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公开(公告)号：CN118315332A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410300665.8
申请日：2024-03-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
摘要： 本文公开了通孔结构及其制造方法。示例性方法包括形成延伸穿过绝缘层并且延伸至衬底中的沟槽。衬底具有第一侧(例如，前侧)和第二侧(例如，背侧)。绝缘层设置在衬底的第一侧上方。方法包括：用介电材料填充沟槽；以及对衬底的第二侧实施减薄工艺，减薄工艺暴露介电材料。在减薄工艺以及从沟槽去除介电材料之后，方法包括在沟槽中形成导电结构(例如，包裹导电插塞的阻挡衬垫)，导电结构从第一侧延伸穿过衬底至第二侧。阻挡衬垫的形成导电结构的顶部的部分设置在绝缘层中。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法和形成衬底通孔的方法。
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公开(公告)号：CN115020443A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210201389.0
申请日：2022-03-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/22
摘要： 本发明实施例的一种半导体封装包括第一半导体器件及第二半导体器件。第一半导体器件包括第一半导体衬底、第一接合结构以及存储单元。第二半导体器件堆叠在第一半导体器件之上。第二半导体器件包括第二半导体衬底、位于第二介电层中的第二接合结构以及位于第二半导体衬底与第二接合结构之间的外围电路。第一接合结构与第二接合结构接合并设置在存储单元与外围电路之间，且存储单元与外围电路通过第一接合结构及第二接合结构电连接。
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公开(公告)号：CN113851504A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110923194.2
申请日：2021-08-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/22
摘要： 本公开提供一种半导体装置。根据一个实施例的半导体装置包括包含顶部表面的介电层、设置于介电层中且包含多个顶部电极的多个磁阻式存储器单元、设置于介电层上方的第一蚀刻停止层、延伸穿过第一蚀刻停止层以直接接触多个顶部电极的共同电极、以及设置于第一蚀刻停止层以及共同电极上的第二蚀刻停止层。多个顶部电极的顶部表面与介电层的顶部表面共平面。
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公开(公告)号：CN114883482A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210121760.2
申请日：2022-02-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 在半导体装置的制造方法中，形成单元结构。单元结构包括底部电极、设置在底部电极上的磁穿隧接面(MTJ)堆叠、以及设置在MTJ堆叠上的硬罩幕层。在MTJ堆叠的侧壁上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层和硬罩幕层上方形成第二绝缘覆盖层。形成第一层间介电(ILD)层。通过蚀刻第一ILD层和第二绝缘覆盖层来暴露硬罩幕层。形成第二ILD层。通过图案化第二ILD层并移除硬罩幕层，在第二ILD层中形成接点开口。在接点开口中形成导电层，使得导电层接触MTJ堆叠。
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公开(公告)号：CN114079002A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110868449.X
申请日：2021-07-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 半导体器件包括：底部电极；位于底部电极上方的磁隧道结(MTJ)元件；位于MTJ元件上方的顶部电极；以及邻接MTJ元件的侧壁间隔件，其中底部电极、顶部电极和侧壁间隔件中的至少一个包括磁性材料。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN118486645A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410368251.9
申请日：2024-03-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/528
摘要： 本公开的实施例提供了形成具有平坦钝化表面的RDL结构的方法。一些实施例提供了用于化学机械抛光的停止层，该停止层设置在钝化层下面。一些实施例提供了钝化沉积的额外厚度和用于钝化抛光的牺牲钝化层。一些实施例通过插入伪图案对象来提供修改的RDL图案以调整图案密度。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113725255A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110911963.7
申请日：2021-08-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/22
摘要： 半导体结构包括位于第二金属层正上方的第三金属层，该第二金属层位于第一金属层上方。该第二金属层包括位于存储区中的磁隧道结(MTJ)器件和位于逻辑区中的第一导电部件。每个MTJ器件包括位于底电极和底电极上方的MTJ堆叠件。该第三金属层包括电连接至第一导电部件的第一通孔、以及位于MTJ器件的MTJ堆叠件上方并电连接至该MTJ堆叠件的槽通孔。该槽通孔占据从MTJ器件中的第一个向MTJ器件中的最后一个连续横向延伸的空间。该第一通孔与槽通孔一样薄或更薄。该第三金属层还包括分别电连接至第一通孔和槽通孔的第二导电部件和第三导电部件。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN118380404A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410378065.3
申请日：2024-03-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/544 , H01L23/48 , H01L21/66 , H01L21/60
摘要： 根据本申请的实施例，提供了再分布结构。根据本公开的再分布结构包括：第一介电层；网状金属部件，设置在第一介电层中，并且包括基底部分和围绕基底部分的框架部分；第二介电层，设置在第一介电层和网状金属部件上方；再分布部件，设置在第二介电层上方；钝化结构，设置在再分布部件和第二介电层上方；焊盘开口，延伸穿过钝化结构以暴露再分布部件的顶面。再分布部件包括多个接触通孔，多个接触通孔延伸穿过第二介电层以落在网状金属部件的框架部分上。根据本申请的其他实施例，还提供了导电结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118198128A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410193764.0
申请日：2024-02-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明的实施例提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括第一导电焊盘在第一方向上设置在衬底的第一侧上方。该集成电路器件包括第二导电焊盘在第一方向上设置在衬底的第二侧上方。该集成电路器件包括衬底贯通孔(TSV)在第一方向上延伸至衬底中。TSV在第一方向上设置在第一导电焊盘和第二导电焊盘之间。该集成电路器件包括空气衬垫在与第一方向不同的第二方向上设置在TSV和衬底之间。本发明的另一些实施例还提供了形成集成电路器件的方法。
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