公开(公告)号：CN106995204A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201610970705.5

申请日：2016-11-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈禹睿 ,  王乙翕 ,  李仁铎 ,  刘人豪

IPC分类号： B81B7/02

CPC分类号： B81B3/0005 ,  B81B3/001 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00984 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/0785 ,  B81B7/02 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/0172 ,  B81C2203/0707

摘要： 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。

公开(公告)号：CN108217580A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711329337.7

申请日：2017-12-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈禹睿 ,  王乙翕 ,  李仁铎 ,  刘人豪

IPC分类号： B81C3/00 ,  B81B7/00

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B7/0077 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00269 ,  B81C3/005 ,  B81C3/008 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/054 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/075 ,  B81C3/001 ,  B81B7/0006

摘要： 一种封装的形成方法包括：提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底；提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底；以及通过使所述第一衬底及所述第二衬底各自的虚拟垫接触来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合，其中所述第一衬底的所述虚拟垫及所述第二衬底的所述虚拟垫中的至少一者包括多个峰与谷。

公开(公告)号：CN108217580B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201711329337.7

申请日：2017-12-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈禹睿 ,  王乙翕 ,  李仁铎 ,  刘人豪

IPC分类号： B81C3/00 ,  B81B7/00

摘要： 一种封装的形成方法包括：提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底；提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底；以及通过使所述第一衬底及所述第二衬底各自的虚拟垫接触来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合，其中所述第一衬底的所述虚拟垫及所述第二衬底的所述虚拟垫中的至少一者包括多个峰与谷。