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公开(公告)号：CN103971725B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201310185167.5
申请日：2013-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/412 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C14/009 , G11C2213/79
Abstract: 本发明公开了一种基于电阻的随机存取存储电路，包括第一数据线、第二数据线、多个存储单元、第一驱动单元和第二驱动单元。存储单元以平行于第一数据线和第二数据线的方向一个接一个地排列。存储单元的每一个都连接在第一数据线和第二数据线之间。第一驱动单元与第一数据线的第一端和第二数据线的第一端连接。第一驱动单元被配置成将第一数据线和第二数据线中的一条电连接至第一电压节点。第二驱动单元与第一数据线的第二端和第二数据线的第二端连接。第二驱动单元被配置成将第一数据线和第二数据线的另一条电连接至第二电压节点。
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公开(公告)号：CN106887423B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610783800.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/525 , H01L27/112 , G11C11/16 , G11C11/22 , G11C13/00
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括衬底、第一晶体管和第一图案化的导电层。第一晶体管具有在衬底中的源极区域、漏极区域以及在衬底上的栅极区域。第一图案化的导电层电连接至第一晶体管的漏极区域。第一图案化的导电层包括第一区段、第二区段和可熔器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219461B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210193379.3
申请日：2012-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及了一种磁阻随机存储器(MRAM)单元，包括了磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶电极、设置在MTJ下方的底电极，以及设置在MTJ上方或下方的感应线。感应线被配置成在MTJ处产生磁场。
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公开(公告)号：CN106887423A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610783800.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/525 , H01L27/112 , G11C11/16 , G11C11/22 , G11C13/00
CPC classification number: H01L27/1052 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/11206 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L23/528 , G11C11/16 , G11C11/22 , G11C13/0004 , H01L23/525 , H01L23/5256
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括衬底、第一晶体管和第一图案化的导电层。第一晶体管具有在衬底中的源极区域、漏极区域以及在衬底上的栅极区域。第一图案化的导电层电连接至第一晶体管的漏极区域。第一图案化的导电层包括第一区段、第二区段和可熔器件。
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公开(公告)号：CN106886723A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611055733.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G06F21/79 , G06F12/14 , G06F12/1408 , G06F2211/007 , G06F2212/1052 , G06F21/77
Abstract: 本发明实施例提供一种存储器装置，其包括存储器阵列、第一置乱电路及第二置乱电路。所述第一置乱电路经配置以响应于输入数据而以第一置乱模式提供第一经置乱数据。所述第二置乱电路经配置以响应于所述第一经置乱数据而以第二置乱模式提供第二经置乱数据。
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公开(公告)号：CN103971725A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310185167.5
申请日：2013-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/412 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C14/009 , G11C2213/79
Abstract: 本发明公开了一种基于电阻的随机存取存储电路，包括第一数据线、第二数据线、多个存储单元、第一驱动单元和第二驱动单元。存储单元以平行于第一数据线和第二数据线的方向一个接一个地排列。存储单元的每一个都连接在第一数据线和第二数据线之间。第一驱动单元与第一数据线的第一端和第二数据线的第一端连接。第一驱动单元被配置成将第一数据线和第二数据线中的一条电连接至第一电压节点。第二驱动单元与第一数据线的第二端和第二数据线的第二端连接。第二驱动单元被配置成将第一数据线和第二数据线的另一条电连接至第二电压节点。
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公开(公告)号：CN103219461A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210193379.3
申请日：2012-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及了一种磁阻随机存储器(MRAM)单元，包括了磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶电极、设置在MTJ下方的底电极，以及设置在MTJ上方或下方的感应线。感应线被配置成在MTJ处产生磁场。
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