公开(公告)号：CN108074952A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710741126.8

申请日：2017-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕寰 ,  范富杰 ,  郑光茗 ,  霍克孝 ,  叶力瑄 ,  赵堉斌

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/3223 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3255 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L27/3244 ,  H01L21/28247

Abstract: 本揭露涉及一种有机发光装置中具有合并间隔件的装置。更具体而言，本揭露涉及一种包含逻辑装置的有机发光装置及一种相关联的制造方法，所述逻辑装置包括虚设图案及合并间隔件。在一些实施例中，所述有机发光装置放置于衬底上方。所述逻辑装置耦合到所述有机发光装置且包括放置于所述衬底内且通过沟道区域分离的一对源极/漏极区域。栅极结构上覆所述沟道区域且包括栅极电极及通过合并间隔件与所述栅极电极分离的虚设图案。通过将所述虚设图案及所述合并间隔件布置于所述栅极电极与所述源极/漏极区域之间，放大所述栅极电极与所述源极/漏极区域之间的距离，且因此减小栅极诱发的漏极泄漏GIDL效应。

公开(公告)号：CN106558602A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610850027.9

申请日：2016-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄绍勋 ,  谢易叡 ,  赵堉斌 ,  潘正圣

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/41725

Abstract: 本公开提供半导体装置结构与其形成方法。半导体装置结构包括源极结构于半导体基板中。半导体装置结构亦包括沟道层于半导体基板上。沟道层的第一部份覆盖部份源极结构。沟道层的第二部份横向地延伸出源极结构。半导体装置结构还包括漏极结构于半导体基板上。漏极结构与源极结构具有不同的导电型态。漏极结构邻接沟道层的第二部份。