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公开(公告)号：CN118712133A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410739895.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 方法包括形成晶体管，这包括：形成半导体纳米结构；形成包围半导体区域的界面层；在界面层上沉积偶极膜；在偶极膜上沉积高k介电层；以及在高k介电层上沉积栅电极。晶体管的形成可以没有偶极掺杂剂驱入工艺，并且可以没有偶极膜去除工艺。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN116565015A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310339295.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，此方法包含形成第一鳍结构于基底的第一区之上以及第二鳍结构于基底的第二区之上，形成第一栅极介电层围绕第一鳍结构和第二栅极介电层围绕第二鳍结构，形成阻挡层于第一栅极介电层之上，用第一含氟气体处理基底，在用第一含氟气体处理基底之后，形成功函数层于第二栅极介电层之上，以及在形成功函数层于第二栅极介电层之上之后，用第二含氟气体处理基底。
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公开(公告)号：CN118712135A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410739900.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括形成CFET结构，CFET结构具有底部栅极区和顶部栅极区，底部栅极区具有围绕第一多个沟道缠绕的第一多个栅极介电层，顶部栅极区具有包绕第二多个沟道的第二多多个栅极介电层。该方法包括执行第一偶极环工艺以将第一偶极掺杂剂驱入到第一多个栅极介电层中，以及执行第二偶极环工艺来将第二偶极掺杂剂驱入第二多个栅极介电层中。并且在执行第一和第二偶极环工艺之后，该方法包括在第一和第二多个栅极介电层上沉积栅极金属。本申请的实施例还公开了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN118645474A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311424596.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/49
Abstract: 本申请公开了互补晶体管的调谐功函数。一种方法，包括：基于半导体区域的第一部分来形成源极/漏极区域；基于半导体区域的第二部分来形成界面层；在界面层上形成偶极子膜；在偶极子膜上沉积高k电介质层；以及在高k电介质层上沉积功函数层。
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公开(公告)号：CN116153786A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210933365.4
申请日：2022-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 形成半导体器件的方法包括：在半导体区域上形成伪栅极堆叠件，在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件，去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成凹槽，以及在半导体区域上形成氧化硅层。氧化硅层延伸至凹槽中。在氧化硅层上方沉积高k介电层，并且在高k介电层上方沉积硅层。硅层延伸至凹槽中。高k介电层与硅层在相同的真空环境中原位沉积。该方法还包括对硅层和高k介电层执行退火工艺，去除硅层，以及在高k介电层上方形成栅电极。栅电极填充凹槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115911115A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210994858.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括设置在衬底上方的第一器件区域中的第一沟道区域；设置在第一沟道区域上方的第一栅极介电层；以及设置在第一栅极介电层上方的栅电极。第一栅极介电层包括第一偶极子掺杂剂和第二偶极子掺杂剂。第一偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电层的厚度方向具有第一浓度峰，并且第二偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电层的厚度方向具有第二浓度峰。第二浓度峰位于第一浓度峰和第一栅极介电层的上表面之间。第二浓度峰偏离第一栅极介电层的上表面。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN118315386A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410300667.7
申请日：2024-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体结构及其形成方法。一种示例方法包括接收工件，该工件包括衬底、衬底的第一区上的第一沟道构件、衬底的第二区上的第二沟道构件和衬底的第三区上方的第三沟道构件，沉积第一栅极介电层以包绕第一沟道构件中的每个，以及所述第三沟道构件中的每一者，选择性地沉积第一偶极层以包裹所述第三沟道构件的每个，执行第一退火工艺以将所述第一偶极层中的第一掺杂剂驱动到所述第二沟道构件周围的所述第一栅极介电层中，去除所述第一偶极层，且在所述去除之后，沉积第二栅极介电层以包裹围绕所述第一沟道构件、所述第二沟道构件和所述第三沟道构件。
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公开(公告)号：CN117316768A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310529835.5
申请日：2023-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/41 , H01L21/28
Abstract: 本公开涉及无体积氟掺入方法。一种方法包括：去除虚设栅极堆叠，以在栅极间隔件之间形成沟槽；沉积延伸到所述沟槽中的栅极电介质；以及对所述栅极电介质执行第一处理工艺。所述第一处理工艺是使用含氟气体来执行的。执行第一驱入工艺以将所述含氟气体中的氟驱入到所述栅极电介质中。所述方法还包括：对所述栅极电介质执行第二处理工艺，其中，所述第二处理工艺是使用所述含氟气体来执行的；以及执行第二驱入工艺以将所述含氟气体中的氟驱入到所述栅极电介质中。在所述第二驱入工艺之后，形成导电层以填充所述沟槽。
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公开(公告)号：CN116110966A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210813554.8
申请日：2022-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 实施例包括：器件，包括位于第一半导体部件的第一沟道区域上的第一高k栅极电介质，第一高k栅极电介质是具有在至范围内的晶粒尺寸的结晶层。器件也包括位于第一高k栅极电介质上的第一栅电极。器件也包括位于第一栅电极的相对侧上的源极区域和漏极区域。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114823512A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210071236.9
申请日：2022-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本公开提供一种半导体装置结构的形成方法。半导体装置结构的形成方法包括提供基板与基板之上的绝缘层。半导体装置结构的形成方法包括利用原子层沉积制程于绝缘层之上及宽沟槽与窄沟槽中沉积栅极介电层。半导体装置结构的形成方法包括于栅极介电层之上形成栅极电极层。半导体装置结构的形成方法包括移除位于宽沟槽与窄沟槽之外的栅极介电层与栅极电极层。
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