第一间隔物的具有第二材料组成的部分；以及使用多个导电材料填充空腔以形成栅极结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128740B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911045801.9
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体装置的制造方法可以包含在基底上方形成虚设介电层以及在虚设介电层上方形成虚设栅极。此方法还可以包含形成第一间隔物邻近虚设栅极；以及移除虚设栅极以形成空腔，其中空腔至少部分地由第一间隔物界定。此方法还可以包含在第一间隔物的多个部分上进行等离子体处理，其中等离子体处理使第一间隔物的所述部分的材料组成从第一材料组成改变为第二材料组成。此方法还可以包含蚀刻第一间隔物的具有第二材料组成的部分，以移除第一间隔物的具有第二材料组成的部分；以及使用多个导电材料填充空腔以形成栅极结构。
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公开(公告)号：CN113192889B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010748996.X
申请日：2020-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件及方法。在一个实施例中，一种结构包括：纳米结构；外延源极/漏极区域，与纳米结构相邻；栅极电介质，围绕纳米结构；栅极电极，位于栅极电介质之上，该栅极电极具有上部部分和下部部分，该上部部分的第一宽度在远离纳米结构的顶表面延伸的第一方向上连续增加，该下部部分的第二宽度沿第一方向是恒定的；以及栅极间隔件，位于栅极电介质和外延源极/漏极区域之间。
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公开(公告)号：CN115881794A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211055293.4
申请日：2022-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种方法包括在晶圆上形成伪栅极氧化物，并且伪栅极氧化物形成在晶圆中的突出半导体鳍的侧壁和顶面上。伪栅极氧化物的形成可以包括沉积室中的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，并且PECVD工艺包括将射频(RF)功率施加至晶圆下方的导电板。该方法还包括在伪栅极氧化物上方形成伪栅电极，去除伪栅电极和伪栅极氧化物以在相对的栅极间隔件之间形成沟槽，以及在沟槽中形成替换栅极。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN115842039A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210853679.3
申请日：2022-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 用于形成半导体器件结构的方法包括：形成堆叠在衬底上方的交替的第一半导体层和第二半导体层。方法也包括：蚀刻第一半导体层和第二半导体层以形成鳍结构。方法也包括：氧化第一半导体层以形成第一半导体层的第一氧化部分；以及氧化第二半导体层以形成第二半导体层的第二氧化部分。方法也包括：去除第二半导体层的侧壁上方的氧化物。在去除第二氧化部分之后，第二半导体层的上层窄于第二半导体层的下层。方法也包括：去除第一半导体层以在第二半导体层之间形成栅极开口。方法也包括：在栅极开口中形成栅极结构。本申请的实施例还涉及半导体器件结构。
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公开(公告)号：CN105321803B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201510091142.8
申请日：2015-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L29/0649 , H01L29/1037
Abstract: 本发明提供了形成半导体布置的方法。形成半导体布置的方法包括：在沟槽中的衬底上或者在衬底上的介电柱之间形成第一核。形成第一核包括以相对于衬底的顶面的第一角度施加第一源材料束并且同时以相对于衬底的顶面的第二角度施加第二源材料束。通过旋转衬底同时施加第一源材料束和第二源材料束由第一核形成第一半导体柱。使用第一源材料束和第二源材料束在沟槽中或者在介电柱之间形成第一半导体柱将第一半导体柱的形成限制于单一方向。
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