公开(公告)号：CN111129147A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911052681.5

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 韩蕙安 ,  刘定一 ,  范彧达 ,  许凯翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在第一导电层的表面区域处形成保护层，通过在保护层上施加含金属的气体来形成金属层，并且通过使用溶液的湿蚀刻操作去除金属层。保护层抵抗湿蚀刻操作的溶液。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN106328536A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510766070.2

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈治棻 ,  彭垂亚 ,  游靖 ,  林炳亨 ,  庄严 ,  范彧达

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、衬垫和外延结构。衬底具有凹槽。衬垫设置在凹槽中。衬垫比衬底更加致密。外延结构设置在凹槽中。衬垫设置在外延结构和衬底之间。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN111129147B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201911052681.5

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 韩蕙安 ,  刘定一 ,  范彧达 ,  许凯翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在第一导电层的表面区域处形成保护层，通过在保护层上施加含金属的气体来形成金属层，并且通过使用溶液的湿蚀刻操作去除金属层。保护层抵抗湿蚀刻操作的溶液。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN106328536B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201510766070.2

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈治棻 ,  彭垂亚 ,  游靖 ,  林炳亨 ,  庄严 ,  范彧达

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、衬垫和外延结构。衬底具有凹槽。衬垫设置在凹槽中。衬垫比衬底更加致密。外延结构设置在凹槽中。衬垫设置在外延结构和衬底之间。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106298885B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201510809494.2

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李暐凡 ,  刘致为 ,  王锦焜 ,  范彧达 ,  黄智雄 ,  林子尧

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。

公开(公告)号：CN1641857A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510001816.7

申请日：2005-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡释严 ,  吕伯雄 ,  杨佳明 ,  刘沧宇 ,  范彧达 ,  范振朋

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76838

Abstract: 本发明提供了一种减少铜金属化过程中产生的铜金属突起的方法，其步骤包括：于基板上形成具有开口的介电层，形成铜金属层以填充该开口，研磨该铜金属层至该开口中铜金属层露出；提供氟离子至该铜金属层，以减少铜金属突起并于该铜金属层表面形成缓冲区；之后，于该铜金属层上原位沉积覆盖层。本发明利用氟离子移除自然形成于铜金属表面的氧化铜，并利用该缓冲区将铜金属中的热垂直应力转换成水平应力，藉以避免铜金属突起的形成。

公开(公告)号：CN119615122A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411892163.5

申请日：2017-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  游国丰 ,  范彧达

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52

Abstract: 根据一例子，一种改良型等离子强化原子层沉积方法包括于基材上进行沉积制程的多个第一沉积循环，以及在进行多个第一沉积循环后，进行等离子强化层沉积循环。等离子强化层沉积循环包含等离子处理制程。多个第一层沉积循环的进行不包含等离子处理制程。

公开(公告)号：CN106298885A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510809494.2

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李暐凡 ,  刘致为 ,  王锦焜 ,  范彧达 ,  黄智雄 ,  林子尧

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及介面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括栅极结构形成在该介面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该介面层，且该介面层与该基板的一顶表面直接接触。本发明的半导体结构可提升半导体结构的效能。

公开(公告)号：CN100349282C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200510076835.6

申请日：2005-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  黄鸿仪 ,  范彧达

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法，具体为在氮气或其它厌氧气体中，对铜晶种层进行表面处理进而改善铜电镀品质的方法。另一种改善方式是利用抛光处理来加强铜晶种层的可镀性。再一种改善方式是将晶种层在高温中退火，或是在室温下作长时间退火。还有一种改善方式是将晶种层暴露于具有表面活性剂与化学成分的溶液中，将污染物溶解。晶种层的沉积可调整成一种更适合电镀的表面型态，而后续对晶种层的表面处理，可改善镀覆其上铜金属层的品质。

公开(公告)号：CN1767169A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510076835.6

申请日：2005-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  黄鸿仪 ,  范彧达

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法，具体为在氮气或其它厌氧气体中，对铜晶种层进行表面处理进而改善铜电镀品质的方法。另一种改善方式是利用抛光处理来加强铜晶种层的可镀性。再一种改善方式是将晶种层在高温中退火，或是在室温下作长时间退火。还有一种改善方式是将晶种层暴露于具有表面活性剂与化学成分的溶液中，将污染物溶解。晶种层的沉积可调整成一种更适合电镀的表面型态，而后续对晶种层的表面处理，可改善镀覆其上铜金属层的品质。