公开(公告)号：CN117316768A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310529835.5

申请日：2023-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈学儒 ,  徐志安 ,  林宗达 ,  赖蓓盈 ,  许家玮

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开涉及无体积氟掺入方法。一种方法包括：去除虚设栅极堆叠，以在栅极间隔件之间形成沟槽；沉积延伸到所述沟槽中的栅极电介质；以及对所述栅极电介质执行第一处理工艺。所述第一处理工艺是使用含氟气体来执行的。执行第一驱入工艺以将所述含氟气体中的氟驱入到所述栅极电介质中。所述方法还包括：对所述栅极电介质执行第二处理工艺，其中，所述第二处理工艺是使用所述含氟气体来执行的；以及执行第二驱入工艺以将所述含氟气体中的氟驱入到所述栅极电介质中。在所述第二驱入工艺之后，形成导电层以填充所述沟槽。

公开(公告)号：CN113889435A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110326123.4

申请日：2021-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖德洋 ,  陈学儒 ,  林宗达 ,  徐志安

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

Abstract: 本公开涉及纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体器件的第一器件区域中，在突出高于衬底的第一鳍之上形成第一纳米结构；在半导体器件的第二器件区域中，在突出高于衬底的第二鳍之上形成第二纳米结构，其中，第一纳米结构和第二纳米结构包括半导体材料并且平行于衬底的上表面延伸；在第一纳米结构周围并且在第二纳米结构周围形成电介质材料；在第一器件区域中在第一纳米结构周围并且在第二器件区域中在第二纳米结构周围形成第一硬掩模层；在形成第一硬掩模层之后，从第二器件区域去除第一硬掩模层；在去除第一硬掩模层之后，通过执行氧化工艺来增加在第二纳米结构周围的电介质材料的第一厚度。

公开(公告)号：CN118712133A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410739895.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈学儒 ,  林宗达 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 方法包括形成晶体管，这包括：形成半导体纳米结构；形成包围半导体区域的界面层；在界面层上沉积偶极膜；在偶极膜上沉积高k介电层；以及在高k介电层上沉积栅电极。晶体管的形成可以没有偶极掺杂剂驱入工艺，并且可以没有偶极膜去除工艺。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN118538674A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410203693.8

申请日：2024-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖蓓盈 ,  林正杰 ,  陈学儒 ,  林宗达 ,  侯承浩 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了偶极工程技术，偶极工程技术将偶极掺杂剂和/或氮掺入至栅极电介质(例如，其高k介电层)中，以实现晶体管的多阈值电压晶体管调整。偶极工程技术包括：(1)在一些晶体管(但不是其它晶体管)的栅极电介质上方形成偶极掺杂剂源层；(2)在一些晶体管(但不是其它晶体管)的栅极电介质上方形成掩模；(3)实施含氮热驱入工艺；以及(4)在含氮热驱入工艺之后，去除偶极掺杂剂源层和掩模。含氮热驱入工艺将氮和偶极掺杂剂(n偶极掺杂剂和/或p偶极掺杂剂)扩散至其上形成有偶极掺杂剂源层的未掩蔽栅极电介质中，将氮扩散至未掩蔽栅极电介质中，并且将偶极掺杂剂扩散至其上形成有偶极掺杂剂源层的掩蔽栅极电介质中。其上没有形成偶极掺杂剂源层的掩蔽栅极电介质保持未掺杂。本申请的实施例还涉及堆叠器件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN115831874A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210939388.6

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈学儒 ,  陈昱璇 ,  吴俊毅 ,  黄文宏 ,  林宗达 ,  陈建豪 ,  洪正隆 ,  游国丰

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 在实施例中，一种器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区的，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍的第二沟道区上，第二栅极电介质包括第二界面层和第二高k介电层，第一沟道区上的第一界面层的第一部分具有比第二沟道区上的第二界面层的第二部分大的厚度，第二沟道区具有比第一沟道区大的高度。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN118645474A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202311424596.3

申请日：2023-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈学儒 ,  林宗达 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 本申请公开了互补晶体管的调谐功函数。一种方法，包括：基于半导体区域的第一部分来形成源极/漏极区域；基于半导体区域的第二部分来形成界面层；在界面层上形成偶极子膜；在偶极子膜上沉积高k电介质层；以及在高k电介质层上沉积功函数层。

公开(公告)号：CN115911115A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210994858.9

申请日：2022-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖德洋 ,  陈学儒 ,  林宗达 ,  徐志安

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括设置在衬底上方的第一器件区域中的第一沟道区域；设置在第一沟道区域上方的第一栅极介电层；以及设置在第一栅极介电层上方的栅电极。第一栅极介电层包括第一偶极子掺杂剂和第二偶极子掺杂剂。第一偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电层的厚度方向具有第一浓度峰，并且第二偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电层的厚度方向具有第二浓度峰。第二浓度峰位于第一浓度峰和第一栅极介电层的上表面之间。第二浓度峰偏离第一栅极介电层的上表面。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN218351466U

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202222095836.7

申请日：2022-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李致葳 ,  黄文宏 ,  游国丰 ,  陈建豪 ,  陈学儒 ,  陈昱璇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路包含具有第一区和第二区的基底；位于第一区中的第一全绕式栅极装置，第一全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第一通道构件，以及包覆第一通道构件的通道区的第一栅极结构，第一栅极结构包含第一界面层；以及位于第二区中的第二全绕式栅极装置，第二全绕式栅极装置包含沿第一方向纵向延伸的第二通道构件，以及包覆第二通道构件的通道区的第二栅极结构，第二栅极结构包含第二界面层，第二界面层具有邻近第二通道构件的第一部分和在第一部分上方的第二部分，第一部分的密度小于第二部分的密度。