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公开(公告)号：CN111223793B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910973171.5
申请日：2019-10-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明实施例涉及一种分析方法。所述方法包含：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。
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公开(公告)号：CN104564597B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410004965.8
申请日：2014-01-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 苏伦德拉·巴布·阿南塔洛曼 , 杨文成 , 高宗恩 , 卢一斌 , 秦威
CPC分类号： F04B37/08 , F04B37/085
摘要： 本发明提供了具有纳米结构材料的超高真空低温泵装置。本发明的低温泵装置包括纳米结构材料以实现超高真空度。纳米结构材料可以与吸附材料或者固定粘合层混合，固定粘合层用于固定吸附材料。纳米结构材料的良好的热导性和吸附性能有助于降低工作温度并且延长低温泵的再生周期。
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公开(公告)号：CN111223793A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910973171.5
申请日：2019-10-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明实施例涉及一种分析方法。所述方法包含：提供包含预定中心的夹具及安装于所述夹具上的磁控管；使所述磁控管旋转且获得所述夹具的所述预定中心处的测得第一磁通量密度；基于所述测得第一磁通量密度而界定所述磁控管的第一区域；使所述磁控管旋转，且测量所述磁控管的所述第一区域内的多个第二磁通量密度；导出所述多个第二磁通量密度当中的测得第二磁通量密度；比较所述测得第二磁通量密度与预定阈值；以及基于所述比较而执行操作。
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公开(公告)号：CN108231667A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711295814.2
申请日：2017-12-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本公开提供半导体装置结构及其形成方法。上述方法包含将半导体基底置于物理气相沉积腔室内。上述方法也包含导入等离子体形成气体至物理气相沉积腔室内，其中等离子体形成气体含有含氧气体。上述方法还包含施加射频功率至位于物理气相沉积腔室内的金属靶，以激发等离子体形成气体而产生等离子体。此外，上述方法包含将等离子体导向位于物理气相沉积腔室内的金属靶，使得蚀刻停止层形成于半导体基底上。
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公开(公告)号：CN104779197A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410105822.6
申请日：2014-03-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
摘要： 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
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公开(公告)号：CN114990504A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210140698.1
申请日：2022-02-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 一种用于物理气相沉积的设备和方法包括：磁控管，其具有位于基座和导磁板之间的多个电磁体。磁控管包括位于基座和导磁板之间的多个单独控制的电磁体。磁控管控制供应给各个电磁体的电流的极性和强度，以产生磁场将电子限制在沉积腔室内靶材附近的区域。
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公开(公告)号：CN106356331B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201510849444.7
申请日：2015-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 本发明的一些实施例涉及一种制造集成电路器件的方法。在该方法中，在衬底上方形成介电层。介电层包括布置在介电层内的开口。沿着开口的底部和侧壁表面形成第一钴衬垫。在第一钴衬垫的暴露的表面上形成阻挡衬垫。在开口中并且在阻挡衬垫上方形成块状钴层以填充开口的剩余空间。本发明实施例涉及钴互连件技术。
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公开(公告)号：CN104779197B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410105822.6
申请日：2014-03-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
摘要： 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
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公开(公告)号：CN106356331A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510849444.7
申请日：2015-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 本发明的一些实施例涉及一种制造集成电路器件的方法。在该方法中，在衬底上方形成介电层。介电层包括布置在介电层内的开口。沿着开口的底部和侧壁表面形成第一钴衬垫。在第一钴衬垫的暴露的表面上形成阻挡衬垫。在开口中并且在阻挡衬垫上方形成块状钴层以填充开口的剩余空间。本发明实施例涉及钴互连件技术。
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公开(公告)号：CN112575300A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010972850.3
申请日：2020-09-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 普拉德·吉尔达·乔杜里 , 李则辉 , 韦志成 , 杨文成 , 倪其聪
摘要： 本发明实施例提供一种靶材测量装置以及测量靶材的方法。所述靶材测量装置包含固定环、主体及收发器。所述固定环具有第一表面。所述主体位于所述固定环的所述第一表面上方。所述收发器耦合到所述主体。从俯视视角来看，所述收发器至少可在所述固定环的中心与所述固定环的边缘之间移动。本发明实施例还提供一种用于测量靶材的方法。
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