公开(公告)号：CN102683312B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210057624.8

申请日：2012-03-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 倪其聪 ,  王乙翕 ,  李欣桂 ,  苏钦豪

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B81B7/00

CPC分类号： H01L21/768 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。

公开(公告)号：CN102683312A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210057624.8

申请日：2012-03-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 倪其聪 ,  王乙翕 ,  李欣桂 ,  苏钦豪

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B81B7/00

CPC分类号： H01L21/768 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。