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公开(公告)号：CN105280508B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410441271.0
申请日：2014-08-29
申请人： 颀邦科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/482
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03912 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11848 , H01L2224/13005 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16237 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/35 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2924/206
摘要： 本发明是关于一种具有凸块结构的基板及其制造方法，该基板包括：半导体基板，具有本体、导接垫及保护层；凸块下金属层，电性连接该导接垫；以及凸块结构，包含铜层及镍层，该铜层位于该凸块下金属层与该镍层之间，该铜层与该凸块下金属层电性连接。该制造方法包括：在半导体基板上形成铜层后，借由控制形成于该铜层上的镍层厚度，以使该铜层与该镍层所组成的凸块结构在退火后，该凸块结构的硬度可符合要求，以避免该具有凸块的基板覆晶结合于玻璃基板时，造成该玻璃基板的破裂。
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公开(公告)号：CN104205328B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380012403.1
申请日：2013-02-13
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 梨子田典弘
CPC分类号： H01L24/09 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L24/01 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L2224/0401 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11848 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13369 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1623 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/81048 , H01L2224/81065 , H01L2224/81091 , H01L2224/81095 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81359 , H01L2224/81385 , H01L2224/8184 , H01L2224/92242 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/1304 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/35 , H01L2924/351 , H05K3/32 , H05K3/3436 , H05K3/4015 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/01 , H01L2224/80 , H01L2924/00012
摘要： 在使用金属纳米粒子对导电柱(8)和被接合构件即半导体芯片(6)或带导电图案的绝缘基板(4)进行金属粒子接合的情况下，通过将导电柱(8)的前端的底面(12)形成为凹状，从而能获得牢固的接合层。
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公开(公告)号：CN104099653B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310680470.2
申请日：2013-12-11
申请人： 南茂科技股份有限公司
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/039 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05027 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/11906 , H01L2224/13005 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/8159 , H01L2224/8169 , H01L2224/81744 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81862 , H01L2224/83104 , H01L2924/01322 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2224/1182 , H01L2924/0665 , H01L2924/206 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要： 本发明提供一种用于制造一半导体结构的方法。该方法包括：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在该导电衬垫上方形成一晶种层；在该晶种层上方界定一第一遮罩层；及在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体。该在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体包括以下操作：制备一第一基于氰化物的电镀浴；将该第一基于氰化物的电镀浴的一pH值控制在6至8的一范围内；将该半导体晶粒浸没至该第一基于氰化物的电镀浴中；及将0.1ASD至0.5ASD的一电镀电流密度施加至该半导体晶粒。
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公开(公告)号：CN104716120A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410020221.5
申请日：2014-01-16
申请人： 南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/76898 , H01L23/3192 , H01L23/488 , H01L23/49541 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05005 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05639 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/16245 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48639 , H01L2224/48839 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/814 , H01L2224/8159 , H01L2224/8169 , H01L2224/81744 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81862 , H01L2224/81948 , H01L2224/83104 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2924/01046 , H01L2924/206 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/013 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2924/01033 , H01L2224/1146
摘要： 一种半导体结构包括：装置；在所述装置上方的导电衬垫；及安置在所述导电衬垫上的Ag1-xYx合金柱，其中所述Ag1-xYx合金的Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且其中所述Ag1-xYx合金的X在0.005至0.25的范围内。
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公开(公告)号：CN104769711B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380057472.4
申请日：2013-10-30
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L29/43 , B81B2207/093 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/768 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L29/84 , H01L2224/02166 , H01L2224/03019 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/10126 , H01L2224/11019 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/1183 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13138 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13163 , H01L2224/13565 , H01L2224/13687 , H01L2224/13688 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/01034 , H01L2924/0109 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 一种导电互连(340、440、540、640)包括导电支承层(330、430、530、630)，在该导电支承层(330、430、530、630)上的导电材料(320、520、620)，以及部分地包围该导电材料(320、520、620)的无机套环(350、450、550、650)。无机套环(350、450、550、650)也被布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。一种制造导电互连(340、440、540、640)的方法包括在籽晶层(304、504)上制造导电材料(320、520、620)，形成有机套环(310、510)以部分地包围该导电材料(320、520、620)，蚀刻导电籽晶层(304、504)以形成导电支承层(330、430、530、630)，以及进行加热以将有机套环(310、510)转变为无机套环(350、450、550、650)，该无机套环(350、450、550、650)部分地包围导电材料(320、520、620)并布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。有机套环(310、510)可通过在导电材料(320、520、620)上沉积光敏旋涂电介质材料并图案化该光敏旋涂电介质材料来形成。导电材料(620)可以是单个导电材料(320)或者可包括由势垒层分隔的第一导电层(332)和第二导电层(324)的堆叠，在这种情况下加热步骤还导致导电材料堆叠中的第二导电层(324)的回流。
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公开(公告)号：CN104051382B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310294054.9
申请日：2013-07-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/603
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/1184 , H01L2224/11848 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要： 本发明提供了层叠封装结构及其形成方法，该方法包括压印底部封装件的焊球，其中在压印步骤之后，焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。
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公开(公告)号：CN104143540B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410189758.4
申请日：2014-05-06
申请人： 奇景光电股份有限公司
发明人： 林久顺
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L29/43 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/13006 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/13552 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074
摘要： 本发明公开一种薄膜倒装结构、金属凸块结构与形成薄膜倒装结构的方法。薄膜倒装结构包含用来完全覆盖位于金属焊垫上的金属凸块的帽盖层、夹置于金属凸块与帽盖层间的凸块合金层、完全覆盖与聚合材料层连接的引脚层的覆层、直接夹置于引脚层与覆层间的引脚合金层。凸块合金层、引脚合金层与界面合金层分别具有梯度组成。
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公开(公告)号：CN104051406B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310680445.4
申请日：2013-12-11
申请人： 南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L23/15 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05027 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05541 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11825 , H01L2224/11848 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13562 , H01L2224/13564 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/814 , H01L2224/8159 , H01L2224/8169 , H01L2224/81744 , H01L2224/81815 , H01L2224/8185 , H01L2224/81862 , H01L2224/83104 , H01L2924/01322 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/0655 , H01L2924/206 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/1146
摘要： 一半导体结构包括：一装置；在所述装置上的一导电衬垫；及在所述导电衬垫上方的一Ag1-xYx合金凸块。所述Ag1-xYx凸块的Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶体的金属，且所述Ag1-xYx合金凸块之的X在0.005至0.25的一范围内。一个标准差与所述Ag1-xYx合金凸块的一粒径分布的一均值之间的一差异在0.2μm至0.4μm的一范围内。所述Ag1-xYx合金凸块在一纵向横截面平面上的一平均粒径在0.5μm至1.5μm的一范围内。
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公开(公告)号：CN103283008B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180059481.8
申请日：2011-09-26
申请人： 英闻萨斯有限公司
发明人： 基思·莱克·巴里 , 苏塞特·K·潘格尔 , 格兰特·维拉维森西奥 , 杰弗里·S·莱亚尔
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/293 , H01L23/3185 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/038 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/1131 , H01L2224/11848 , H01L2224/13017 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13347 , H01L2224/16145 , H01L2224/24051 , H01L2224/24105 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/244 , H01L2224/245 , H01L2224/24992 , H01L2224/24997 , H01L2224/25175 , H01L2224/2919 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/831 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 一种管芯具有位于互连边缘附近的互连面上的互连焊盘和具有被保形介质涂层覆盖的至少部分互连面，其中，介质涂层上的互连迹线与介质涂层的表面形成高界面角。因为迹线具有高界面角，减轻互连材料横向“渗出”的趋势且避免相邻迹线的接触或重叠。互连迹线包括可固化的导电互连材料，即包括可以以可流动方式施加的材料，然后被固化或被允许固化以形成导电迹线。而且，一种方法包括：在形成迹线之前，对保形介质涂层的表面进行CF4等离子体处理。
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公开(公告)号：CN105280508A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410441271.0
申请日：2014-08-29
申请人： 颀邦科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/482
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03912 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11848 , H01L2224/13005 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16237 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/35 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/00012 , H01L2924/206
摘要： 本发明是关于一种具有凸块结构的基板及其制造方法，该基板包括：半导体基板，具有本体、导接垫及保护层；凸块下金属层，电性连接该导接垫；以及凸块结构，包含铜层及镍层，该铜层位于该凸块下金属层与该镍层之间，该铜层与该凸块下金属层电性连接。该制造方法包括：在半导体基板上形成铜层后，借由控制形成于该铜层上的镍层厚度，以使该铜层与该镍层所组成的凸块结构在退火后，该凸块结构的硬度可符合要求，以避免该具有凸块的基板覆晶结合于玻璃基板时，造成该玻璃基板的破裂。
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