公开(公告)号：CN116153786A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210933365.4

申请日：2022-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊毅 ,  苏崇毅 ,  林宗达 ,  徐志安

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 形成半导体器件的方法包括：在半导体区域上形成伪栅极堆叠件，在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件，去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成凹槽，以及在半导体区域上形成氧化硅层。氧化硅层延伸至凹槽中。在氧化硅层上方沉积高k介电层，并且在高k介电层上方沉积硅层。硅层延伸至凹槽中。高k介电层与硅层在相同的真空环境中原位沉积。该方法还包括对硅层和高k介电层执行退火工艺，去除硅层，以及在高k介电层上方形成栅电极。栅电极填充凹槽。

公开(公告)号：CN110224024A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201810595785.X

申请日：2018-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱诗航 ,  吴仲强 ,  陈智城 ,  苏崇毅 ,  黄泰维 ,  刘冠廷 ,  李达元 ,  苏庆煌

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法的实施例。此半导体装置包含栅极结构，该栅极结构包含高介电常数栅极介电层、功函数金属层、以及无缝金属填充层。高介电常数栅极介电层位于半导体鳍片中的通道之上。功函数金属层位于高介电常数栅极介电层之上。无缝金属填充层位于功函数金属层之上。此半导体装置的形成方法的实施例包含：在短通道半导体鳍片之上形成高介电常数栅极电极层，在高介电常数栅极电极层之上形成功函数金属层，以及在功函数金属层之上顺应性地形成无缝的金属填充层。