公开(公告)号：CN107887393B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201710837641.6

申请日：2017-09-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄学理 ,  王宏烵 ,  翁烔城 ,  朱文定 ,  廖钰文 ,  沈桂弘 ,  杜国源 ,  黄胜煌

IPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573

摘要： 本发明实施例涉及一种具有单一底部电极层的存储器装置。本揭露涉及一种制造存储器装置的方法。所述方法通过在衬底上方形成层间介电ILD层且在所述ILD层上方的介电保护层内形成开口而执行。在所述开口内和所述介电保护层上方形成底部电极层。对所述底部电极层执行化学机械平面化CMP工艺以形成底部电极结构，所述底部电极结构具有平面上表面和从所述底部电极结构的下表面向外突出到所述开口内的凸出部。在所述底部电极结构上方形成存储器元件且在所述存储器元件上方形成顶部电极。

公开(公告)号：CN107887393A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710837641.6

申请日：2017-09-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄学理 ,  王宏烵 ,  翁烔城 ,  朱文定 ,  廖钰文 ,  沈桂弘 ,  杜国源 ,  黄胜煌

IPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157

摘要： 本发明实施例涉及一种具有单一底部电极层的存储器装置。本揭露涉及一种制造存储器装置的方法。所述方法通过在衬底上方形成层间介电ILD层且在所述ILD层上方的介电保护层内形成开口而执行。在所述开口内和所述介电保护层上方形成底部电极层。对所述底部电极层执行化学机械平面化CMP工艺以形成底部电极结构，所述底部电极结构具有平面上表面和从所述底部电极结构的下表面向外突出到所述开口内的凸出部。在所述底部电极结构上方形成存储器元件且在所述存储器元件上方形成顶部电极。