公开(公告)号：CN101626031A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910134320.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  蒋柏煜 ,  黄宗义 ,  蔡俊琳 ,  周建志 ,  龚正

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/38

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，该结构包括一第一阱区，位于一半导体基板上，其具有一第一导电类型；一第二阱区，位于半导体基板上，且横向邻接于第一阱区，第二阱区具有相反于第一导电类型的一第二导电类型；一栅极介电质，从第一阱区上方延伸至第二阱区上方；一漏极区域，位于第二井区中；一源极区域，位于闸极介电质的一侧，并位于汲极区域与闸极介电质邻接侧的相反侧；一栅极，位于栅极介电质上，其中栅极包括直接位于第二阱区上方的一第一部分区域和直接位于第一阱区上方的一第二部分区域，其中第一部分区域具有一第一掺质浓度，其小于第二部分区域具有的一第二掺质浓度。本发明能够降低源极对漏极的导通电阻，以及降低HVMOS元件的漏电流。

公开(公告)号：CN101728392A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910131496.5

申请日：2009-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  蒋柏煜 ,  龚正 ,  黄宗义 ,  蔡俊琳 ,  周建志

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底，形成在所述衬底中的源区和漏区，形成在所述衬底上且设置在所述源区和漏区之间的栅结构，和形成在所述衬底中且在所述栅结构和所述漏区之间的第一隔离结构，所述第一隔离结构包括在接近于所述漏区的边界处的突起。每个突起包括在沿所述漏区边界的第一方向测量的宽度，和沿与所述第一方向垂直的第二方向测量的长度，相邻的突起之间相互间隔一定距离。

公开(公告)号：CN101626031B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910134320.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  蒋柏煜 ,  黄宗义 ,  蔡俊琳 ,  周建志 ,  龚正

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/38

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，该结构包括一第一阱区，位于一半导体基板上，其具有一第一导电类型；一第二阱区，位于半导体基板上，且横向邻接于第一阱区，第二阱区具有相反于第一导电类型的一第二导电类型；一栅极介电质，从第一阱区上方延伸至第二阱区上方；一漏极区域，位于第二井区中；一源极区域，位于闸极介电质的一侧，并位于汲极区域与闸极介电质邻接侧的相反侧；一栅极，位于栅极介电质上，其中栅极包括直接位于第二阱区上方的一第一部分区域和直接位于第一阱区上方的一第二部分区域，其中第一部分区域具有一第一掺质浓度，其小于第二部分区域具有的一第二掺质浓度。本发明能够降低源极对漏极的导通电阻，以及降低HVMOS元件的漏电流。

公开(公告)号：CN101728392B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200910131496.5

申请日：2009-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  蒋柏煜 ,  龚正 ,  黄宗义 ,  蔡俊琳 ,  周建志

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底，形成在所述衬底中的源区和漏区，形成在所述衬底上且设置在所述源区和漏区之间的栅结构，和形成在所述衬底中且在所述栅结构和所述漏区之间的第一隔离结构，所述第一隔离结构包括在接近于所述漏区的边界处的突起。每个突起包括在沿所述漏区边界的第一方向测量的宽度，和沿与所述第一方向垂直的第二方向测量的长度，相邻的突起之间相互间隔一定距离。