公开(公告)号：CN105321925B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410807978.9

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 高祥伦 ,  刘相玮 ,  杨岱宜 ,  陈建华 ,  廖御杰 ,  王永智 ,  林天禄

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种器件，包括位于衬底上方的金属化层中的第一圆形金属线、位于金属化层中的第二圆形金属线、位于第一圆形金属线和第二圆形金属线的侧壁之间的第一气隙、位于金属化层中的第一金属线，其中，第一金属线的顶面高于第二圆形金属线的顶面，并且第一金属线的底面与第二圆形金属线的底面基本齐平，以及位于第二圆形金属线和第一金属线的侧壁之间的第二气隙。本发明还提供了形成金属线的方法。

公开(公告)号：CN105321925A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410807978.9

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 高祥伦 ,  刘相玮 ,  杨岱宜 ,  陈建华 ,  廖御杰 ,  王永智 ,  林天禄

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种器件，包括位于衬底上方的金属化层中的第一圆形金属线、位于金属化层中的第二圆形金属线、位于第一圆形金属线和第二圆形金属线的侧壁之间的第一气隙、位于金属化层中的第一金属线，其中，第一金属线的顶面高于第二圆形金属线的顶面，并且第一金属线的底面与第二圆形金属线的底面基本齐平，以及位于第二圆形金属线和第一金属线的侧壁之间的第二气隙。本发明还提供了形成金属线的方法。

公开(公告)号：CN107180785A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611018346.X

申请日：2016-11-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈建华 ,  杨岱宜 ,  庄正吉 ,  吴佳典 ,  林天禄 ,  包天一

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76822 ,  H01L23/528

摘要： 本公开提供半导体装置结构的形成方法。半导体装置结构的形成方法包含在半导体基底上形成介电层。半导体装置结构的形成方法还包含在介电层内形成开口。介电层的第一部分的介电常数小于介电层围绕开口的第二部分的介电常数。半导体装置结构的形成方法还包含在开口内形成导电特征部件。第二部分位于第一部分与导电特征部件之间。再者，半导体装置结构的形成方法包含将第一部分的上部改质，以增加第一部分的上部的介电常数。半导体装置结构的形成方法也包含去除第一部分的上部及第二部分。由本公开的一些实施例的方法形成的半导体装置结构的装置性能及可靠度可显著地提升。