公开(公告)号：CN109799684A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811365850.6

申请日：2018-11-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭爵旗 ,  李宗彦 ,  周佳信 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  许哲彰

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 提供一种倍缩掩模固持工具，包括外壳，外壳包括上外壳构件以及侧向外壳构件。侧向外壳构件从上外壳构件延伸，且在一下边缘终止。倍缩掩模固持工具还包括定位于外壳中的倍缩掩模吸座，且倍缩掩模吸座配置以固定倍缩掩模。倍缩掩模固持工具亦包括气体输送总成。气体输送总成是定位于外壳内，且配置以供应气体至外壳内。

公开(公告)号：CN115524930A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210161469.8

申请日：2022-02-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 塗时雨 ,  王绍华 ,  刘彦豪 ,  郭爵旗 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种微影系统的清洁方法与微影系统的清洁系统，在微影系统的清洁方法中，在闲置模式期间，经由第一开口将空气流引导至极紫外微影系统的晶圆台的腔室中。利用所引导的空气流从晶圆台的腔室中的一或多个晶圆卡盘的表面抽取一或多个微粒。经由第二开口将空气流与所抽取的一或多个微粒抽出晶圆台的腔室。

公开(公告)号：CN109814330A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811365845.5

申请日：2018-11-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张晓伦 ,  郭爵旗 ,  李宗彦 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  许哲彰

IPC分类号： G03F1/40

摘要： 本公开提供一种提供了掩模、掩模容器和掩模上累积的静电荷的放电方法。掩模包括遮罩基板、反射多层结构、覆盖层、吸收结构和导电材料结构。遮罩基板具有前侧表面和后侧表面。反射多层结构位于遮罩基板的前侧表面上方。覆盖层位于反射多层结构上方。吸收结构位于覆盖层上方。导电材料结构位于遮罩基板的侧壁表面和吸收结构的侧壁表面上方。

公开(公告)号：CN113594073A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110851441.2

申请日：2021-07-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王绍华 ,  郭爵旗 ,  何奎霖 ,  杨宗祐 ,  孙晟维 ,  陈威远 ,  陈振杰 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/687

摘要： 一种微影系统及形成半导体装置的方法，方法包括在晶圆台上的晶圆载物台上方传送晶圆。晶圆台包括台主体、晶圆载物台、第一滑动部件、第二滑动部件、第一缆线、第一托架及第二托架，以及挡止器。第二滑动部件为沿着第一方向可移动的，其中第一滑动部件耦接至第二滑动部件的轨道，第一滑动部件为沿着垂直于第一方向的第二方向可移动的。第一托架及第二托架通过板弹簧连接。方法包括朝向台主体的边缘移动晶圆载物台，使得晶圆载物台向外推动第一缆线，使得板弹簧朝向挡止器的面向板弹簧的表面上的第一保护膜移动。

公开(公告)号：CN109524286A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201710854745.8

申请日：2017-09-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李宗彦 ,  卢玟铵 ,  郭爵旗 ,  许哲彰 ,  周佳信 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/32

摘要： 本公开实施例提供一种半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法。上述半导体晶圆加工系统的清洁方法包括在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方。通过上述掩模静电座将上述清洁装置的一聚合物材料层吸附于上述掩模静电座。当上述清洁装置吸附于上述掩模静电座且经过一第一时间时，将上述清洁装置与上述掩模静电座分离。

公开(公告)号：CN111061129B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201811209082.5

申请日：2018-10-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 傅中其 ,  黄郁茹 ,  郑介任 ,  郭爵旗

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本公开部分实施例提供一种清洁光刻系统的方法。上述方法包括放置一光学元件至一光罩座。上述方法还包括自一光源产生一光束，并利用一第一光导件导引光束至光学元件，使光束在光学元件的一反射面的一有效区域反射并射入一第二光导件。反射面上的有效区域占反射面的比例约介于60％至100％之间。上述方法也包括供应一清洁气体至第二光导件周围，并将清洁气体自第二光导件周围抽除。

公开(公告)号：CN114792649A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210200214.8

申请日：2022-03-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邓上轩 ,  林梵琦 ,  郭爵旗 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01J37/32

摘要： 一种半导体制程方法包括：将晶圆定位于设备的静电卡盘上；及通过以下方式将晶圆固定至静电卡盘：通过在第一时间处施加第一电压将晶圆的第一晶圆区域固定至静电卡盘的第一卡盘区域。方法进一步包括通过在不同于第一时间的第二时间处施加第二电压，将晶圆的第二晶圆区域固定至静电卡盘的第二卡盘区域；及在晶圆固定于静电卡盘的同时通过该设备处理晶圆。

公开(公告)号：CN110824851B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201810915785.3

申请日：2018-08-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李宗彦 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  郭爵旗 ,  郑介任

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/52

摘要： 一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

公开(公告)号：CN111061129A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201811209082.5

申请日：2018-10-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 傅中其 ,  黄郁茹 ,  郑介任 ,  郭爵旗

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本公开部分实施例提供一种清洁光刻系统的方法。上述方法包括放置一光学元件至一光罩座。上述方法还包括自一光源产生一光束，并利用一第一光导件导引光束至光学元件，使光束在光学元件的一反射面的一有效区域反射并射入一第二光导件。反射面上的有效区域占反射面的比例约介于60％至100％之间。上述方法也包括供应一清洁气体至第二光导件周围，并将清洁气体自第二光导件周围抽除。

公开(公告)号：CN114815499A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210050402.7

申请日：2022-01-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄郁茹 ,  郭爵旗 ,  傅中其 ,  郑介任

IPC分类号： G03F1/82 ,  G03F1/84 ,  G03F1/22 ,  B08B13/00

摘要： 一种清洁极紫外线遮罩的系统和方法，极紫外(EUV)微影系统包含扫描器。微影系统用扫描器中的倍缩光罩执行EUV微影制程。扫描器包含倍缩光罩储存腔室、倍缩光罩背侧检查腔室及倍缩光罩清洁腔室。倍缩光罩清洁腔室对扫描器中的倍缩光罩的背侧的碎屑进行清洁。