公开(公告)号：CN119965158A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510095131.0

申请日：2025-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 贾汉中 ,  陈颉彦 ,  沈科翰 ,  郭鸿毅

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H10B80/00

Abstract: 本申请的实施例公开了半导体组件及其形成方法。多个处理器管芯可以附接到中介结构，所述中介结构包括其中形成有中介金属互连结构的中介介电材料层。介电基质可以在所述中介结构上方的所述多个处理器管芯周围形成。路由管芯可以附接到多个处理器管芯。所述路由管芯包括其中形成有路由金属互连结构的路由介电材料层以及其中形成有路由衬底穿通孔结构的路由衬底。路由衬底的背侧可以被减薄，从而暴露所述路由衬底穿通孔结构的端面。在减薄所述路由衬底的所述背侧之后，将存储器管芯附接到所述路由衬底。所述存储器管芯的接合焊盘电连接到所述路由衬底穿通孔结构。

公开(公告)号：CN221239606U

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202322728680.6

申请日：2023-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢政杰 ,  沈科翰 ,  连于仁 ,  盛维康

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L23/367

Abstract: 本公开实施例提出一种半导体芯片封装。上述半导体芯片封装包括形成在集成电路芯片的表面中的冷却界面区。包括通道区和柱状结构的组合的冷却界面区可直接暴露于半导体芯片封装之上及/或周围的流体。

公开(公告)号：CN221596429U

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202322919558.7

申请日：2023-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭鸿毅 ,  余振华 ,  李忠儒 ,  柯志明 ,  刘重希 ,  沈科翰 ,  连于仁 ,  盛维康 ,  余国宠 ,  卢思维 ,  蔡宗甫

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型实施例提供一种封装物。封装物包括集成电路装置、封装剂及散热结构。集成电路装置附接于基板。封装剂设置于基板之上并横向围绕集成电路装置，其中封装剂的顶表面与集成电路装置的顶表面共平面。散热结构设置于集成电路装置及封装剂之上，其中散热结构包括传导层、多个柱状物及多个纳米结构。传导层设置于封装剂及集成电路装置之上。传导层包括多个岛状物，其中多个岛状物中的至少一部分在俯视视角中排列成沿着第一方向延伸的多个排线。多个柱状物设置于传导层的多个岛状物之上。多个纳米结构设置于多个柱状物之上。