公开(公告)号：CN116364651A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310110703.9

申请日：2023-02-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴佳典 ,  朱韦臻 ,  廖御杰 ,  陈欣苹

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H10B10/00

摘要： 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括在基板上方形成第一互连层，第一互连层包括第一导电特征以及第二导电特征；在第一互连层上形成图案化遮罩，图案化遮罩中的一或多个开口覆盖第二导电特征；经由图案化遮罩中的一或多个开口掘入第二导电特征；以及在第一互连层上方形成第二互连层。第二互连层具有与第一导电特征接触的第一通孔以及与第二导电特征接触的第二通孔。

公开(公告)号：CN105990336B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201510055804.6

申请日：2015-02-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨岱宜 ,  廖御杰 ,  林天禄 ,  包天一

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括半导体衬底。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的第一介电层。该半导体器件结构包括嵌入在第一介电层中的第一导线。该半导体器件结构包括位于第一介电层和第一导线上方的第二介电层。该半导体器件结构包括位于第二介电层上方的第二导线。第二介电层位于第一导线和第二导线之间。半导体器件结构包括穿过第二介电层以将第一导线电连接至第二导线的导电柱。导电柱彼此间隔开。本发明涉及半导体器件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN111223765A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911174696.9

申请日：2019-11-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖御杰 ,  庄正吉 ,  吴佳典 ,  杨岱宜 ,  陈欣苹

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

摘要： 一种半导体装置的形成方法包括沉积硬掩模层于金属层之上；沉积第一图案化层于硬掩模层之上；形成第一组侧壁间隔物于第一图案化层的部件的侧壁上；形成第二组侧壁间隔物于第一组侧壁间隔物的侧壁上；移除第一组侧壁间隔物；以及进行反应离子蚀刻工艺以图案化通过第一图案化层及第二组侧壁间隔物露出的金属层的部分。

公开(公告)号：CN110957268A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910921816.0

申请日：2019-09-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨岱宜 ,  廖御杰 ,  吴佳典 ,  陈欣苹 ,  陈海清 ,  眭晓林

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/528

摘要： 本公开实施例提供一种集成电路结构及其形成方法。该方法包括：于半导体基板上沉积第一金属层；于第一金属层上形成硬遮罩；利用硬遮罩作为蚀刻遮罩图案化第一金属层，以形成第一金属部件；于第一金属部件上与第一金属部件中之间隙，沉积第一介电材料的介电层；对介电层与硬遮罩进行化学机械研磨工艺；移除硬遮罩，因而具有介电层突出于金属部件之上的部分；形成第二介电材料的层间介电层，第二介电材料与第一介电材料不同；以及图案化层间介电层，以形成露出第一金属部件的开口，其受制于第一介电层的突出部分而与第一金属部件自对准。

公开(公告)号：CN105321925B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410807978.9

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 高祥伦 ,  刘相玮 ,  杨岱宜 ,  陈建华 ,  廖御杰 ,  王永智 ,  林天禄

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种器件，包括位于衬底上方的金属化层中的第一圆形金属线、位于金属化层中的第二圆形金属线、位于第一圆形金属线和第二圆形金属线的侧壁之间的第一气隙、位于金属化层中的第一金属线，其中，第一金属线的顶面高于第二圆形金属线的顶面，并且第一金属线的底面与第二圆形金属线的底面基本齐平，以及位于第二圆形金属线和第一金属线的侧壁之间的第二气隙。本发明还提供了形成金属线的方法。

公开(公告)号：CN105990336A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510055804.6

申请日：2015-02-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨岱宜 ,  廖御杰 ,  林天禄 ,  包天一

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括半导体衬底。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的第一介电层。该半导体器件结构包括嵌入在第一介电层中的第一导线。该半导体器件结构包括位于第一介电层和第一导线上方的第二介电层。该半导体器件结构包括位于第二介电层上方的第二导线。第二介电层位于第一导线和第二导线之间。半导体器件结构包括穿过第二介电层以将第一导线电连接至第二导线的导电柱。导电柱彼此间隔开。本发明涉及半导体器件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN105321925A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410807978.9

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 高祥伦 ,  刘相玮 ,  杨岱宜 ,  陈建华 ,  廖御杰 ,  王永智 ,  林天禄

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种器件，包括位于衬底上方的金属化层中的第一圆形金属线、位于金属化层中的第二圆形金属线、位于第一圆形金属线和第二圆形金属线的侧壁之间的第一气隙、位于金属化层中的第一金属线，其中，第一金属线的顶面高于第二圆形金属线的顶面，并且第一金属线的底面与第二圆形金属线的底面基本齐平，以及位于第二圆形金属线和第一金属线的侧壁之间的第二气隙。本发明还提供了形成金属线的方法。